1、一、硼扩散工艺原理（液态源）目前，液态源硼扩散常用：硼酸三甲酯 B(CH3O)3，硼酸三丙酯，三溴化硼 B(B2)3，无水硼酸三甲酯 B(CH3O)3，为无色透明液体，在室温下挥发形成，具有较高真气压，硼酸三甲酯遇水易分解，升成硼酸和甲醇。B（CH3O）+ 3H2O=H3BO3 + 3（CH3OH）B（CH3O）500以上 B2O3 + CO2 + H2O + C2B2O3 + 3Si = 3SiO2 + 4B硼酸三甲酯在高温（500以上）能够分解出三氧化二硼（B2O3） ，而三氧化二硼在 900左右又能与硅片起反应，生成硼原子，并沉积在硅片表面，这就是预沉积过程；沉积后在基区窗口表面上生成具
2、有色彩的硼硅玻璃。二、硼扩散装置：硼再分布：当炉温升到预定温度（1180以后）通干 O2 20 分钟，排除管道内空气，同时加热水浴瓶，是水浴温度达到设定温度值 950，一切就绪后，即可将正片和陪片一起装入石英舟推入炉子恒温区，先通 5 分钟干氧，在改通 30 分钟湿氧，最后通 5 分钟干氧，时间到即可把硅片拉出石英管，倒在铜块上淬火，防止慢降温时，金从硅体中析出。一、磷扩散工艺原理5POCl3 600 3PCl5 + P2O52P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P4PCl5+5O2 过量 O2 2P2O5+6Cl24PCl3+3O2 过量 O2 2P2O5+6Cl2磷预沉积时，一般通
3、 N2 为 2080ml/ 分，O2 为 2040ml/分，O2 可通过，也可不通过源。二、磷扩散装置磷扩散源 POCl3 是无色透明有窒息性气味的毒性液体，要求扩散系统密封性好，源瓶进出口两端最好用聚四氟乙烯或聚氯乙烯管道连接。若用其他塑料管或乳胶管连接易被腐蚀，就需要经常更换。接口处最好用封口胶，由系统流出气体应通过排风管排到室外，不要泄漏在室内。源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶。因为三氯氧磷吸水汽而变质，做扩散温度上不去。2POCl3+3H2O=P2O5+5HCl发现三氟氧磷出现淡黄色就不能使用。一、磷沉积工艺条件：炉温：1050气体流量：小 N2 为 2080ml/ 分 小 O2 为
4、 2040ml/分 大 N2 为 500ml/分源温：0二、磷再分布工艺条件：炉温：9501000 O2 流量：500ml/ 分 水温： 95三、高温短时间磷扩散：1、磷预沉积：炉温：1200 扩散源：POCl3 大 N2 流量 300ml/分小 N2 流量：70ml/分 O2 流量：85ml/分 扩散时间：45 分钟（通源）+3 分钟（关源）2、磷再分布（三次氧化）炉温：900 O2 流量： 500ml/分氧化时间：15 分（湿 O2）+10 分（干 O2）四、HCl 抛光：当炉温 1180时，HCl/N2=1.1%，N2 流量为 400ml/分情况下，抛光 30 分钟。五、磷合金工艺文件：
5、合金温度：500570，合金时间：1020 分钟。（例如：在 550下通源 5 分钟，通 N210 分钟）六、箱法锑扩散：（双极型半导体集成电路）配源：Sb2O3：SiO2=1：41、硅片清洗 2、配源 3、源脱水：将配好的源平铺在石英箱底上，盖上石英盖（不得盖得很紧，留点缝口，这样可减少合金点）放在炉口预热 5 分钟，推入恒温区脱水 20 分钟（炉温：1220 气体流量：1000ml/分+普 N2300ml/分） 4、装置5、扩散：炉温为 1200，气体流量同上，炉温稳定后，把装好的石英箱放在炉口预热 5 分钟，再推入恒温区扩散 2.5 小时，到时通干 O25 分钟，再把石英箱拉至炉口冷却，
6、当温度降到室温时，取出硅片。 七、固态氮化硼扩散：炉温：1050 O2 流量： 300ml/分氮化硼源制备固态氮化硼制备1、氮化硼活化与试片：炉温：950 通 O2 气 30 分钟2、基区硼预沉积：炉温：960 N2 流量： 500ml/分 沉积时间：30 分钟3、基区硼再分布：炉温：1140 水浴温度：95 O2 ：500ml/ 分再分布时间：7 分钟（干 O2）+30 分钟（湿 O2）+20 分钟（干 O2）八、固固扩散：九、磷扩散：1、烧结：小功率晶体管：银浆烧结工艺烧结石英管一般通 N2 保护,或抽真空 10-210-3 托。装好片的底座，放在钼舟上推入石英管，先在炉口预烧数分钟，去除
7、银浆中气泡，然后推入恒温区，温度为350400，时间约 20 分钟，然后慢慢降温取出。2、金锡合金烧结：通 H2 或抽真空 10-3 托，烧结温度为：420 450，恒温 20 分钟，拉至炉口自然冷却，金硅低于其熔点 370，烧结温度冷却反应高于此。3、焊接引线：铝丝退火一般在 H2 或真空中进行，而金丝在高纯 N2 或真空中退火，退火温度为400450，恒温 1520 分钟，自然冷却。4、封装：晶体封装：玻璃管壳封装、金属管壳封装和塑料封装。金属壳密封用电焊法和冷焊法（电焊法用点焊机焊）5、集成电路封装：分为金属封装、塑料封装、陶瓷玻璃封装（烘箱中） 、陶瓷金属封装。6、氮化硅薄膜制备：化学气相淀积（CVD 法） 、辉光放电法、反应溅射法。
