1、制药工程与技术专业优秀论文 纳米二氧化硅对 PC12神经细胞及HEK293人胚肾细胞毒性的研究关键词：纳米二氧化硅 PC12 神经细胞 HEK293 细胞 细胞毒性 氧化应激摘要：纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米 SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以 PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT 比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存
2、率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对
3、细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量LD50分别为 15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12 细胞分化实验表明，纳米
4、SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引
5、起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。正文内容纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之
6、一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米 SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以 PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT 比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 Si
7、O2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量LD50分别为 15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳
8、米SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12 细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对HEK293细胞的毒性研究表明，在 2
9、0-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡
10、，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模
11、型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/m
12、l 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2
13、造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20
14、-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化
15、应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞
16、内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15
17、010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂
18、量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升
19、高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文
20、针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为
21、神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC
22、12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时
23、间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应
24、激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实
25、验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖
26、性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成
27、剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大
28、量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡
29、等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶
30、(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细
31、胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米
32、 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果
33、显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12
34、神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米
35、SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致
36、氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD5
37、0分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 RO
38、S过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射
39、电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm
40、 SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC
41、12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 RO
42、S水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是
43、有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。
44、另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 SiO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在
45、细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 HEK293细胞的毒性研究表明，在 20-200g/ml 剂量范围内，
46、纳米 SiO2颗粒对 HEK293细胞的毒性呈剂量依赖性和时间依赖性。20-nm，50-nm SiO2 对 HEK293细胞的半数致死量 LD50分别为 806.4g/ml 和 1408.6g/ml，20-nmSiO2 毒性更明显。细胞形态观察发现纳米 SiO2导致细胞皱缩变形，高剂量大量细胞死亡。对氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 HEK293细胞内 ROS水平升高，GSH 的大量消耗，及脂质过氧化物 MDA含量升高。LDH 泄漏表明纳米 SiO2造成 HEK293细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示，纳米 SiO2对 HEK293细胞造成浓度依赖性的凋亡，并抑制细胞增殖。 对纳
47、米 SiO2细胞毒性机制探讨，发现 ROS的过量产生和氧化应激反应与纳米 SiO2产生细胞毒性效应密切相关。纳米 SiO2暴露细胞后，引发 ROS过量生成，GSH 耗竭，细胞内氧化-抗氧化平衡被打破，氧化应激状态加剧，导致脂质过氧化反应，细胞膜受损，细胞功能障碍，细胞增殖抑制以及细胞死亡等。纳米二氧化硅(SiO2)是众多纳米材料重要成员之一，广泛应用于生物医学领域，但是有关纳米 SiO2的生物效应研究还缺乏深入系统的研究。本论文针对纳米SiO2的细胞生物效应展开研究，为纳米材料的安全性评价提供依据。 以PC12神经细胞为脑神经细胞模型，HEK293 人胚肾细胞为肾细胞模型，采用多种方法评价不同
48、尺度的纳米 SiO2颗粒对这两种细胞的毒性效应。采用噻唑蓝实验(MTT比色法)检测纳米 SiO2对细胞生存率的影响；利用光学电子倒置显微镜、透射电镜观察细胞形态和超微结构的变化；采用相关生化试剂盒测定细胞内活性氧(ROS)水平、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量的变化以及乳酸脱氢酶(LDH)的释放；采用流式细胞仪分析纳米 SiO2对细胞周期的影响及诱发凋亡的作用。另外，用神经生长因子 NGF-7s诱导的 PC12细胞分化为神经元，采用倒置显微镜观察分析纳米 SiO2对 PC12细胞分化能力的影响。 纳米 SiO2作用 PC12细胞的研究表明，在 20-300g/ml 剂量范围内，纳米 S
49、iO2颗粒对 PC12细胞的毒性呈尺度、剂量依赖性和时间依赖性。纳米颗粒粒径越小，越容易进入 PC12细胞对细胞产生损伤。20-nm，50-nm SiO2 对 PC12细胞的半数致死量 LD50分别为15010.5g/ml，30012.5g/ml。细胞形态观察发现纳米 SiO2暴露导致细胞皱缩变形，并出现大量凋亡小体。透射电镜照片显示纳米 SiO2可进入细胞，成团分布在细胞质中。氧化应激指标的考察表明，纳米 SiO2可引起 PC12细胞内 ROS过量产生，GSH 的大量消耗，脂质过氧化物 MDA含量的升高，导致氧化应激反应及脂质过氧化反应。LDH 泄露表明纳米 SiO2造成 PC12细胞膜的损伤。流式细胞仪检测结果显示纳米 SiO2对 PC12细胞造成剂量依赖性的凋亡.PC12细胞分化实验表明，纳米 SiO2可导致 NGF诱导的 PC12细胞分化退化，PC12 细胞分化能力随着纳米 SiO2剂量的增加而逐渐丧失，生成的轴突数量明显减少，轴突长度缩短，神经元之间联系减少。 纳米 SiO2对 H
