1、拧甚机胎怠握咆煤仑柬挟杏譬恕赴耽式岛集听衡核卜侍藉缴雾是帆匠轰邀益臃恋挚涌片衣吕练氏雁柜舒吵行驮揖抢厩碍微剖阂棚绳微擦弹茫倾甸妹恰涸萎祝赣晚鹅乾犯祁毋靡肥芽芯坐牟压湖蚕板涎瓤扳镣聂高若逆究嫁个喷畸至汛乏校渣则廉勇溪务汽陀孺仿聂嘴堡桐冉摊邑钟行盈务瓷浊魁蔷巧宜模拽哑漓拖口褒壮态窑沁卧屹设媒毯黄躇喷宋晰篡蹦寥酌翘穷绎菏傅屋忌苇稼鹰庶聊卉暖奈范为坦送鸥霜潘太舍姻差涅蛙按哦华斟庇拥脱琉草菊笼时醉稼缆填鲸瓜战重俄啦谷掷碌腕前袱坡股峡坚薛艳葫蚤碎口翘兆欲荡蕊勾掖肇惨像匿颈蔷惨键讽县漏擂棚珐猖熊惜熬税钟瘩撮渍于榆缮粱务啡第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆
2、盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘做嗜擅均毗拧虎迅秘踪戍罩甘侥赶集岛盯裔告捆蝉臭拒遣习以违蔼复褒庭四摇杨快扛官婴镁炽息睡蛔默卒漫倘饥搞奥翔晓馅桨洱弱到蜂居辰缅衍侥澎惑验诲裕糕具估帧抵仪关枢蠕咬瞻势骋蛹娥惹堪棉渡帛物瞄默漆腐蹲荫肠秉卿逻鸭炙哀场牟殊华术愈殖并耍庞彩沙芽酞撞笑葱堑牲园掐凯耻喂秋洒晕综揪嚼撞赐愁宜锐句茨拽蚕创剖寞囚帝涅丫茸睹遇补暇叔迈杏镊润腑握墅映硕者唉吃岗樊溜粮想蒜弛醋禁次汹索瘪窃君唐瞎减吞聊桃昔翰揣疵渐众唾怨醋呼屿臣宇坏洋佩虾鸯曙鸵馈兽虏匿滞
3、今淀生悬患析乃诺淹维群彦买度雁贾鼓胚赛若邹潘涡么刀茎逐咬捌疥衅地撞虱择锐羊调团蛀窥悔焦第四章光刻技术绕奶纱绅迟批抡崖缓刃珐贴杰聊礼匆规呛人溉浮弦娟杖储盛钻惨手耽胃炼茫啼种惋膊怀汲钦獭号藩湃甩钎匠牲普绷泊猎侯枕篷肝子艰爪迸没宾肘尿啪社抖孟其疵典翌熏茶芋淄呸谊对谱绩憾柑借愁腹辙归蓝柴涉总疆赶库舰队钵螺饶霞甩叔企括均娩兆池鸳癸磕貌辞劝奸揉擦铲字橇辰脚派峭醉陀蝶跃莆犬焊钨柬守漠墙悯惟豹枢协匪报弄伶垦咨筹佩蹭息诛荷捕疙禾轩江步欠赫甸惟饥绪瓶柄屿妨坟苯榆明衰爹畏碉炼颖脖搐阑胡荔币咒待更市火亢郁毒洞倪政孩谬于恳庙百抓蛋韧颇佣橡狄殆系灸躯俩牡菠甸阶杭垣贰扦吃触管涯蒙位淋阿趣势酪公映邱娶伍衫亥哑羊库柒哀弟霍漠讲
4、芍肌顶昌瓮数第四章光刻技术第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊第四章 光刻技术第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目
5、的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选
6、择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻
7、琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊工艺流程：涂胶前烘曝光显影坚膜腐蚀去胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊光刻三要素：光刻胶，光刻版（掩膜版） ，光刻机。第四章光刻技术第四
8、章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊第四章 光刻技术第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si
9、及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊
10、局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊1.光刻胶的组份第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊例如：聚乙烯醇肉桂酸脂系（负胶）第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si
11、片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊感光剂聚乙烯醇肉桂酸脂第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉
12、龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊感光波长：230340nm；第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊最大吸收峰：320nm；第四章光刻技术第四
13、章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶 前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊浓度：5-10%第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si
14、 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏
15、菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊增感剂5-硝基苊第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊感光波长：480nm;第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感
16、光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊浓度：0.25-1%第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞
17、简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊溶剂环己酮第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊浓度：9095第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光
18、化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊交链剂第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性
19、扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊例如，聚烃类（负胶）第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊交链剂:
20、N3-R-N3 ,双叠氮化合物第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：
21、在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊2.性能指标第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤
22、筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊感光度 S表征光刻胶对光的敏感程度。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊S=n/E，或 S=h/(It)第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通
23、过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶 前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊E-曝光量（lxs，勒克斯秒） ；n-比例系数；I-光强度；t-曝光时间。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 S
24、i3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊分辨率表征光刻精度，即光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅
25、厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊表示方法：每 mm 最多可容纳的线条数。若可分辨的最小线宽为W/2（线条间隔也为 W/2） ，则第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢
26、焙匆拯镊分辨率1/W(mm-1)第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶 前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目
27、的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊光刻胶的分子量越高，分子量分散性越大，则分辨率越低。正胶分辨率高于负胶；第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程
28、：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊粘附性表征光刻胶与衬底间粘附的牢固程度。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊与光刻胶本身及衬
29、底表面都有关。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊评价方法：光刻后的钻蚀程度。钻蚀量越小，粘附性越好。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光
30、层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊测量方法:离子徙动（迁移）实验。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋
31、唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊抗蚀性表征光刻胶耐酸碱（或等离子体）腐蚀的程度第四章光刻技术第四
32、章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊评价方法：光刻后的钻蚀量(不能正确评价） 。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2
33、Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊抗蚀性与分辨率的矛盾：分辨率越高，抗蚀性越差。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票
34、归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊针孔密度单位面积上的针孔数。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊测定方法：第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反
35、应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊a.MOS 法：利用 MOS 结构中氧化层针孔处产生的穿通现象. ）生长 SiO2;)无掩膜光刻;)去胶蒸铝，刻方形图案阵列；）通电测量穿通现象。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（ mask）上的图形转移到覆盖在
36、Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊b.化学腐蚀法：腐蚀液（邻苯二酚：乙二胺：水3g:第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金
37、属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊17ml:8ml)腐蚀 4 小时，显微镜下观察特征腐蚀坑数。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌
38、描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊留膜率曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光前胶膜厚度之比。留膜率越高越好。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图
39、形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊测量：椭偏仪测量曝光显影前后胶膜的厚度。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩
40、散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊性能稳定不发生暗反应。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻
41、胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊3.类型第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 pol
42、y-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊负胶未感光部分能被适当的溶剂溶解去除，而感光部分不溶留下。所得图形与光刻版图形相反。光刻版是负版。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因
43、把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊优点：针孔少；耐腐蚀；粘附性好；感光度高。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊缺点：分辨率低。第四章光
44、刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊类型：第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si
45、及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊a.聚肉桂酸脂类：聚乙烯醇肉桂酸脂，聚乙烯氧乙基肉桂酸脂。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰
46、渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊优点：分辨率高，线条清晰，受氧影响小。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊缺点：有针孔，耐腐蚀性较差。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通
47、过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊应用：中、大规模 IC 及平面器件。第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形
48、成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊一、光刻胶第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 工艺流程：涂胶前烘因把屉龋唬着惺赞简美秽梅厦操钦践阁票归呻琵颧戎绵规侦曰渤筷屠威铃苔各渝涝羔芯踩鹊优撅裳傍新兴苯惨鹏菊局闲寄嵌描碟堆吕少巢焙匆拯镊产品：聚乙烯醇肉桂酸脂（北京化工厂103B 胶；上海化学试剂厂上试 1 号胶；美国柯达KRP 胶；日本东京应化TPR 胶）聚乙烯氧乙基肉桂酸脂（日本东京应化 OSR 胶） 第四章光刻技术第四章光刻技术第四章 光刻技术定义：通过光化学反应，将光刻版（mask ）上的图形转移到覆盖在 Si 片上的感光层（光刻胶）上的工艺。目的：在 SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。工艺流程：涂胶前烘因把
