1、GLOBALFOUNDRIES 推出全新的12nmFinFET 技术;增强下一代汽车电子 戴朝典 GLOBALFOUNDRIES (GF) 计划推出一款全新的 12nm 领先性能 (ILLP) Fin FET (鳍式场效应晶体管) 半导体制造工艺, 该技术有望为 GF 当代的 14nm Finfet产品提供更好的密度和性能提升, 满足从人工智能和虚拟现实到高端智能手机和网络基础设施的最苛刻的计算密集型应用的处理要求。该新的 12LP 技术在电路密度方面提供了 15%的提升, 并将当前市场上的超过16/14nm Fin FET 解决方案性能提高了 10% 以上, 这使得 12LP 能够与其他12
2、nm Fin FET 铸造产品充分竞争。该技术利用 GF 在美国纽约州萨拉托加县Fab8 的专长, 其 14nm Fin FET 平台自 2016 年初开始量产。世界正在前所未有地过渡到一个相互联系的情报时代, 这种新的 12LP 技术提供了必要的性能和密度改进, 以帮助我们的客户在系统级别上继续创新, 因为它们可以从高端图形和汽车到工业应用程序提供实时连接和边缘处理。GF CEO sanjay Jha除了晶体管级别增强之外, 12LP 平台还将包括专为汽车电子和 RF/模拟应用而设计的新的以市场为中心的功能业内增长最快的领域之一。在车辆安全和自动驾驶中的新兴汽车应用需要组合处理能力和极高的可
3、靠性, 12LP 平台在 2017 年第四季度计划提供 Fab8 汽车二级认证。一个新的 RF 产品扩展了 12LP 平台, 用于 RF/模拟应用如在 6GHz 以下无线网络中的优质收发器。12LP 为 RF 芯片架构提供了逻辑和存储器中最佳的缩放, 主要是数字化及较少的 RF/模拟内容。GF 的新型 12nm Fin FET 技术补充了其现有的 12nm FD-SOI 产品 12FDXTM, 虽然一些应用需要 Fin FET 晶体管的无与伦比的性能, 但许多连接器件需要高集成度和更高的性能与功耗灵活性, Fin FET 在成本上无法实现。12FDX 为下一代连接的智能系统提供了一条替代路径, 能够实现 10nm Fin FET 的性能, 具有比当代 Fin FET 产品更好的功耗, 更低的成本和更好的 RF 集成。
