微电子器件

1、1tFft微电子器件可靠性习题第一二章 数学基础1微电子器件的可靠性是指产品在 规定条件下 和 规定时间内 ；完成 规定功能 的能力。2产品的可靠度为 Rt失效概率为 Ft，则二者之间的关系式为 RtFt1。3描述微电子器件失效率和时间之间。

2、11若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 ，则室温下该区的平衡多子浓度 pp0 与163A.50cmN平衡少子浓度 np0 分别为 和 。31605.cA 31405.cA2在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带负电荷，N 区一侧带。

3、3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数,本节以 NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。,P,N,N,0,xjC,xjE,NEx,NBx,NC,x,0,xjC,xjE,本节求基区输运系数 的思路,进而求出基区渡越时间,将 E 代入少子。

4、第5章 绝缘栅场效应晶体管,场效应晶体管Field Effect Transistor，FET是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有以下优点, 输入阻抗高； 温度稳定性好。

5、,势垒电容 CT,2.5 PN 结的势垒电容,PN 结电容,扩散电容 CD,本节主要内容：势垒电容形成的机理； 导出突变结线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。,2.5.1 势垒电容的定义当外加电压有 V 的变化时，势垒区宽度发生变化。

6、3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路,推导步骤首先利用电荷控制方程得到 i q 关系，然后再推导出 q v 关系，两者结合即可得到 i v 方程。,本节以均匀基区 NPN 管为例。,并推广到高频小信号,先列出一些推导中要用到的关系式：,。

7、5.9 MOSFET 的结构及发展方向,MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短，目前已经缩短到小于 0.1 m 。这种发展趋势可以用 摩尔定律 来描述，即，MOS 集成电路的集成度每 18 个月翻一番，最小线宽每 6 年下降一半。。

8、,势垒电容 CT,2.5 PN 结的势垒电容,PN 结电容,扩散电容 CD,本节主要内容：势垒电容形成的机理；导出突变结线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。,2.5.1 势垒电容的定义当外加电压有 V 的变化时，势垒区宽度发生变化 。

9、5.8 短沟道效应,当 MOSFET 的沟道长度 L时，分立器件：集成电路：,但是随着 L 的缩短 ，将有一系列在普通 MOSFET 中不明显的现象在短沟道 MOSFET 中变得严重起来，这一系列的现象统称为 短沟道效应 。,5.8.1 小。

10、2.3 准费米能级与大注入效应,平衡时的载流子浓度可表示为,2.3.1 自由能与费米能级在平衡状态时，存在统一的费米能级 EF ，即电子与空穴有相同的费米能级，并且费米能级在半导体内处处相等。,平衡 PN 结的能带图,N区,P区,2.3.2。

11、几种重要的微电子器件,主要内容,薄膜晶体管TFT 光电器件 电荷耦合器件,薄膜晶体管,薄膜晶体管Thin Film Transistor，TFT通常是指利用半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管 非晶硅薄膜晶体管aSi TFT 多晶硅薄膜晶。

12、一填空题1突变 PN 结低掺杂侧的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越 小 ，内建电场的最大值越 大 ，内建电势 Vbi 就越 大 ，反向饱和电流 I0 就越 小 ，势垒电容 CT 就越 大 ，雪崩击穿电压就越 小 。P272在 PN 结的空间。

13、微电子器件实验,考核方式： 1 实验内容学习，2分； 2 实际动手能力，3分； 3 实验报告完成，5分。,实验内容：,1 双极型晶体管特性的测量与分析 2场效应晶体管特性的测量与分析 3晶体管特征频率的测量 4晶体管开关时间的测量,双极晶体。

14、1本课程的授课对象是电子科学与技术微电子技术方向 专业和集成电路设计与集成系统专业的本科生，属于专业方向选修课。本课程的目的是使学生掌握半导体器件基本方程PN 结二极管双极结型晶体管与场效应晶体管的基本理论与主要特点。这些内容都是本领域高级。

15、某硅突变 PN 结的 NA 1.51014 cm3，ND 1.51018 cm3，试求室温下：1平衡时的 pp0 nn0 pn0 和 np0 ；2外加 0.2V 正向电压时的 pnxn 和 npxp ；3内建电势 Vbi 。,测验一,测验二。

16、某硅突变 PN 结的 NA 1.51014 cm3，ND 1.51018 cm3，试求室温下：1平衡时的 pp0 nn0 pn0 和 np0 ；2外加 0.2V 正向电压时的 pnxn 和 npxp ；3内建电势 Vbi 。,测验一,测验二。

17、天津理工大学纳米材料与技术研究中心,第五章：从微电子器件到纳电子器件,天津理工大学纳米材料与技术研究中心, 主导技术：蒸汽机 动力变革，热能机械能 科学基础: 牛顿力学热力学能量转化原理,天津理工大学纳米材料与技术研究中心,第二次产业革命1。

18、微电子器件第 3 版微电子器件第 3 版 首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上，全面系统地介绍pn 结二极管双极结型晶体管bjt和绝缘栅场效应晶体管 mosfet的基本结构基本原理工作特性和 spice 模型。 微电子器件第 3 版 还介。