场效应管参数查询库

1、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND （IGBT ） 1200V/25A/TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET ） 500V/20A/277W/0.225 IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81/TO3P FQA13N。

2、场效应管型号字母的参数含义场效应管型号字母的参数含义Cds-漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参数）dv/dt-电压上升率（外电路参数）ID-漏极电流（直流）IDM-漏极脉冲电流ID(on)-通态漏极电流IDQ-静态漏极电流（射频功率管）IDS-漏源电流IDSM-最大漏源电流IDSS-栅- 源短路时，漏极电流IDS(sat)-沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG-栅极电流（直流）IGF-正向栅电流IGR-反向栅电流IGDO-。

3、型 号 材料 管脚 用 途 参 数3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激 励 60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激 励。

4、1XXX 股份公司场效应管参数标准型号 耐压(V) 导通电阻() 栅源电容（nF）K2611 900-1000 0.95-1.4 2.85-3.25K2847 900-1000 1.1-1.4 2.6-3.0FS10M-16A 800-900 0.98-1.2 3.2-3.6FS10SM-18A 900-1000 0.95-1.3 1.7-2.1K2837 500-600 0.21-0.30 4.0-4.8K2370 500 0.25-0.35K2371(2372) 500 0.18-0.27K1498 500 0.30-0.40K3235 500 0.30-0.40 1.8-2.59008 900-1000 0.95-1.440N50 500-600 0.09-0.137N50A 500-600 0.11-0.1335N502 500-600 0.13-0.1615NB50 500-600 0.27-0.37FS14SM18A 900 0.67-0.7743N50K 500 0.092-0.1022SK3548 900-1000 1。

5、1全系列场效应管 VMOS、IGBT 参数产 品 型 号 沟道 主 要 参 数 外 型 厂 家IRF064 N 60V、40A、180W TO3P IRIRFP150 N 100V、40A、180W TO3P IRIRFP240 N 200V、18A、180W TO3P IRIRFP250 N 200V、32A、180W TO3P IRIRFP260 N 250V、38A、250W TO3P IRIRFP264 N 200V、46A、280W TO3P IRIRFP350 N 400V、16A、180W TO3P IRIRFP360 N 400V、24A、180W TO3P IRIRFP450 N 500V、13A、180W TO3P IRIRFP460 N 500V、21A、180W TO3P IRIRFPC50 N 600V、10A、180W TO3P IRIRFPE50 N 800V、8.1A、180W TO3P IRIRFPF50 N 900V、6.4A、80W TO3P IRI。

6、部分场效应管型号 用途参数型号 材料 管脚 用途 参数3DJ6 NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS2SJ306 PMOS GD。

7、型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK2518-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大 200 20 50 2SK2519-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大 200 10 40 2SK2520-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大 200 10 30 2SK2521-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大 200 18 50 2SK2522-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大 300 18 40 2SK2523。

8、型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK0065 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、电容式话筒 12 0.002 0.02 CS110 2SK0123 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、电容式话筒 20 0.002 0.2 SST201 2SK0198 PANASONIC N-JFET,用于低频放大 30 0.02 0.15 2N3822 2SK0301 PANASONIC 硅 N-JFET,用于低频放大、开关，55V/0.03A/0.25W 55 0.03 0.25 2SK0614 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 80 0.5 0.75 2SK0615 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 80 0.5 1 2SK0655 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 50 0.1 0.2 2SK065。

9、Cds-漏 -源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏 -源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参数）dv/dt-电压上升率（外电路参数）ID-漏极电流（直流）IDM-漏极脉冲电流ID(on)-通态漏极电流IDQ-。

10、一：场效应管的主要参数(1)直流参数饱和漏极电流 IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压 UP 它可定义为：当 UDS 一定时，使 ID 减小到一个微小的电流时所需的 UGS开启电压 UT 它可定义为：当 UDS 一定时，使 ID 到达某一个数值时所需的 UGS(2)交流参数低频跨导 gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)极限参数漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的 UDS。栅极击穿。

11、四、高频场效应管GaAs 微波低噪声场效应管 适用于卫星接收及微波通信等型 号 特 点 fT(GHz) VDS(V) ID(mA) gm(ms) NF(dB) PG(dB) 测定条件 封 装FHX04X 卫星接收 12 3.5 30 45 0.75 10.5 12GHz N-02FHX05X 卫星接收 12 3.5 30 45 0.75 10.5 12GHz N-02FHX06X 卫星接收 12 3.5 30 45 0.75 10.5 12GHz N-02ATF10136 超低噪声 12 2 25 0.5 13 4GHz N-02ATF10236 超低噪声 12 2 25 0.8 13 4GHz N-02ATF20136 超低噪声 12 2 25 1.2 13 4GHz N-02SGM5102 12 5 30 25 1.8 8.5 12GHz N-02FSC11LF 12 8 90 40 1.0 13 4GHz N-02SGH5612 12 4 70 50 1。

12、IRF 系列场效应管参数明细IRF 功率管明细表型号 厂家 用途 构造 沟道 方式 v111(V) 区分 ixing(A) pdpch(W) waixingIRF48 IR N 60 50 190 TO-220ABIRF024 IR N 60 17 60 TO-204AAIRF034 IR N 60 30 90 TO-204AEIRF035 IR N 60 25 90 TO-204AEIRF044 IR N 60 30 150 TO-204AEIRF045 IR N 60 30 150 TO-204AEIRF054 IR N 60 30 180 TO-204AAIRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 I。

13、Cds 漏-源电容Cdu 漏-衬底电容Cgd 栅-源电容Cgs 漏-源电容Ciss 栅短路共源输入电容Coss 栅短路共源输出电容Crss 栅短路共源反向传输电容D 占空比（占空系数，外电路参数）di/dt 电流上升率（外电路参数）dv/dt 电压上升率（外电路参数）ID 漏极电流（直流）IDM 漏极脉冲电流ID(on) 通态漏极电流IDQ 静态漏极电流（射频功率管）IDS 漏源电流IDSM 最大。

14、K2843 600V 10A 45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道 MOS 管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P 沟道 直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含 P 沟道,N 沟道 MOS 管各一,4532M 内含 P 沟道,N 沟道 MOS 管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道 小贴片 MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道 小贴片 MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L02 70N06 70A 60V 12。

15、场效应管参数符号意义Cds-漏 -源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏 -源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参数）dv/dt-电压上升率（外电路参数）ID-漏极电流（直流）IDM-漏极脉冲电流ID(on)-。

16、场效应管参数符号.txt“恋”是个很强悍的字。它的上半部取自“变态”的“变” ，下半部取自“变态”的“态” 。 场效应管参数符号Cds-漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参。

17、场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有 3 个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件-1.概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（100000000 1000000000）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用:场效应管可应用于放大.由于场效应。

18、场效应管型号用途和参数本文讲述了部分场效应管型号，场效应管用途，场效应管的主要参数等相关知识。型 号 材料 管脚 用 途 参 数3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A。

19、 15N80 800V 15A TO-3PN IGBT16N06 60V 16A 1N60 600V 1A 20N60 600V 20A TO-3PN N-FET25N120 1200V 25A TO-3PN IGBT2N60 600V 2A 54W TO-220 N-FET2N60 N-FET30N120 1200V 30A TO-3PN IGBT4N50 500V 4A 75W TO-220 N-FET4N80 800V 4A 75W TO-220 N-FET50N06 46A 60V 105W TO-220 N-FET6N60 600V 6A 125W TO-220F N-FET7N60 600V 7A 147W TO-220F N-FETBUP203 1000V 23A 165W TO-220 IGBTBUP304 1000V 35A 310W TO-3PN IGBTGT40T101 1500V 4。