1、矿物学、岩石学、矿床学专业毕业论文 精品论文 ZnSe 纳米粉体两步法制备及其纳米复合材料的研究关键词：ZnSe 纳米粉体 MAA ZnS 纳米复合材料摘要：ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se
2、、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在 60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不
3、同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe 的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe 纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的 ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH
4、 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。正文内容ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制
5、备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在 60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显
6、微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe 的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe纳米粉
7、体的平均粒径为 4nm，ZnSe 纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的 ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带
8、II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入
9、 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA
10、 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试
11、与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26
12、H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸
13、收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 Z
14、nS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；
15、酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍
16、射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表
17、明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是
18、一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成
19、澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH
20、4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光
21、光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以
22、Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸
23、收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26
24、H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 Z
25、nSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样
26、品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进
27、行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了
28、改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4
29、与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、
30、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外
31、分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结
32、论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe 纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大
33、到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、
34、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉体的光学性能得到了改善。ZnSe 是一种重要的宽禁带 II-VI 族半导体材料，它可应用到蓝绿半导体激光器、发光二极管等光电器件中，是一种具有广泛应用前景的材料，受到了人们的广泛关注。本论文采用水浴、水热结
35、合两步法制备出 ZnSe 纳米粉体；酸性条件下，制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料；并以两步法制备的 ZnSe 纳米粉体为基础，采用水浴回流的方法制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。论中主要内容及结论如下： 1.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，NaOH 为矿化剂，水溶液中，采用水浴和水热结合的两步法制备出 ZnSe 纳米粉体。即在氮气保护条件下，在60水浴条件下 KBH4 与 Se 反应生成澄清溶液，然后加入 ZnNO36H2O 溶液以及 NaOH 溶液形成淡黄色的浊液；将制备的浊液移至高压反应釜中，进行不同温度和时间的水热过程后，得到不同粒径的 ZnSe
36、纳米粉体。制备的样品通过 X 射线衍射和透射电子显微镜进行物相鉴定与形貌观察，发现 ZnSe 粉体均为闪锌矿结构。60水浴条件下制备的样品平均粒径为 34nm，随着水热条件的变化，ZnSe 纳米粉体逐渐增大到几十个 nm；吸收光谱测试中样品吸收肩也出现了相应的不同程度的蓝移。XRD 分析发现 NaOH 的加入可以有效地除掉 ZnO 提高 ZnSe的纯度，并改善样品的分散性。 2.以 Zn(NO3)26H2O、单质 Se、KBH4 为原料，MAA 为包覆剂，酸性条件下，利用两步法制备出 ZnSe/MAA 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 7 天。通过 XRD、TEM、紫外-可见-近红外
37、分光光度计对样品进行了测试与表征，表明 ZnSe 纳米粉体的平均粒径为 4nm，ZnSe纳米晶被 MAA 包覆，形成了 ZnSe/MAA 纳米复合材料。 3.以两步法制备出的ZnSe 纳米粉体为核，以硫脲、Zn(NO3)26H2O 为制备 ZnS 原料，NaOH 为矿化剂，80水浴回流条件下制备出 ZnSe/ZnS 纳米复合材料。样品可以在空气中稳定放置超过 30 天不变色。XRD、TEM、紫外-可见-近红外分光光度计以及发光光谱对样品进行测试与表征证明，在 ZnSe 纳米晶的表面形成了一层晶态和非晶态结合的 ZnS 层(厚约 5nm)，形成 ZnSe/ZnS 纳米复合材料后，ZnSe 纳米粉
38、体的光学性能得到了改善。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstreamendobj2x 滌?U 閩 AZ箾 FTP 鈦X 飼?狛P? 燚?琯嫼 b?袍*甒?颙嫯?4)=r 宵?i?j 彺帖 B3 锝檡骹笪 yLrQ#?0 鯖 l 壛枒l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛渓?擗#?“?# 綫 G 刿#K 芿$?7. 耟?Wa 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 皗 E|?pDb 癳$Fb 癳$Fb癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$F?責鯻 0 橔 C,f 薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵秾腵薍秾腵%?秾腵薍秾腵薍秾腵薍
