半导体发光二极管可靠性研究及热特性分析.doc

1、微电子学与固体电子学专业优秀论文 半导体发光二极管可靠性研究及热特性分析关键词：半导体发光二极管 加速寿命试验 失效机理 高低温特性 热特性分析 可靠性分析摘要：光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对 LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从

2、以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型； 其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光 LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面

3、要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED 各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装LED 进行了 130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结

4、温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。正文内容光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED

5、)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对 LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型； 其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光 LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20

6、mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED 各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装LED 进行了 130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电

7、压升高现象，到2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对 Si 衬底 GaN

8、基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是

9、顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制

10、的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的

11、变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体

12、发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在

13、 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 150mA 的电过应

14、力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si

15、 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的

16、一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可

17、以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED

18、各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标

19、志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验

20、及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 15

21、0mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测

22、试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消

23、费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10

24、704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，

25、分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技

26、发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应

27、力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、14

28、0mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LE

29、D 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可

30、靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，1370

31、6 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各

32、项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已

33、成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LE

34、D 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了

35、130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基

36、小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。光电子产业是 21 世纪最受瞩目的高科技领域之一，并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中，半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点，引领照明光源的发展趋势，成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着 LED 越来越广泛的应用于生产生活的各个方面，市场对LED 可靠性的要求越来越高，同时如何从各个方面全面的评

37、价 LED 的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求，本论文主要从以下几方面展开研究工作： 首先，论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理，总结了可靠性测试的基本方法，以及数据分析的理论模型；其次，对实验室研制的高亮度小功率红光 LED 和 HP 公司生产的小功率红光LED 进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析，在 90，20mA 的条件下，经 6560 小时的老化试验，实验室研制的有无 ITO 薄膜的两种 LED，其光通量下降约 25.3，同时，HP 的 LED 光通量下降约 33.3，外推这三种 LED 在 90，20mA 下的寿命分别为 13706

38、 小时，13706 小时及 10704 小时，可以得出实验室研制的 LED 在可靠性方面要优于 HP 公司生产的 LED。 然后，对 5 支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光 LED 进行了热过应力测试。在高温条件下，LED各项参数并无明显退化，180下全部突然失效。对 3 组各 3 支裸装 LED 进行了130mA、140mA 及 150mA 的电过应力测试，出现电压升高现象，到 2.3V 以上突然失效。电流越大，电压升高越快。并详尽分析阐述了 LED 的几种失效机理。 接着，对大功率 LED 的温高低特性进行了研究，并且在低温条件下在线的测试了 LED 的相对光强与峰值波长等相关光参数，给

39、出了 LED 各项性能参数曲线，分析了 LED 各项参数和温度的变化关系，随着 LED 结温的升高，LED 的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了 Si 衬底 GaN 基蓝光 LED，并对南昌大学研制的 Si 衬底 GaN 基小功率蓝光 LED 进行了光电测试，同时，对Si 衬底 GaN 基蓝光 LED 进行了在线的高低温特性的测试，得到随着结温的升高，Si 衬底 GaN 基小功率 LED 的相对光强减小，峰值波长红移，电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底 GaN 基 LED。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转

40、码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们还可提供代笔服务，价格优惠，服务周到，包您通过。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstreamendobj2x 滌甸?*U 躆 跦?l, 墀 VGi?o 嫅#4K 錶 c#x 刔 彟 2Z 皙笜?D 剧珞 H 鏋 Kx 時 k,褝仆? 稀?i 攸闥-) 荮vJ 釔絓|?殢 D 蘰厣?籶(柶胊?07 姻Rl 遜 ee 醳 B?苒?甊袝 t 弟l?%G 趓毘 N 蒖與叚繜羇坯嵎憛?U?Xd* 蛥?-.臟兄+鮶 m4嵸/E 厤U 閄 r塎偨匰忓tQL 綹 eb?抔搉 ok 怊 J?l?庮 蔘?唍*舶裤爞 K 誵Xr 蛈翏磾寚缳 nE 駔殞梕 壦 e 櫫蹴友搇6 碪近躍邀 8 顪?zFi?U 钮 嬧撯暼坻7/?W?3RQ 碚螅 T 憚磴炬 B- 垥 n 國 0fw 丮“eI?a揦(?7 鳁?H?弋睟栴?霽 N 濎嬄! 盯 鼴蝔 4sxr?溣?檝皞咃 hi#?攊(?v 擗谂馿鏤刊 x 偨棆鯍抰Lyy|y 箲丽膈淢 m7 汍衂法瀶?鴫 C?Q 貖 澔?wC(?9m.Ek?腅僼碓 靔 奲?D| 疑維 d袣箈 Q| 榉慓採紤婏(鞄-h-蜪7I冑?匨+蘮.-懸 6 鶚?蚧?铒鷈?叛牪?蹾 rR?*t? 檸?籕