MOS管参数代换大全

1、常用 BW 系列稳压二极管参数与代换 116 种 常用 BW 系列稳压二极管参数与代换 116 种型 号 最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 型 号 最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 BWA50A 0.25 1 83 2CW50.2CW50B,2CW9 BWB39D 0.5 37 11.5 05W39V,2CW411,GY5-39BWA51A 0.25 2.5 71 2CW51B,2CW7 BWB43D 0.5 40 10.6 05W43VBWA52A 0.25 3.2 55 2CWl1,2CW52,2CW52B BWB47D 0.5 44 9.7 1W46E,1W46G,1W46H,1W46FBWA53 0.25 4.25 41 2CW53B BWB51D 0.5 48 8.9 1W53A,1W53B,1W53C,1W53DBW54/E 0.25 5.5 38 2C。

2、电磁炉用功率管参数及代换 绝缘栅双极晶体管 Iusulated Gate Bipolar Transistor 简称IGBT 是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压 高速大功率器件 技术交流 资料下载 家电资讯 维修者的技术平台V w O R r5y3 H 目前有用不同材料及工艺制作的IGBT 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复。

3、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND （IGBT ） 1200V/25A/TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET ） 500V/20A/277W/0.225 IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81/TO3P FQA13N。

4、三极管代换大全元件型号主要参数VCBOVCEO*-Ic-PCM-PC*-fT-hFE代换型号CG1015-BC205-BC213-BC252-BC308-BC307BC558 30V-0.2A-0.5W-150MBC178-BC559C-CG5C-SC304-BC548-CG120BBC639 80V-1A-0.8W BC489-BC538-BC337-BC640-DK11EBC817 45V-0.8A-0.2W-100M CK10DBC131730V-0.5A-0.4W BC338-BC378-BC738-BC635-DK14ABD241A60V-3A-40W BD243-BD575-BD585-DD64CBD242（C） 45V(100V)-3A-40W BD244-BD576-BD586-CD50ABD435 32V-4A-36W BD185-BD195-BD441-BD436-DD62ABD436 32V-4A-36W BD186-BD196-BD442-BD435-CD50ABD709 80V-10A-60W BD245-BD609-。

5、三极管参数代换表(2SC) 型号 单价 参数 国内外相似替换型号资料2S0680 8.00 - - -2S0765 8.00 - - -2S0880 8.00 - - -3S1265 10.00 - - -3S0765RF15.00 - - -5S12656 30.00 - - -2SC1885 0.20 150V,0.05A ,0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN2SC2336 1.50 180V,1.5A,25W,95MHZ2SC2238A,2SC2238B,2SC2660,2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138,3DA25F NPN2SC3306 3.50500V,10A,100WBUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW132SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC33652SC3842,2DK308C NPN2SC3461 4.00 1100V,8A,140WBU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982,2SD1433NPN2SC。

6、MOS 管参数解释MOS 管介绍在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET 管是 FET 的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或 N 沟道共 4 种类型，一般主要应用的为增强型的 NMOS 管和增强型的 PMOS 管，所以通常提到的就是这两种。这两种增强型 MOS 管，比较常用的是 NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用 NMOS。在 MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管。

7、全系列三极管应用参数和代换大全名 称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管D633 28 NPN音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿9013 21 NPN低频放大 50V 0.5A 0.625W 90129014 21 NPN低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 90159015 21 PNP低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 90149018 21 NPN高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ8050 21 NPN高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 85508550 21 PNP高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 80502N2222 21 NPN通用 60V 0.8A 0.5W 25200NS2N2369 4A NPN开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ2N2907 4A NPN通用 60V 0.6A 0.4W 2670NS2N3。

8、一、 极限参数：ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。VGS ：最大栅源电压。Tj ：最大工作结温。通常为 150 或 175 ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。TSTG ：存储。

9、名 称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管 D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 2。

10、型号 电流 电压 功率IRFP254 23A 250V 200WIRFP260 46A 200V 280WIRFP264 38A 250V 280WIRFP340 10A 400V 180WIRFP250 33A 200V 190WIRFP350 16A 400V 180WIRFP360 23A 400V 280WIRFP450 14A 500V 180WIRFP460 20A 500V 280WIRFP3710IRFu120IRFu9120IRFD110IRFD912050N06 50A 60V60N06 60A 60V70N06 70A 60V75N06 75A 60V75N75 75A 75V80N06 80A60VSSP3N90 3A 900V 25WSSP4N60 4A 600VSSP4N90 4A 900V 140WSSP5N90 5A 900V 150W6N60 6A 600V 125W7N90 7A 900V 150WIXFH12N90 12A 900V 300WIXFH12N100 12A 1000V 300WIXFH13N80 13A 800V 28。

11、Cds漏 源电容Cdu漏衬底电容Cgd栅源电容Cgs漏 源电容Ciss栅短路共源输入电容Coss栅短路共源输出电容Crss栅短路共源反向传输电容D占空比占空系数，外电路参数didt电流上升率外电路参数dvdt电压上升率外电路参数ID漏极电流。

12、三极管参数大全名称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 90129014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 90159015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 90149018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 85508550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 80502N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25200NS2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 2670NS2N3055 12 。

13、三极管参数代换表 三极管参数大全型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W)B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125WBU2508AF 1500V 8A 45W BU2508DF 1500V 8A 45WBU2520AF 1500V 10A 45W BU2520AX 1500V 10A 45WBU2520DF 1500V 10A 45W BU2520DX 1500V 10A 45WBU2522AF 1500V 10A 45W BU2522AX 1500V 10A 45WBU2522DF 1500V 10A 45W BU2522DX 1500V 10A 45WBU2525AF 1500V 12A 45W BU2525AX 1500V 12A 45WBU2527AF 1500V 12A 45W BU2527AX 1500V 12A 45WBU2532AL 1500V 15A 150W BU2532AW 1500V 16A 125WBU2725DX 1700V 12。

14、技术文章 平板电视维修人员的必备知识 MOS 管MOS 管的基本知识 郝铭现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了 PFC 技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的 MOS 管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于 MOS 管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把 MOS 管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。一、什么是 MOS 管MOS 管的英文全称叫 MOSFET(Metal 。

15、实用标准文档文案大全型号 参数 国内外相似替换型号 资料2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN2SC4549,2SD1270,。

16、型号 参数 国内外相似替换型号 资料2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN2SC4549,2SD1270,2SC1832 。