1、电子知识有机 EL，是(Organic Electro-Luminescence：OEL、有机EL)的简称，意思是有机发光的电子版。定义虽然很笼统，但是包含范围非常广，比如有机发光二极管，发光聚合物等等利用物理发光现象的所有有机物的统称。其原理跟 LED 大致相同，只不过使用的是具有二极管功能的有机化合物。所以，简单的说二者的区别：有机 EL 的发明及发光原理现在，主流有机 EL 技术是由美国大手胶卷企业柯达的郑青云(STeven Van Slyke )于 19 年研究发现的。有机 EL 的发光原理有机 EL 的发光原理跟 LED 极为相似，都是在材料的阴极和阳极加入电压后，两极之间产生可以移
2、动的电子和阳子。电子和阳子由于受到电场作用，分别向阳极和阴极移动，离开两极，在复合材料的中间层(发光层)结合。电子和阳子结合是产生的能量使材料的最外层电子被激发，跨越到外一层电子轨道。由于只是激发，最外层电子轨道不稳定，最外层电子马上又会回到原来的轨道，这样就会把过剩的能量以光的形式释放出来。从这一点看，有机 EL 和 LED 是一样的。只不过，有机 EL 的材质是复合材料，即多种材料薄膜化叠加在一起。阴极材料为容易释放电子的金属，多为铝，银镁合金，钙等金属薄膜;阳极为能释放阳子的氧化物，例如 ITO，一种透明金属氧化薄膜。发光材料及生成方法有机 EL 的主要部分就是发光材料层，经过多次试验验
3、证，发光材料大致分为高分子化合物和低分子化合物两大类。低分子发光材料主要有荧光材料和磷光材料。荧光材料很容易产生三原色(红绿蓝)，另外价格，寿命，加工都非常方便，是一种首选的低分子发光材料。磷光材料的发光效率比荧光材料要高很多，但是伴随电流增加导致的发光效率降低，寿命不高，提纯难以及蓝色光谱不全等方面还不及荧光材料，还有待于研究发展。跟高分子发光材料相比，低分子发光材料的最大问题就是加工制作困难。特别是无法应付于大面积的生产。由于材料都是以薄膜形式附着于玻璃或者透明聚合物表面上的，高分子的薄膜技术以及表面处理技术都远远超过低分子。另外高分子发光材料的潜力也非常大，不断的实验研究，也会有很多新型
4、材料诞生。由于有机 EL 薄，轻的重要特点，决定了它的材料必须要通过薄膜处理附着在基板上。这就需要用到表面处理技术。在日本，薄膜技术以及表面处理技术的核心掌握在大手的印刷企业里(大日本印刷，凸版印刷等等)。通过 CVD,PVD 等薄膜附着方法，可以将各种不同高分子材料附着于基板之上。附着技术的提高，也可以实现大面积有机 EL。IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件
5、格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IB
6、IS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大
7、多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接
8、收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免
9、费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格
10、式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准
11、确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器
12、一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使
13、用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBI
14、S 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是
15、一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一
16、种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电
17、压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 More: 数码万年历 More:s2csfa2IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，
18、非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构
19、化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所
20、有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使
21、用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测
22、最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建
23、模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件
24、工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPI
25、CE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中
26、如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰
27、、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上
28、免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换
29、为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付
30、额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时
31、间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ES
32、D 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。
