化学气相沉积

1、化学气相沉积(CVD),化学气相沉积(CVD)概念,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)气体或蒸气在晶圆表面产生化学反应，并形成固态薄膜的沉积方法.,沉积制程,气源分子到达晶圆表面,气源分子在表面移动,气源分子在表面反应,成核作用：岛状物形成,沉积制程,岛状物成长,岛状物成长，横截面图,岛状物合并,连续薄膜,CVD制程,APCVD：常压化学气相沉积法LPCVD：低压化学气相沉积法PECVD ：等离子体增强型化学气相沉积法,加热器,晶圆,N2,N2,制程气体,排气,晶圆,输送带,输送带清洁装置,APCVD反应器示意图,常压化学气相沉积法(APCVD),APCVD制程发生。

2、化学气相沉积,第 四 章,2,基本概念 化学气相沉积发展历程 化学气相沉积基本原理 化学气相沉积合成方法的适用范围 化学气相沉积工艺及设备 化学气相沉积工艺参数 化学气相沉积方法应用举例,目 录,3,基本概念,4,化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。,从气相中析出的固体的形态主要有下列几种： 在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒 在气体中生成粒子,5,CVD技术的分类,6,常用三种CVD技术优缺点,7,化学气相沉。

3、第六讲,薄膜材料的CVD方法Preparation of thin films byCVD methods,提 要,CVD 过程中典型的化学反应CVD 过程的热力学CVD 过程的动力学CVD 过程的数值模拟技术CVD 薄膜沉积装置,化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）是经由气态的先驱物，通过气相原子、分子间的化学反应，生成薄膜的技术手段,化学气相沉积,化学气相沉积的气压环境,与 PVD 时不同，CVD 过程的气压一般比较高（随需求不同而不同），因为较高的气压有助于提高薄膜的沉积速率。此时,气体的流动状态多处于粘滞流状态 气体分子的运动路径不再是直线 气体分子在衬底上。

4、报告人：程士敏 导 师：李 灿 研究员,Seminar ,化学气相沉积(CVD)原理及其 薄膜制备,2008. 05. 27,CVD 原理定义气态物种输运沉积过程热力学和动力学CVD 技术分类CVD 制备薄膜CVD 技术的优缺点,概 要,孟广耀，化学气相淀积与无机新材料，北京：科学出版社，1984,载气,载气,气态源,液态源,固态源,前驱物 气体,气相输运,反应 沉积,衬底,托架,卧式反应器,衬底,立式反应器,CVD (Chemical Vapor Deposition)是通过气态物质在气 相或气固界面上发生反应生成固态粉体或薄膜材料的过程,K.L. Choy. / Progress in Materials Science 48 (2003) 57170。

5、文库下载 免费文档下载http:/www.wenkuxiazai.com/本文档下载自文库下载网，内容可能不完整，您可以点击以下网址继续阅读或下载：http:/www.wenkuxiazai.com/doc/f4b17170f46527d3240ce066.html化学气相沉积渗透技术综述材料科学,材料化学,CVD,化学气相沉积第 22 卷第 1 期固体火箭技术JournalofSolidRocketTechnology Vol.22No.11999文章编号:100622793(1999)0120054205化学气相沉积/渗透技术综述李崇俊,马伯信(中国航天工业总公司四院四十三所,西安 710025)金志浩(西安交通大学,西安 710049)文库下载 免费文档下载http:/www.wenkuxiazai。

6、第九章 化学气相沉积 (CVD),1,化学气相沉积概述,Chemical Vapor Deposition (CVD) 技术的发展,2,CVD概述,定义：通过化学反应的方式，利用加热、等离子体激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸气态物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态淀积物的技术。对本章来说，固相产物是在气固界面以薄膜的形式产生。,特点： 成膜的种类范围广。可制作金属，非金属及多成分合金薄膜； 化学反应可控性好，膜质量高； 成膜速度快 (与PVD相比)，能同时制作多工件的均匀镀层； 在常压或低真空进行镀膜的绕射性好； 获得平滑的沉积表面； 纯度。

7、化学气相沉积的研究综述 齐鲁工业大学机械与汽车工程学院机械11 1济南 250300 摘要 论述了化学气相沉积的由来 发展历程和最近国内外研究的现状 主要举例说明金刚石膜的研究进程和现状 讲了几种主要的化学气相沉积的关键技术应用 包括金属有机化合物化学气相沉积技术 等离子化学气相沉积 激光化学气相沉积 超声波化学气相沉积 还介绍了化学气相沉积的研究应用方向 主要包括保护涂层 微电子技术 超导技术 。

8、 论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源 固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发。

9、1,2019/11/24,薄膜制备的化学方法 化学气相沉积（CVD）,2,2019/11/24,化学法的概念和发展,在薄膜制备过程中，涉及到了化学反应，统称为化学法。 条 件：化学反应需要能量输入和诱发。 优、缺点：设备简单、成本较低、甚至无需真空环境即可进行； 工艺控制复杂、可能涉及高温环境。,化学气相沉积的英文词原意是化学蒸汽沉积 （Chemical Vapor Deposition,CVD）， 因为很多反应物质在通常条件下是液态或固态， 在经过汽化形成蒸汽后才参与反应的。,3,2019/11/24,最古老的化学气相沉积可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑。

10、气相沉积技术,第 五 章,真空与真空设备 物理气相沉积2.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程2.2 溅射镀膜2.3 离子镀膜 3. 化学气相沉积3.1 化学气相沉积的一般原理3.2 化学气相沉积技术3.3 化学气相沉积技术的应用,气相沉积技术,典型真空系统,减少工作室中空气分子数 保护：防止氧化 粒子碰撞，能量损失 杂质，以得到高纯薄膜,目的,低真空10-1Pa以上 机械泵 高真空10-3-10-4Pa以下，扩散泵,物理气相沉积(PVD),真空蒸发镀膜,溅射镀膜,离子镀膜,物理气相沉积可分为真空蒸镀技术(Vapor Evaporation)、真空溅射(Vapor Sputtering)、离子镀(Ion Plat。

11、- 1 -化 学 气 相 沉 积1 前言化 学 气 相 沉 积 CVD(Chemical Vapor Deposition)是 利 用 加 热 ， 等 离 子 体 激 励或 光 辐 射 等 方 法 ， 使 气 态 或 蒸 汽 状 态 的 化 学 物 质 发 生 反 应 并 以 原 子 态 沉 积 在 置于 适 当 位 置 的 衬 底 上 ， 从 而 形 成 所 需 要 的 固 态 薄 膜 或 涂 层 的 过 程 。一 般 地 说 ， 化 学 气 相 沉 积 可 以 采 用 加 热 的 方 法 获 取 活 化 能 ， 这 需 要 在 较 高的 温 度 下 进 行 ； 也 可 以 采 用 等 离 子 体 激 发 或 激 光 辐 射 等 方 法 获 取 活 化 能 ， 使 沉积 在 。

12、Atmospheric Pressure CVD （APCVD）,Luomin(罗敏),History of CVD,What is APCVD? Chemical vapor deposition may be defined as the deposition of a solid on a heated surface from a chemical reaction in the vapor phase. It belongs to the class of vapor-transfer processes which is atomistic in nature, that is the deposition species are atoms or molecules or a combination of these. APCVD is a CVD method at normal pressure (atmospheric pressure) which is used for deposition of doped and undoped oxides. Th。

13、第八章 气相沉积技术,8-3 化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化学反应，生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的过程可以在常压下进行，也可以在低压下进行。CVD技术是当前获得固态薄膜的方法之一。,与物理气相沉积不同的是：化学气相沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。,一、 CVD反应过程及一般原理在反应器内进行的CVD过程，其化学反应是不均匀的， 可在衬底表面或衬底表面以。

14、用化学气相沉积（CVD）法制备薄膜材料,演讲人：肖骐 学号：2140120419,2,目 录1 化学气相沉积方法发展简史2 CVD的基本概念及原理3 CVD合成工艺4 CVD制造薄膜技术的介绍,3,1 化学气相沉积方法发展简史,4,化学气相沉积（CVD）： 通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 简单来说就是两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。 从气相中析出的固体。

15、8.3 化学气相沉积（CVD）,化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition，缩写为：CVD； 在一个加热的基片或物体表面上，通过一种或几种气态元素或化合物产生的化学反应，而形成不挥发的固态膜层或材料的过程； 分为普通CVD、等离子体化学气相沉积（PECVD）和光CVD（PCVD）等。,一、普通CVD,1. 基本原理 利用气体物质在固体表面进行化学反应，从而在该固体表面生成固体沉积物的一种技术，根据化学反应的形式，化学气相沉积可分为以下两类： （1）热分解反应沉积利用化合物加热分解，在基体（基片或衬底）表面得到固态膜层的技术。常用于制备金。

16、第一章 化学气相沉积法 化学气相沉积法？对原料、产物和反应类型的要求？利用气态或蒸气态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。1 反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质；2.反应易于生成所需要的沉积物，副产品保留在气相中排出或易于分离；3.整个操作较易于控制。化学气相沉积法的化学反应有哪些？热分解法（简单热分解和热分解反应沉积） ，氧化还原反应沉积法，其他合成反应沉积化学气相沉积法的技术装置包括那几部分？气源控制部件沉积反应室加热系统气体压强控制 真空排气系统以钨灯丝灯泡加碘为例说明化学。

17、第4章 化学气相沉积,4.1 化学气相沉积合成方法发展,化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 化学气相沉积的英文词原意是化学蒸汽沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD），因为很多反应物质在通常条件下是液态或固态，经过汽化成蒸汽再参与反应的。,化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。 作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着重于刀具。

18、化学气相沉积技术,目录,化学气相沉积技术的基本概念.化学气相沉积技术的定义.化学气相沉积技术的分类.化学气相沉积技术的发展历程.化学气相沉积技术的基本原理 化学气相沉积技术的基本理论.CVD技术.CVD制备材料的生长机制.化学气相沉积的反应过程 CVD技术在实验室的应用,化学气相沉积技术的基本概念,化学气相沉积技术（CVD）是一种材料表面改性技术。是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的方法。它可以利用气相间的反应,在不改变基体材料成分和。

19、化学气相沉积（CVD）,化学气相沉积（CVD）,化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化学反应，生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的过程可以在常压下进行，也可以在低压下进行。CVD技术是当前获得固态薄膜的方法之一。与物理气相沉积不同的是：沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。,化学气相沉积（CVD）,化学气相沉积的原理,1,化学气相沉积的工艺方法,2,化学气相沉积的特点与应用,3,PVD和CVD的对比,4。