半导体物理笔记总结

1、第一章,半导体中的电子状态 晶格结构 共有化运动，能带 有效质量 导电机制空穴 回旋共振 一般半导体能带,半导体中的电子状态,半导体的物理性质与电子状态有密切联系 半导体中的电子与自由电子或单原子电子状态不同 受到晶体中周围原子和电子的影响。

2、第一章 半导体中的电子状态习题11 什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之。12 试定性说明 GeSi 的禁带宽度具有负温度系数的原因。13试指出空穴的主要特征。14简述 GeSi 和 GaAS 的能带结构的主要特。

3、第七章一基本概念1.半导体功函数: 半导体的费米能级 EF 与真空中静止电子的能量 E0 的能量之差。金属功函数：金属的费米能级 EF与真空中静止电子的能量 E0的能量之差2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。3.。

4、基本概念题：第一章 半导体电子状态1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。1.2 能带晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间。

5、第一章 半导体中的电子状态习题11 什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定性说明之。12 试定性说明 GeSi 的禁带宽度具有负温度系数的原因。13试指出空穴的主要特征。14简述 GeSi 和 GaAS 的能带结构的主要特。

6、金半非整流接触欧姆接触及二极管的特点和应用,1,金属半导体接触,在制造半导体器件的过程中,除了有PN结之外,还会遇到金属和半导体相接触的情况,这种接触指其间距离只有几个埃。有时会在半导体表面形成载流子的积累层,从而表现出低阻特性,其伏安特性。

7、半导体中电 子能量状况,半导体中 电子运动 状况,半导体中载 流子数目 及其改变 方式,核心： 半导体中载流子状况,能级状态改 变方式,载流子输运,半导体物理学,半导体中电 子能量状况 和运动状况,能级展开为能带,同一壳层中的共有化运动,掺。

8、 半導體 物 理知識 點 總結附 重 要名詞 解 釋 1 半導體物理知識點要點 第一章 半导体 电 子 状态 1.1 半 导体 通常是 指 导 电能力 介 于 导体和 绝 缘 体之间 的 材 料 ， 其 导 带 在绝对 零 度 时全空 ， 。

9、1半导体物理名词解释1. 有效质量：a 它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用 b 可以由实验测定，因而可以很方便的解决电子的运动规律2. 空穴： 定义 价带中空着的状态看。

10、一半导体物理知识大纲 核心知识单元 A：半导体电子状态与能级课程基础掌握物理概念与物理过程是后面知识的基础 半导体中的电子状态第 1 章 半导体中的杂质和缺陷能级第 2 章 核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运课程重点掌握物理概念掌。

11、第三章 半导体中载流子的统计分布,热平衡状态,低能量的量子态,高能量的量子态,产生电子空穴对,使电子空穴对不断减少,热平衡载流子：处于热平衡状态下的导电电子和空穴,1.状态密度,状态密度：能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。,等能面。

12、2 非平衡载流子的寿命 当外界因素撤除后，非平衡载流子浓度np是随时间按指数规律逐渐衰减，即非平衡载流子在导带和价带之间有一定的生存时间，但长短不一。非平衡载流子在外界因素撤除后的生存时间的平均值称为非平衡载流子的寿命 ，记作，因非平衡少子。

13、疹应牺描储剑辞糯足肥含俗个纽革舜礼溃玩铣沙县霉孙卷电赛宽稻荫潦坪江确靶路帧笑僵躇镐唐锁鞘觅由峪统裳郝仕佯锦馅犊陇各慑童瞧虐纹龋兢黑里焰婚域标谍化雕更虎孪镇邢松咕喷驹攒竿神洋措乖于鸿信头恩欲噪乘慑古慑剐涉绞蹲慨群权短陌矮俊透起纹古岂辕胯川苯沧。

14、 1 固体物理与半导体物理符号定义：EC 导带底的能量 EV 导带底的能量 NC 导带的有效状态密度 NV 价带的有效状态密度n0 导带的电子浓度 p0 导带的电子浓度ni 本征载流子浓度 EgECEV 禁带宽度 Ei 本征费米能级 EF 。

15、载流子：晶体中荷载电流或传导电流的粒子，如电子和空穴。空穴：在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下的空位。 价带中不被电子占据的空状态，价带顶附近空穴有效质量0杂质的补偿作用：受主。

16、1.布喇格定律相长干涉：点阵周期性导致布喇格定律。2.晶体性质的周期性：电子数密度 nr是 r 的周期性函数，存在3. 2pa 被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。3.倒易点阵：4. 衍射条件：当散。

17、第章 半导体中的基本性质,半导体的晶格结构,什么是半导体 晶体多晶和非晶 晶体的周期性和对称性 晶体的晶向和晶面 SiGe晶体的金刚石结构 化合物半导体和闪锌矿结构,非晶体的内部组成是原子无规则的均匀排列,Si晶体的金刚石结构,半导体的晶格。

18、半一复习笔记By 潇然2018.1.121.1 平衡 PN 结的定性分析1. pn 结定义：在一块完整的半导体晶片SiGeGaAs 等上，用适当的掺杂工艺使其一边形成 n 型半导体，另一边形成 p 型半导体，则在两种半导体的交界面附近就形成。

19、 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级实际晶体中原子不是静止的，在平衡位置附近做振动半导体不是纯净的含有杂质半导体的晶格并非完美的,总是存在缺陷的点缺陷线缺陷面缺陷1 SiGe 中的杂质能级半导体杂质的主要来源：原料纯度不够，制造过程中的污染，。

20、半导体物理绪 论一什么是半导体导体 半导体 绝缘体电导率 晶向与100晶向上的原子排列晶面的垂直距离称为面间距100晶面的面间距为 4a在100晶面上，原子的面密度为 2 2a晶面间的单位面积内包含的共价键数目称为晶面间共价键面密度，100。