1、电磁炉用功率管参数及代换绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。 |技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台V|wO/R;r5y3_H目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。 |技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台yB h&qG.IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。 pkQ
2、(g$T2MzA N G从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。 【维修者之家】技术论坛|19vo$l a t?Xp)e/WcSFXLD*y|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台IGBT的特点: |技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台K$zR$g&sU7oY(E1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。 |技术交流|资料下nG_DaasB-|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。 2q,X!foojQ$-K| L$
3、 ?7?$mn3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 lM#v(v dK7GxM,Q4y6|cM5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。 |技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台V?B4wvW%o O%R(CaY【维修者之家】技术论坛IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集
4、于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。 |技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台6tw6DMI(1) SGW25N120-西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25时46A,100时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。 z*X5lc?$_!|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台【维修者之家】技术论坛)jtkTUq3|P*zf I(2) SKW25N120-西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25时46A,100时25A,
5、内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。 【维修者之家】技术论坛!2Y M1Q2_M%z bZ|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台(3) GT40Q321-东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25时42A,100时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。 N;d(n j%J:v0sW0Qh|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台(4) GT40T101-东芝公司出品,耐压
6、1500V,电流容量25时80A,100时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。 【维修者之家】技术论坛M:4I|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台tt_v(j K(5) GT40T301-东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25时80A,100时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。 7uAB;N*l?|技术交流|资料下载|家电资讯|维修者的技术平台Tr0v!q.|z3v#h(6) GT60M303 -东芝公司出品,耐压900V,电流容量25时120A,100时60A, 内部带阻尼二极管s4PX.p$e1Q【维修者之家】技术论坛
