1、微电子与固体电子学专业毕业论文 精品论文 2T-SRAM 设计及其刷新时钟电路的改进关键词：2T-SRAM 互补单元 嵌入式设计 低功耗设计 刷新时钟电路摘要：随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存
2、储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各
3、方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。正文内容随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM
4、 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有
5、效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电
6、路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路
7、等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和
8、新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种
9、新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得
10、电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM
11、 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有
12、效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电
13、路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路
14、等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和
15、新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种
16、新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得
17、电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM
18、 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有
19、效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电
20、路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路
21、等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和
22、新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。随着半导体技术的不断发展，集成电路设计已经发展到了 SoC 时代，嵌入式存储器在 SoC 设计中的比重将逐渐增大。到 2010 年，约 90的硅片面积都将被存储器所占据。SRAM 和 DRAM 是最为常见的两种嵌入式存储器。SRAM 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种
23、新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得
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25、 速度快，但是占面积大，成本高。而 DRAM 集成度高，但是速度慢。近年来，便携式设备的流行和高性能处理器的发展，对存储器提出了更高的要求。低成本，高速，低功耗成为存储器设计的新方向。 本文设计了一种新式的存储器 2T-SRAM。2T-SRAM 综合了 DRAM 的高集成度和 SRAM 高速的特点，使得其满足存储器发展的需要。文章对 2T-SRAM 的存储单元，阵列布局、译码电路以及灵敏放大器电路等基本的电路进行了详细阐述和分析。文章从低功耗、低成本和实现难度的设计的角度，对传统的刷新时钟产生电路进行了探讨，在此基础上对存储器的刷新时钟产生电路进行了优化设计。设计提出的一种新的刷新电路，可以有
26、效降低存储器的刷新功耗。新的刷新电路包括温度调整单元，电压检测电路和输出反馈电路三部分。论文对这三部分电路的设计进行了详细的阐述，针对面积、功耗等性能之间的各种约束，通过适当的设计和选择合适的电路使得电路在各方面达到最优化。文章最后对整个 2T-SRAM 存储器和新式刷新电路的进行了详细的仿真分析。 本文基于 UMC0.18um 标准 CMOS 工艺设计，实现了一个 2T-SRAM 存储器的设计和新式刷新时钟电路的设计。仿真测试结果表明，设计完全符合要求。此外，本文给出了一种存储单元的版图和整体的布局。为使 2T-SRAM 的设计达到最优，还有进一步的工作要做。特别提醒 ：正文内容由 PDF
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