场效应管参数大全1.doc

1、型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK0065 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、电容式话筒 12 0.002 0.02 CS110 2SK0123 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、电容式话筒 20 0.002 0.2 SST201 2SK0198 PANASONIC N-JFET,用于低频放大 30 0.02 0.15 2N3822 2SK0301 PANASONIC 硅 N-JFET,用于低频放大、开关，55V/0.03A/0.25W 55 0.03 0.25 2SK0614 PANASONIC

2、 N-MOSFET,用于开关 80 0.5 0.75 2SK0615 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 80 0.5 1 2SK0655 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 50 0.1 0.2 2SK0656 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 50 0.1 0.2 2SK0657 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 50 0.1 0.4 2SK0662 PANASONIC N-JFET,用于低频放大 30 0.002 0.15 2SK0663 PANASONIC N-JFET,用于低频放大、开关 55 0.03 0.15 2SK0664 P

3、ANASONIC N-MOSFET,用于开关 50 0.1 0.15 2SK0665 PANASONIC N-MOSFET,用于开关 20 0.1 0.2 2SK1000 N-FET,宽频带放大 22 0.05 0.25 2SK1001 N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 10 50 2SK1002 N-FET,一般用途 20 0.0005 0.25 2SK1006 N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 5 40 2SK1006-01MR FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,450V/5A/40W 450 5 40 2SK100

4、7 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 5 60 2SK1007-01 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,450V/5A/60W 450 5 60 2SK1008 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 500 4.5 60 2SK1008-01 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,500V/4.5A/60W 500 4.5 60 2SK1009 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 7 80 2SK1009-01 FUJI N-MOSFET,功率放大

5、,开关效应管 450 7 80 2SK1010-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管 500 6 80 2SK1011 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 10 100 2SK1011-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管 450 10 100 2SK1012 FUJI N-MOSFET,变频换流,功率放大,开关 500 10 100 2SK1012-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管 500 10 100 2SK1013 FUJI N-MOSFET,变频换流,功率放大,开关 450 13 型号 PDF资料 厂商 特性

6、用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK1013-01 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,450V/13A/125W 450 13 125 2SK1014 FUJI N-MOSFET,变频换流,功率放大,开关 500 12 125 2SK1014-01 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,500V/12A/125W 500 12 125 2SK1015 FUJI N-MOSFET,变频换流,功率放大,开关 450 18 125 2SK1015-01 FUJI N-MO

7、SFET,功率放大,开关效应管 450 18 125 2SK1016 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,500V/15A/125W 500 15 125 2SK1016-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管 500 15 125 2SK1017 FUJI N-MOSFET,用于开关,500V/15A/125W 450 20 150 2SK1017-01 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,450V/20A/125W 450 20 150 2SK1018 FUJI N-MOSFET

8、,用于开关,500V/18A/125W 500 18 125 2SK1019 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,450V/35A/300W 450 35 300 2SK1020 FUJI N-MOSFET,用于功率整流、开关电源、DC-DC 转换、一般功率放大,500V/30A/300W 500 30 300 2SK1021 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 800 3 60 2SK1022 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 900 2.5 60 2SK1023 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 800

9、 4 60 2SK1023-01 FUJI N-FET,功率放大,开关效应管 800 4 60 2SK1024 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般功率放大 900 3.5 60 2SK1024-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般功率放大 900 3.5 60 2SK1025 FUJI N-MOSFET,功率放大 50 20 45 2SK1094 2SK1026 N-FET,功率放大 250 20 150 2SK1135 2SK1027 N-FET,功率放大 300 20 150 2SK1135 2SK

10、1028 TOSHIBA N-MOSFET,用于 VHF电视广播发射,100V/6A/125W 100 6 125 2SK1029 N-MOSFET,功率场效应管 500 10 200 2SK103 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.001 0.08 SST201 2SK1030 N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 800 3 50 2SK1030A N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 900 3 50 2SK1031 N-FET,宽频带放大 50 0.0065 0.1 2SK1032 N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 800

11、800 120 2SK1032A N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 900 800 120 2SK1033 N-FET,变频换流,激励、驱动 60 20 45 2SK9157 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK1034 N-FET,变频换流,激励、驱动 100 15 45 2SK1035 PANASONIC N-MOSFET,用于 DC/DC转换、无触点继电器、螺线管驱动、电动机驱动 150 12 45 2SK1036 PANASON

12、IC N-MOSFET,用于 DC-DC转换、螺线管驱动、电动机驱动 250 10 50 2SK1037 N-MOSFET,功率场效应管 250 10 50 2SK1038 N-MOSFET,功率场效应管 400 5 50 2SK1039 N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 400 8 50 2SK103K2 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.00004 0.08 2SK103L1 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.00007 0.08 2SK103L2 N-FET,电容话筒专用,高频放

13、大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.00012 0.08 2SK103-M1 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.0002 0.08 2SK103-M2 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输 20 0.0003 0.08 入级 2SK103-N1 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.00054 0.08 2SK103-N2 N-FET,电容话筒专用,高频放大(射频放大),音频(低频),前置/输入级 20 0.001 0.08 2SK104 N-

14、FET,高频放大（射频放大）,音频（低频） 30 0.012 0.25 NTE312 2SK1040 N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 400 10 100 2SK1041 N-MOSFET,功率场效应管 400 15 130 2SK1042 N-MOSFET,功率场效应管 400 20 130 2SK1043 N-FET,微波 4 0.06 2SK1044 N-FET,功率放大 800 5 150 2SK684 2SK1045 N-FET,功率放大 900 5 150 2SK684 2SK1046 N-FET,微波 4 0.07 2SK1047 N-FET,功率放大 250 20 15

15、0 2SK1135 2SK1048 N-FET,功率放大 300 20 150 2SK1049 N-FET,功率放大 450 15 150 2SK682 2SK104E N-FET,高频放大(射频放大),音频(低频) 30 0.0015 0.25 2SK104F N-FET,高频放大（射频放大）,音频（低频） 30 0.003 0.25 2SK104-H N-FET,高频放大（射频放大）,音频（低频） 30 0.006 0.25 2SK104-J N-FET,高频放大（射频放大）,音频（低频） 30 0.012 0.25 2SK105 SONY N-FET,宽频带放大,音频(低频) 50 0.

16、012 0.25 CS105,IFN105 2SK1050 N-FET,功率放大 500 15 150 2SK683 型号 PDF资料 厂商 特性用途 极限电 压 极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号Vm(V)2SK1051 N-FET,功率放大 50 40 120 2SK1052 SANYO N-MOSFET,用于高速开关，450V/0.5A/30W 450 0.5 30 2SK1053 SANYO N-MOSFET,用于高速开关，450V/1A/40W 450 1 40 2SK1056 HITACHI N-MOSFET,用于低频放大，配对管2SJ160，120V/7A/100W 12

17、0 7 100 2SK1057 HITACHI N-MOSFET,用于低频放大，配对管2SJ161，140V/7A/100W 140 7 100 2SK1058 HITACHI N-MOSFET,用于低频放大，配对管2SJ162，160V/7A/100W 160 7 100 2SK405 2SK1059 N-FET,功率放大,开关,激励、驱动 60 5 20 2SK1059Z N-MOSFET,功率场效应管 60 5 20 2SK106 N-FET,音频(低频) 50 0.012 0.3 NTE133 2SK1060 N-MOSFET,功率场效应管 100 5 20 2SK1060Z N-MO

18、SFET,功率场效应管 100 5 20 2SK1061 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速开关、模拟开关、换流，配对管2SJ167，60V/0.2A/0.3 60 0.2 0.3 2SK1062 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速开关、模拟开关、换流，配对管2SJ168，60V/0.2A/0.2 60 0.2 0.2 2SK1063 N-MOSFET,功率场效应管 450 15 125 BUZ64 2SK1064 N-MOSFET,功率场效应管 500 15 125 IRF450 2SK1065 SANYO N-MOSFET,用于高频放大，20V/0.02A/0.15 20

19、0.02 0.15 2SK1066 SANYO N-MOSFET,用于高频放大，15V/0.02A/0.15 15 0.02 0.15 2SK1067 SANYO N-MOSFET,用于 FM调谐器、VHF 波段放大，16V/0.03A/0.15 16 0.03 0.15 2SK1068 SANYO N-MOSFET,用于阻抗转换、红外线传感器，40V/0.001A/0.1 40 0.001 0.1 2SK1069 SANYO N-MOSFET,用于低频放大，40V/0.02A/0.15 40 0.02 0.15 2SK106A N-FET,音频(低频) 50 0.0015 0.3 2SK10

20、6B N-FET,音频(低频) 50 0.003 0.3 2SK106-C N-FET,音频(低频) 50 0.006 0.3 2SK106D N-FET,音频(低频) 50 0.012 0.3 2SK107 N-FET,直流,高频放大（射频放大）,甚高频 27 0.0121 0.25 J304 2SK1070 HITACHI N-JFET,用于低频/高频放大，22V/0.05A/0.15W 22 0.05 0.15 2SK107-2 N-FET,直流,高频放大（射频放大）,甚高频 27 0.0055 0.25 2SK1073 N-FET 800 3 45 2SK107-3 N-FET,直流,

21、高频放大（射频放大）,甚高频 27 0.0077 0.25 2SK1074 N-FET 800 3 120 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK107-4 N-FET,直流,高频放大（射频放大）,甚高频 27 0.0099 0.25 2SK107-5 N-FET,直流,高频放大（射频放大）,甚高频 27 0.0121 0.25 2SK1078 N-FET,变频换流 60 0.8 1.5 2SK1079 N-FET,变频换流,激励、驱动 100

22、 0.6 0.5 2SK108 N-FET,音频(低频) 50 0.012 0.3 PN4392 2SK1081 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 800 7 125 2SK1081-01 FUJI N-FET,功率放大,开关效应管 800 7 125 2SK1082 FUJI N-FET,变频换流,功率放大,开关 900 8 125 2SK1082-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般功率放大，900V/6A/125W 900 6 125 2SK1083-MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC

23、转换，60V/8A/20W 60 8 20 2SK1084 N-FET,变频换流,激励、驱动 100 5 20 2SK1085-M FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC 转换，150V/3A/20W 150 3 20 2SK1086-MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC 转换，60V/20A/35W 60 20 35 2SK1087-MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC 转换，100V/12A/35W 100 12 35 2SK1088-M FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一

24、般功率放大、DC-DC 转换，150V/9A/35W 150 9 35 2SK1089 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC 转换，60V/235A/80W 60 35 80 2SK109 N-FET,配对管,音频(低频) 50 0.012 0.3 U406 2SK1090 N-FET,变频换流,激励、驱动 100 20 80 2SK1091 N-FET,变频换流,激励、驱动 150 150 80 2SK1092 N-FET,宽频带放大,超高频,甚高频 4 0.08 0.15 2SK1093 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关 60 10 20

25、2SK1094 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关 60 15 25 2SK1095 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关 60 25 30 2SK1096-MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC 转换，60V/13A/30W 60 13 30 2SK1097 N-FET,变频换流,激励、驱动 100 8 30 2SK1098-M FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC 转换，150V/6A/30W 150 6 30 2SK1099 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关 500 10

26、80 2SK109A N-FET,配对管,音频(低频) 50 0.012 0.3 2SK11 TOSHIBA 停产,用 2SK30ATM代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频（低频） 20 0.0065 0.1 2SK110 N-FET,音频(低频) 30 0.035 0.9 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK11-0 TOSHIBA 停产,用 2SK30ATM代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频（低频） 20 0.0025 0.1 2SK1100 N-FET,微波 4 0.06 0.2 2SK1101-01MR FUJI

27、N-MOSFET,功率放大,开关效应管 450 10 50 2SK1102-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般功率放大 500 10 50 2SK11023-01MR FUJI N-FET,功率放大,开关效应管 500 10 50 2SK1103 PANASONIC N-JFET,用于开关，配对管2SJ163，65V/0.02A/0.15W 65 0.02 0.15 2SK1104 PANASONIC N-JFET,用于开关，配对管2SJ164，65V/0.02A/0.3W 65 0.02 0.3 2SK1105 N-FET,变频换流,功率

28、放大,开关 800 3 80 2SK1108 N-FET,前置/输入级 20 0.0006 0.1 2SK1109 FUJI N-JFET,用于阻抗转换 20 0.01 0.08 2SK111 N-FET,配对管,音频(低频) 30 0.035 0.4 2SK110 2SK1112 N-FET,变频换流,激励、驱动 60 5 20 2SK1113 N-FET,变频换流,激励、驱动 120 3 20 2SK1114 N-FET,变频换流,激励、驱动 60 12 40 2SK1115 N-FET,变频换流,激励、驱动 60 20 60 2SK1116 N-FET,变频换流,激励、驱动 100 25

29、 100 2SK1117 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流 DC-DC转换、继电器和电动机驱动，600V/6A/100W 600 6 100 2SK1118 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流 DC-DC转换、继电器和电动机驱动，600V/6A/45W 600 6 45 2SK1119 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、DC-DC转换、电动机驱动，1000V/4A/100W 1000 4 100 2SK112 TOSHIBA 停产,用 2SK117代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频(低频),开关 50 0.009 0.25 2N5485

30、2SK1120 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、DC-DC转换、电动机驱动，1000V/8A/150W 1000 8 150 2SK112-0 TOSHIBA 停产,用 2SK117代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频(低频),开关 50 0.009 0.25 2SK1121 N-FET,功率放大 50 25 45 2SK1122 NEC N-MOSFET,用于螺线管、电动机和灯驱动，100V/40A/100W 100 40 100 2SK1123 NEC N-MOSFET,用于螺线管、电动机和灯驱动，60V/40A/100W 60 40 100 2SK1124 N-

31、FET,变频换流,功率放大,开关 60 45 125 2SK112R TOSHIBA 停产,用 2SK117代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频(低频),开关 50 0.0036 0.25 2SK113 SONY N-FET,斩波、限幅,开关 50 0.15 0.25 IFN113 2SK113-0 TOSHIBA 停产,用 2SK363代替,N-FET,斩波、限幅,开关 50 0.075 0.25 2SK1132 NEC N-MOSFET,用于高速开关，50V/0.1A/0.25W 50 0.1 0.25 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)

32、 代换型号2SK1133 NEC N-MOSFET,用于高速开关，50V/0.1A/0.2W 50 0.1 0.2 2SK1134 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般功率放大 50 45 80 2SK1135 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换 250 15 100 2SK388 2SK1136 N-FET,功率放大 50 10 30 2SK1137 N-FET,功率放大 50 16 40 2SK1138 N-FET,功率放大 150 7 30 2SK1139 N-FET,功率放大 150 13 40 2SK113R TOSHI

33、BA 停产,用 2SK363代替,N-FET,斩波、限幅,开关 50 0.03 0.25 2SK113Y TOSHIBA 停产,用 2SK363代替,N-FET,斩波、限幅,开关 50 0.15 0.25 2SK1142 N-FET,功率放大 800 2 35 2SK1143 N-FET,功率放大 900 2 35 2SK1149 N-FET,变频换流,功率放大,开关 100 2 35 2SK1150 N-FET,变频换流,功率放大,开关 60 40 75 2SK1151LS HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/1.5A/20W 450 1

34、.5 20 2SK1152LS HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/1.5A/20W 500 1.5 20 2SK1153 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/3A/30W 450 3 30 BUZ74 2SK1154 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/6A/30W 500 3 30 BUZ74 2SK1155 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/5A/50W 450 5 50

35、BUZ60 2SK1156 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/5A/50W 500 5 50 BUZ41A 2SK1157 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/7A/60W 450 7 60 BUZ60 2SK1158 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/7A/60W 500 7 60 2SK1159 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/8A/60W 450 8 60 IRF84

36、1 2SK1160 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/8A/60W 500 8 60 IRF840 2SK1161 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/10A/100W 450 10 100 MTH7N45 2SK1162 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/10A/100W 500 10 100 MTH7N50 2SK1163 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/11A/100

37、W 450 11 100 IRFP441 2SK1164 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/11A/100W 500 11 100 BUZ308 2SK1165 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/12A/100W 450 12 100 BUZ326 2SK1166 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/12A/100W 500 12 100 BUZ330 2SK1167 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、

38、DC-DC 转换，450V/15A/100W 450 15 100 BUZ351 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK1168 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，500V/15A/100W 500 15 100 IRFP450 2SK1169 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换，450V/20A/120W 450 20 120 2SK117 TOSHIBA N-MOSFET,用于低噪声音频放大，50V/0.01A/0.3W 50 0.01 0.

39、3 NTE458 2SK1170 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关、开关整流、DC-DC 转换， 500 20 120 IRFP460 500V/20A/120W 2SK117-0 N-FET,音频(低频) 50 0.0014 0.3 2SK1171 N-FET,变频换流,功率放大,开关 800 4 80 2SK1172 FUJI N-MOSFET,用于高速功率开关 900 3.5 80 2SK1173 N-FET,一般用途 50 0.5 0.2 2SK1177 EX N-MOSFET,500V/2.5A/30W 500 2.5 30 2SK1178 EX N-MOSFET,

40、500V/4A/35W 500 4 35 2SK1179 EX N-MOSFET,500V/8.5A/85W 500 8.5 85 2SK117BL N-FET,音频(低频) 50 0.014 0.3 NTE459 2SK117GR N-FET,音频(低频) 50 0.0065 0.3 NTE458 2SK117Y N-FET,音频(低频) 50 0.003 0.3 2SK118 TOSHIBA N-JFET,用于阻抗转换和电容式麦克风，50V/0.01A/0.1W 50 0.01 0.1 J201 2SK1180 EX N-MOSFET,500V/10A/85W 500 10 85 2SK1

41、18-0 N-FET,电容话筒专用,音频(低频)50 0.0014 2SK208 2SK1181 EX N-MOSFET,500V/13A/85W 500 13 85 2SK1183 EX N-MOSFET,200V/3A/25W 200 3 25 2SK1184 EX N-MOSFET,200V/5A/30W 200 5 30 2SK1185 EX N-MOSFET,100V/5A/25W 100 5 25 2SK1186 EX N-MOSFET,100V/9A/30W 100 9 30 2SK1187 EX N-MOSFET,100V/12A/35W 100 12 35 2SK1188 E

42、X N-MOSFET,60V/10A/25W 60 10 25 2SK1189 EX N-MOSFET,60V/15A/30W 60 15 30 2SK118R N-FET,电容话筒专用,音频(低频)50 0.00075 2SK119 N-FET,直流,开关 30 0.012 0.25 2N4340 2SK1190 EX N-MOSFET,60V/22A/35W 60 22 35 2SK1191 EX N-MOSFET,60V/30A/40W 60 30 40 2SK1192 EX N-MOSFET,60V/40A/90W 60 40 90 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极

43、限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK1194 SHINDENGEN N-MOSFET,用于 DC-DC转换、DC 12-24V电源，230V/0.5A/6W 230 0.5 6 2SK1195 SHINDENGEN N-MOSFET,用于 DC-DC转换、DC 12-24V电源，230V/1.5A/10W 230 1.5 10 2SK1196 N-FET,微波 6 0.07 0.2 2SK1197 N-FET,功率放大,音频(低频) 100 0.5 20 2SK1198 N-MOSFET,功率场效应管 700 2 35 2SK1199 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开

44、关 900 2 50 2SK11R TOSHIBA 停产,用 2SK30ATM代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频（低频） 20 0.001 0.1 2SK12 TOSHIBA 停产,用 2SK30ATM代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频（低频） 20 0.005 0.1 2SK120 N-FET,高频放大(射频放大),混频,甚高频 15 0.005 0.2 NTE451 2SK12-0 TOSHIBA 停产,用 2SK30ATM代替,N-FET,斩波、限幅,直流,音频（低频） 20 0.0016 0.1 2SK1200 N-FET,变频换流,功率放大,开关 900 3 80 MTP

45、2N90 2SK1201 N-FET,变频换流,功率放大,开关 900 4 80 2SK871 2SK120-1 N-FET,高频放大(射频放大),混频,甚高频 15 0.003 0.2 2SK1202 N-FET,变频换流,功率放大,开关 900 5 100 BUZ331 2SK120-2 N-FET,高频放大(射频放大),混频,甚高频 15 0.005 0.2 2SK1203 FUJI N-MOSFET,用于高速功率开关 900 6 100 2SK1204 N-FET,变频换流,功率放大,开关 900 8 100 IRFPF50 2SK1205 N-FET,变频换流,功率放大,开关 100

46、0 5 100 2SK1206 N-FET,变频换流,功率放大,开关 1000 12 60 2SK121 SONY N-JFET,用于低频低噪声放大和高频放大 30 0.02 0.3 J210 2SK1211 N-FET,变频换流,功率放大,开关 800 2.5 40 2SK121-1 N-FET,直流,音频（低频） 30 0.0033 0.3 2SK121-2 N-FET,直流,音频（低频） 30 0.0055 0.3 2SK1212-01 FUJI N-MOSFET,用于 DC-DC转换、电动机控制、一般功率放大 900 5 80 2SK1213 N-MOSFET,功率场效应管 600 6

47、 125 2SK121-3 N-FET,直流,音频（低频） 30 0.0099 0.3 2SK1214 FUJI N-MOSFET,用于 DC-DC转换、非接触继电器、螺线管驱动、电动机驱动 80 20 45 2SK121-4 N-FET,直流,音频（低频） 30 0.0099 0.3 2SK1215 HITACHI N-MOSFET,用于 VHF放大，20V/0.03A/0.1W 20 0.03 0.1 2SK121-5 N-FET,直流,音频（低频） 30 0.0143 0.3 型号 PDF资料 厂商 特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W) 代换型号2SK1216 N-

48、FET,高频放大（射频放大）,前置/输入级 10 0.014 0.2 2SK121-6 N-FET,直流,音频（低频） 30 0.0143 0.3 2SK1217 FUJI N-FET,功率放大,开关效应管 900 8 100 2SK1217-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般放大 900 8 100 2SK1221 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC 转换、一般功率放大，250V/10A/80W 250 10 80 2SK1222 N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 15 125 2SK1223 N

49、-FET,变频换流,激励、驱动 60 50 50 2SK1224 N-FET,变频换流,功率放大,开关 800 4 50 2SK1225 N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 12 60 2SK1227 N-FET,前置/输入级 15 0.1 2SK1228 PANASONIC N-MOSFET,用于开关，50V/0.05A/0.15W 50 0.05 0.15 2SK1229 GaAs,MES,微波 4 0.06 2SK123 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、电容式话筒 20 0.002 0.2 SST201 2SK1230 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关 120 10 25 2SK1231 N-FET,变频换流,功率放大,开关 450 5 30 2SK1232 N-FET,变频换流,功率放大,开关 500 5 30 2SK1233 GaAs,MES,宽频带放大,振荡 6 0.09 0.3 2SK1234 GaAs,MES,宽频带放大,振荡 5 0.08 0.27 2SK1235 GaAs,MES,宽频带放大,振荡 6 0.09 0.3 2SK1236 GaAs,MES,宽频带放大,振荡 6 0.09 0.3 2SK1237 GaAs,MES,宽频带放大,振荡 5 0.08 0.27 2SK1238 GaAs,MES,宽频带