1、AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 1 of 21基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理内容列表AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 2 of 21AEC-Q101 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理附录 1: 认证家族的定义附录 2: Q101 设计、构架及认证的证明附录 3: 认证计划附录 4: 数据表示格式附录 5: 最小参数测试要求附录 6: 邦线测试的塑封开启附录 7: AEC-Q101 与健壮性验证关系指南附件AEC-Q101
2、-001: 人体模式静电放电测试AEC-Q101-002: 人体模式静电放电测试 (废止)AEC-Q101-003: 邦线切应力测试AEC-Q101-004: 同步性测试方法AEC-Q101-005: 静电放电试验 带电器件模型AEC-Q101-006: 12V 系统灵敏功率设备的短路可靠性描述感谢AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 3 of 21任何涉及到复杂的技术文件都来自于各个方面的经验和技能。为此汽车电子委员会由衷承认并感谢以下对该版文件有重大贡献的人：固定会员: Rick Forster Continenta
3、l Corporation Mark A. Kelly Delphi Corporation Drew Hoffman Gentex Corporation Steve Sibrel Harman Gary Fisher Johnson Controls Eric Honosowetz Lear Corporation 技术成员: James Molyneaux Analog Devices Joe Fazio Fairchild Semiconductor Nick Lycoudes Freescale Werner Kanert Infineon Scott Daniels Interna
4、tional Rectifier Mike Buzinski Microchip Bob Knoell NXP Semiconductors Zhongning Liang NXP Semiconductors Mark Gabrielle ON Semiconductor Tom Siegel Renesas Technology Tony Walsh Renesas Technology Bassel Atallah STMicroelectronics Arthur Chiang Vishay Ted Krueger Q101 Team LeaderVishay 其他支持者: John
5、Schlais Continental Corporation John Timms Continental Corporation Dennis L. Cerney International Rectifier Rene Rongen NXP Semiconductors Thomas Hough Renesas Technology Thomas Stich Renesas Technology 本文件是专门的纪念：Ted Krueger (1955-2013)Mark Gabrielle (1957-2013)注意事项AEC 文件中的材料都是经过 AEC 技术委员会准备、评估和批准的。
6、 AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 4 of 21AEC 文件是为了服务于汽车电子工业，无论其标准是用在国内还是国际上，都可排除器件制造商和采购商之间方面的不一致性，推动产品的提高和可交换性，还能帮助采购商在最小的时间耽搁内选择和获得那些非 AEC 成员的合适的产品。AEC 文件并不关注其采纳的内容是否涉及到专利、文章、材料或工艺。AEC 没有认为对专利拥有者承担责任，也没有认为要对任何采用 AEC 文件者承担义务。汽车电子系统制造商的观点主要是 AEC 文件里的信息能为产品的说明和应用提供一种很完美的方法。如果所陈
7、述的要求在本文件中不存在，就不能声称与本文件具有一致性。与 AEC 相关文件的疑问、评论和建议请登录链接 AEC 技术委员会网站http:/。本文件由汽车电子委员会出版。此文件可以免费下载，但是 AEC 拥有版权。由于该下载方式，个人需同意不会对该文件索价或转售。在美国印制所有權限保留版权2013 属于汽车电子协会。本文件可自由转载,但未经 AEC 技术委员许可，本文件禁止任何修改。基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 5 of 21下列划线部分标示了与上版文件的增加内容和区别，几
8、个图表也作了相应的修正，但是这几处的更改并没有加下划线强调。除非这里另有说明，无论新认证或重认证，此标准的生效日期同上面的发布日期。1.范围本文件包含了离散半导体元件（如晶体管，二极管等）最低应力测试要求的定义和参考测试条件.使用本文件并不是要解除供应商对自己内部认证项目的责任性，此外此文件并不解除供应商满足本文件范围外的任何文件需求。其中的使用者被定义为所有按照规格书使用其认证器件的客户，客户有责任去证实确认所有的认证数据与本文件相一致。1.1 目的此規範的目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。1.2 参考文件目前参考文件的修订将随认证计划协议
9、的日期而受到影响，后续认证计划将会自动采用这些参考文件的更新修订版。1.2.1 军用级MIL-STD -750 半导体元件测试方式1.2.2 工业级UL-STD-94 器件和器具中塑料材质零件的易燃性测试JEDEC JESD-22 封装器件可靠性测试J-STD-002 元件引线、端子、挂耳、电线可焊性测试J-STD-020 塑性材料集成电路表面贴封器件的湿度/回流焊敏感性分类等级JESD22-A113 密封表面贴装器件在可靠性实验前预处理J-STD-035 密封表面贴装器件声显微镜1.2.3 汽车业AEC-Q001 零件平均测试指南AEC-Q005 无铅测试要求AEC-Q101-001 ESD
10、（人体模型）AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 6 of 21AEC-Q101-003 邦线切应力测试AEC-Q101-004 同步性测试方法钳位感应开关電介质完整性破坏性物理分析AEC-Q101-005 ESD（带电器件模型）AEC-Q101-006 12V 系统灵敏功率设备的短路可靠性描述1.2.4 其他QS-9000 ISO-TS-169491.2.5 废止AEC-Q101-002: 人体模式静电放电测试 (廢止)由于过时从 JEDEC 中删除。HBM 和 CDM 涵盖几乎所有已知的 ESD 失效机理。1.3 定
11、义1.3.1 AEC Q101 认证如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果，那么将允许供应商声称他们的零件通过了 AEC Q101 认证。供应商可以与客户协商，可以在样品量和条件的认证上比文件要求的要放宽些，但是只有完成所有要求时候才能认为該器件通过了 AEC-Q101 认证。如静电放电,承受电压在任何一个供應商的帶 Pin 元件数据表中都要註明，該要求被高度推薦.但允许供应商作出聲明，例如，“AEC-Q101 qualified to ESD H1B”，这意味着除 AEC ESD 外，供应商通过了所有的测试。请注意，即使合格的器件 AEC 也不会颁发證書.根據本規範,离散半导体的最低温度
12、的范围应为-40 +125，所有 LED 的最小的范围应为 40到 85。（注：某些器件最高溫度可能降到零）1.3.2 应用承认承认被定义为客户同意在他们的应用中使用某零件，但客户承认的方式已经超出了本文件的范围1.3.3 术语在本文中，“器件”是指“設備”或“组件”，如，單個二极管，晶体管，电阻等芯片封裝在塑膠模中並有連接到板端的引線.2 通用要求AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 7 of 212.1 优先要求当该标准中的要求与其他文件相冲突时，可采用以下优先顺序：。a、采购订单 b、個人同意的器件規範 c、本文件
13、标准 d、本文件的 1.2 节中的参考文件e、供应商的数据规格 本規範認為合格的器件,其採購訂單或特殊器件規格不能免除和偏離本文件的要求.2.2 满足认证和重新认证要求的通用数据的使用使用通用数据来简化认证过程非常值得提倡，需要考虑到的是，通用数据必须基于一系列特殊要求:a. 表 2 中器件认证要求.b. 表 3 与每个零件的特性相关的具体要求矩阵和制造工艺c. 附录 1 中的认证家族定义.d. 有代表性的随机样本附录 1 定义了标准，通过它各个成员可以组成这个认证家族，为的是所有家族成员的数据对于质疑的器件认证都能是均等的和普遍接受的。当关注这些认证家族的指导原则，就能够积累起适用于该家族其
14、他器件的信息。这些信息能够用来证实一个器件家族的通用可靠性并使特殊器件认证测试项目的需要减少到最低，这可以通过以下途径可以实现：认证和监测认证家族中最复杂的器件（例如高/低电压、极大/极小晶片），对后来加入此认证家族不太复杂的器件应用这些信息数据。通用数据的来源应该是供应商经过鉴定的测试实验室，它包括内部供应商认证，客戶特殊认证，以及供应商过程监控。提交的通用数据必须达到或超过表 2 中列出的测试条件。表 1 提供的指南,表明部分合适的测试数据可用于减少很多认证要求. 特殊用户器件必须完成电气特性测试，通用性能数据在认证呈报时是不允许的。使用者有最终权接受通用数据来代替测试数据。表 1 零件认
15、证和重新认证的批次要求AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 8 of 21零件信息 批次认证要求新器件,未使用通用数据 表 2 要求的批次和样品量某认证家族的零件需要经过认证的，要认证的零件不能过复杂，能符合附录 1 中认证家族的定义仅要求 4.2 节中定义的器件特殊测试，批次和样品量须根据表 2 中测试要求具有可通用数据的新零件 参考附录 1 来决定表 2 中要求的相应测试，批次和样品量须根据表 2 中的测试要求零件加工工艺改变 参考表 3 来决定需要表 2 中何种测试，批次和样品量须根据表 2 中测试要求表 2 定义
16、了一组认证测试,须考虑新器件认证和设计或过程变化的重认证表 3 描述了一组必须考虑到器件有任何改变的认证测试，其中的矩阵图也同样描述了与制程改变相关的新工艺制程和重新认证。该表是一个测试总括，使用者应将其作一个基本准则来讨论那些存在疑问需要认证的测试。供应商有责任介绍为什么某些被推荐的测试不须要进行的基本原理。 2.4 測試樣品2.4.1. 批次要求 批次要求在表 2 中有定義2.4.2 生产要求所有认证器件都应在制造场所加工处理，有助于量产时零件的传输2.4.3 测试样品的再利用性已被用于非破坏性测试的器件还可用来进行其它认证测试。已被用于破坏性认证的器件，除工程分析外,不得再作他用。2.4
17、.4 样品量要求样本用于测试和/或通用数据的提交必须符合指定的最小样品量和表 2 中的验收标准。如果供应商选择使用通用数据来认证,则特殊的测试条件和结果必须记录.现有适用的通用数据应该首先被用来满足表 2 中的每个测试要求和 2.3 节中这些要求。如果通用数据不能满足这些要求,应进行器件特定的认证测试.AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 9 of 21供应商必须执行待认证的特定器件或可接受的通用器件的任何组合，数量不少于 3 批次x 77 片/批次.2.4.5 通用数据接受的时间限制只要从初始认证的所有可靠性数据被呈交
18、给客户评估起，通用数据的可接受性就不存在时间上的限制，以下图表可作为可靠性数据的合适来源,此数据必须取自按照附录 1 定义的特殊器件或同样认证家族中的器件，包括任何客户的特殊数据（如果客户非 AEC，保留客户的名字）,制程认证改变，周期可靠性监控数据（见图 1）注：一些制程改变（如元件缩小化）将会影响通用数据的使用，以至于这些改变之前得到的数据就不能作为通用数据接受使用。图 1 通用数据时间进程注：一些制程改变（如元件缩小化）将会影响通用数据的使用，以至于这些改变之前得到的数据就不能作为通用数据接受使用。2.4.6 预前应力测试和应力后测试要求所有的预前应力测试和应力后测试都必须在室温条件下,
19、根据用户器件详细规范定义的电气特性来进行。客戶#1特殊認證證 製程改變認證 客戶#2特殊認證製程改變認證內部器件描述 供應商內部認證 製程改變認證 週期可靠性監控測試認證數據+製程改變認證數據+可靠性監測數據=可接受的通用數據過去 現在 AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 10 of 212.5 应力测试失效后的定义有以下任一表现的器件即定义为测试失效:a.器件不符合用户的元件规范定义的电气测试限制或合适的供应商通用规范。最小测试参数要求在附录 5 中有规定。b.器件測試數據在完成環境測試後不能保持在初始讀數 20%偏
20、差內(超出漏電極限的數值在濕度測試時不超過出初始讀數的 10 倍,其它測試不超過初始讀數的 5 倍).器件超出規範必須修改並得到客戶核準.如漏電低于 100nA, 測試機精度可能阻止後應力測試。c.任何由于环境测试导致的外部物理破坏2.6 通过重新认证的标准通过所有表 1 中所指定适当的认证测试，或执行特殊器件测试（接受使用指定的最小样本的零缺陷）或可接受的通用数据（采用附录 1 中认证家族定义的数据、批次和样本尺寸需求量）来进行认证.若器件沒有通過本文件要求的認證測試,供應商必須找出失效原因並採取糾正措施,以確保客戶端的用户的失效机理都能預見並包含其中.在失效根源找到和矯正預防措施取得成效之
21、前,不能認為該器件通過應力測試認證. 要求用新樣品或數據來驗證矯正措施.如果通用數據包含所有失效,該數據就不能稱之為通用數據,除非供應商形成文件的糾正措施或失效條件集.客戶要求的和在本文件中沒規定的任何獨立的可靠性測試或條件,都應在供應商和客戶要求的測試中達成共識, 且不影響器件通過本文件定義的內應力測試.2.7 替代性測試要求與表 2 中列出的測試要求和條件的任何偏差都超出了本文件的範圍.偏差(如加速測試方法)應陳述給 AEC 審議並納入本文件的後續版本.3.认证和重新认证3.1 新器件认证 表 2 描述了新器件认证的应力测试要求和相关条件。对于每个认证，无论是特殊器件的应力测试结果还是可接
22、受的通用数据，供应商都必须有这些所有的数据。复审也应由同类家族的器件构成，以确保在这个家族中没有存在普遍的失效机理。无论何时认为通用数据的可用性，都要得到供应商的论证和使用者的核准。对每个器件的认证，供应商须出示设计、生产、认证的证书给有需求的用户。AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 11 of 213.2 器件變更后的重新认证 当供应商对产品或（和）制程作出了改变，从而影响了（或潜在影响）器件的外形、安装、功能、质量和（或）可靠性时（见表 3 的指导原则），该器件就需要重新认证。 3.2.1 制程改变须知供应商将会满
23、足双方商定对产品/制程改变的要求。3.2.2 需要重新认证的變更 根据附录 1 描述的，产品任何最小的變更，都要用表 3 来决定重新认证的测试计划，需要进行表 2 中列出的可适用的测试。表 3 应该作为一种指导，用以决定哪种测试可以用来作为特殊器件改变的认证，或者对于那些测试，是否相当于通用数据来提交。3.2.3 通过重新认证的标准 所有重新认证都应分析根本原因，根据需要确定纠正的和预防性的行动。如果最低程度的适当的遏止方式得到了使用者的论证和承认，器件和（或）认证家族可以暂被承认为“认证状态”，一直到有适当纠正的和预防性的行动为止。 3.2.4 使用者承认 一种變更可能不会影响器件的工作温度
24、等级，但是会影响其应用时的性能。制程改变更独的授权许可应基于供应商和用户的相互沟通，而许可方式则超出了本文件的范围。3.3 认证测试计划在作出新器件供应商选择后，供应商要求启动与每个用户的讨论（如需要），尽快完成签署认证測試方案协议,该通知时间（章节 3.2.2）应早于制程变化。附录 3 中规定的认证测试计划，应当提供文件支持的一致方法，表 2 和表 3 将展示测试要求.4.认证测试 4.1 通用测试测试细节如表 2 所示，并不是所有测试都适用于一切器件，例如某些测试只适用于密封封装件，其他测试只适用于 MOS 电场效应晶体管等等。表 2 的注释栏中指定了适用于特殊器件类型的测试。表 2 的“
25、附加要求”栏中也提供了重点测试要求，取代了参考测试的那些要求。4.2 器件特殊测试 AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 12 of 21对于所特殊器件，必须进行以下测试（通用数据不允许用在这些测试上）：静电放电特性 (表 2, 測試項目#11)参数验证(表 2, 測試項目#4)供应商必须证明器件能够满足特定用户零件规格定义的参数限制4.3 数据提交类型提交给用户的数据可分为 3 类（表 2 中的数据类型列）4.3.1 一类数据这些测试数据（通用或特殊）应以章节 4.4 中定义的格式，且包含在認證呈報中。4.3.2 二类
26、数据封装具体数据不应在认证呈報中（除非是新封装）。为替代这部分数据，供应商可以参考先前成功执行的、没明显改变的特定测试，提交一份“竣工文件”。如测试# 14（物理尺寸），竣工文件应参考适当的用户封装规范来完成。4.3.3 三類數據如表 3 要求,重認證的數據應包含在認證呈報中，為新器件認證(包括新封裝)和(或)製成改變提供理論支持,在重認證計劃開發階段,供應商就應考慮這些測試.為什麼要進行這些測試,供應商應負責提供理論依據.4.4 數據提交格式附錄 4 中規定了應提交的數據概要4.4 数据提交格式如附录 4 中规定，应提交数据汇总, 原始数据和直方图的提交根据个人用户的要求。所有的数据和文件(
27、包括无过失的不完美实验)供应商应加以维护,以保持符合 QS-9000 和/或 TS16949 的要求。4.5 无铅测试的要求供应商应遵循 AEC-Q005 无铅测试要求,所有元件引线和端子的镀层的含铅量应小于1000ppm.AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 13 of 21表 2-認證測試方法# 應力方式 簡稱 數據類型 備註 樣品數/批 批數 接受標准 參考文件 附加要求1 應力測試前後功能/參數 TEST 1 NG 所有認證器件的測試依適用的器件規範要求 0 缺陷 客戶規範或供應商標準規範 此測試依據適用的應力參
28、考並在室溫下進行2 預處理 PC 1 GS 帖片元件在進行#7,8,9,10 測試前要進行預處理 0 缺陷 JESD22A-113僅適用表面貼片元件,在進行#7,8,9,10 測試前進行,且在預處理前後都要進行應力測試,任何替代元件都要做報備3 目檢 EV 1 NG 所有認證器件都要進行外觀檢驗 0 缺陷 JESD22B-101 檢檢器件結構、標識、工藝4 參數驗證 PV 1 NG 25 3備註 A 0 缺陷 個別 AEC 客戶規範 在器件溫度範圍內根據客戶規範測試所有參數,以確保符合規範5 高溫反向偏壓 HTRB 1 CDGKUVPX 77 3備註 B 0 缺陷 MIL-STD-750-1M
29、1038 方法 A1000 小時, 最高直流反向額定電壓, 溫度接點參考客戶/供應商規範.周圍環境溫度 TA 要根據漏電損耗做調整.在 HTRB 前後都要進行應力測試.( 參考備註 X HTRB).將在 2014.04.01 或之前執行5a 交流阻斷電壓 ACBV 1 CDGUPY 77 3備註 B 0 缺陷 MIL-STD-750-1M1040 測試條件 A1000 小時, 最高交流阻斷電壓, 溫度接點參考客戶/供應商規範.周圍環境溫度 TA 要根據漏電損耗做調整.在ACBV 前後都要進行應力測試.(參考備註 X HTRB).5b 高溫正向偏壓 HTFB 1 DGUZ 77 3備註 B 0
30、缺陷 JESD22A-108 1000 小時, 最高正向額定電壓. 在 HTFB 前後都要進行應力測試5c 穩態操作 SSOP 1 CDGUO 77 3備註 B 0 缺陷MIL-STD-750-1M1038 條件B (齊納二極管)1000 小時, 最高額定 IZ.TA 設定同額定的 TJ,在穩態操作前後都要進行應力測試AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 14 of 21表 2-認證測試方法(續)# 應力方式 簡稱 數據類型 備註 樣品數/批 批數 接受標准 參考文件 附加要求6 高溫柵偏壓 HTGB 1 CDGMUP
31、77 3備註 B 0 缺陷 JESD22A-108在指定的 TJ 下 1000 小時,柵極偏置在元件關閉時最大額定電壓的 100%, TJ 增加 25C 時,循環次數可以減至 500 小時 , HTGB 前後都 要測試應力7 溫度循環 TC 1 DGU 77 3備註 B 0 缺陷JESD22A-104附錄 61000 次(-55C 至最高額定溫度,不超過 150C),如果Ta(最大)=最高額定溫度+25C 時 (或當最高額定溫度150C 時,使用 175C),循環次數可以減少至 400 次.TC 前後都 要測試應力7a 溫度循環熱實驗 TCHT 1 DGU1 77 3備註 B 0 缺陷JESD
32、22A-104附錄 6在 TC 後 125C 測試應力,然後 decap、檢驗、線拉力(根據附錄 6,內部焊線直徑小於或等於 5mil 同時拉 5個元件的所有線 ),樣品可以是#7 測試樣品的子集將在 2014.04.01 或之前執行7aalt 溫度循環分層測試 TCDT 1 DGU1 773備註 B 0 缺陷JESD22A-104附錄 6J-STD-035TC 後 100% C-SAM 檢驗, 然後 decap、線拉力(根據附錄 6,同時拉 5 個高分層元件的所有線 ),如果 C-SAM無分層,無開蓋/ 溶膠, 則檢驗和線拉力是必須要求做的.將在 2014.04.01 或之前執行7b 邦線牢
33、固性 WBI 3 DGUF 5 3備註 B 0 缺陷 MIL-STD-750方法 2037500 小時 ,Ta=不同焊接金屬最高額定 Tj(如 Au/Al),然後 decap、線拉力 (最多 5 個元件的所有線).將在 2014.04.01 或之前執行8 無偏高加速度應力 UHAST 1 CDGU 77 3備註 B 0 缺陷 JESD22A-118 96 小時 , TA=130C/85%RH. 前後都要測應力8alt 高壓 AC 1CDGU 773備註 B 0 缺陷JESD22A-10896 小時 , TA = 121C, RH = 100%, 15psig. 前後都測應力AEC - Q101
34、 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 15 of 21表 2-認證測試方法( 續)# 應力方式 簡稱 數據類型 備註 樣品數/批 批數 接受標准 參考文件 附加要求9 高加速度應力測試 HAST 1 CDGUV 77 3備註 B 0 缺陷 JESD22A-11096 小時 TA=130C/85%RH 或 264 小時 TA=110C/85%RH 且反向偏壓=80% 額定電壓( 達到室內放電電壓,典型的 42V),HAST 前後測應力9alt 高溫高濕反向偏壓 H3TRB 1DGUV 773備註 B 0 缺陷JESD22A-1011000 小
35、時 TA=85C/85%RH,反向偏壓=80%額擊穿定電壓(達到極限 100V 或室內限定),H3TRB 前後測應力9a 高溫高濕正向偏壓 HTHHB 1 DGUZ 77 3備註 B 0 缺陷 JESD22A-101 1000 小時 TA=85C/85%RH,正向偏壓,HTHHB 前後測應力10 間歇運行壽命 IOL 1 DGTUWP 77 3備註 B 0 缺陷 MIL-STD-750方法 1037測試持續時間如表 2,TA=25C,器件通電以確保 TJ 100C(不要超過絕對最大額定值).IOL 前後測試應力10alt 功率和溫度循環 PTC 1DGTUW 773備註 B 0 缺陷JESD2
36、2A-105如果 IOL 測試中 TJ 100C 達不到,則進行 PTC,測試持續時間如表 2A 要求. 器件通電和室內循環以確保 TJ 100C(不要超過絕對最大額定值).PTC 前後測試應力11 靜電放電特性 ESD1(HBM)2(CDM)DW 30 eachHBM/CDM 1 0 缺陷 AEC-Q101-001AEC-Q101-005 如果封裝不能保持足夠的電荷來進行此實驗,供應商必須文件說明.ESD 前後要測試應力12 破壞性物理分析 DPA 1 DG 2 1備註 B 0 缺陷 AEC-Q101-004章節 4 隨機所取的樣品已成功通過 H3TRB、HAST 100V 应被应用于 TA
37、 的调整，直到达到最大的 TJ 而没有导致器件热失控，电压，TA 和 TJ 应作为测试条件记录在认证计划/报告中Y: 仅适用于晶体闸流管Z：仅适用于 LEDs1: 仅适用于内部封装线直径小于 5mil 的 MOSFET 器件。表 2A 間歇運行壽命(測試項#10)或功率溫度循環(測試項#10alt)的時間要求封装形式 循环次数要求T J 100C循环次数要求T J 125C一次循环时间所有 60,000/(x+y)15,000 次30,000/(x+y)7,500 次最快(最少 2 分钟.on/off) x min. on + y min. off例 1: 一個封裝能承受 2 分鐘開/4 分鐘
38、關 則需要 10,000 次 循環 60,000/(2+4) at TJ 100C 或 5,000 次循環 at TJ 125C例 2: 一個封裝能承受 1 分鐘開/1 分鐘關則需要 15,000 次循環 at TJ 100oC 或 7,500 次循環 at TJ 125oC.X=該器件從周圍的環境溫度達到要求的 TJ 所需要的最少時間.Y=該器件從要求的 TJ 冷卻到周圍的環境溫度所需要的最少時間测试板上的仪器，部件安装和散热方式将影响每个封裝的 x 和 y表 2B 鍍 SnPb 焊端的可焊性要求(測試項#21)焊线形式 测试方法 焊线温度 Steam Age 分类 例外烘干處理插件焊线 A
39、 235C 3 -SMD 标准工艺 B 235C 3 -贴片低温焊锡 B 215C - 4 小时155smd 溶解的金属测试 D 260C 3 -注:請參考 AEC-Q005 無鉛焊接器件的可焊性測試要求AEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 20 of 21表 3 制程變更測試選擇指南說明:字母或表明針對製成變更這些應力測試應該考慮要執行.表 2 測試項 t# 3 4 5/abc 6 7 7ab 8/alt 9/alt/a 10/alt 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
40、25 26 27 28測試名稱變更目檢參數驗證HTRB/ACBV/HTFB/SSOP高溫柵偏壓 溫度循環TCHot/TCDelam/WBI 備註設計晶片厚度 X F晶片直徑 芯片尺寸 E M F佈線 3 E 3 M 場終端 E M 芯片生產芯片來源 9,M R印刷 4 4 6,7 1 P擴散 5,6 5 6 6 6 M PR摻雜/肖特基勢壘 5,0 M R離子注入 5,6 6 6 6 M PR多晶硅 E M P金屬化(頂面) 8 E 金屬化(側面) 鈍化/玻璃鈍化 氧化 7 6 6 E 6,7 外延生長 M R蝕刻 6 4 6,7 6,7 6,7 1,7 8,M 4 背面操作 A生產現場運輸
41、E M AIPRS組裝芯片外被 H 引線框電鍍/無鉛封裝 D C C C D D H D C 2C C 引線框 Matl/來源 H 2 AFX封裝/LF 尺寸 H 邦線 芯片分割 芯片準備/清潔 X芯片粘接 H AX封裝材料 B H AFG封裝過程 B H AG密封 H H H H H H H H H H H 新封裝 B H H H H 測試過程/順序 封裝標識 B 組裝現場運輸 H H AGISXAEC - Q101 - Rev D1September 6, 2013汽車電子委員會 組件技術委員會Page 21 of 21A:聲學顯微B:非激光蝕刻C:僅適用於引線框電鍍變更D: 僅適用於無鉛封裝E:如果適用F:有限元分析G:玻璃化轉換溫度H: 僅適用於密封器件I: 早夭折率M: 僅適用於功率 MOS/IGBTP: CV Plot (MOS only)S: 穩態死亡率X: X-Ray1: 如果焊盤受影響2: 驗證#2 後3: 僅適用於外圍變化4: 僅適用於氧化腐蝕,腐蝕優先於氧化5: 來源或渠道變化6: 場終端變化7: 鈍化變更8: 聯繫變更9:外延變化0: 肖特基勢壘變更
