第四章无机薄膜材料与制备技术

1、味进行调节，以“制其太过，扶其不足”。
通过不同的辅料炮制，使某些得以加强或抑制。
（3）炮制对药物的四气五味、升降浮沉、归经都有明显影响。
,第二节 剂型筛选,一、剂型与药物疗效的关系 （一）剂型对中药制剂稳定性的影响 药物剂型不同，其稳定性有显著差异。
不同剂型其稳定性考核项目不同，考核时间各异。
（二）剂型对中药制剂有效成分的溶出和吸收的影响,二、剂型选择的原则和依据 （一）根据医疗防治的需要 （二）根据药物及其有效成分的性质 （三）根据处方规定的日服剂量 （四）根据工厂技术水平和生产条件,第三节 原料处理工艺,一、粉碎 二、提取 三、除杂 四、浓缩与干燥,一、粉碎 考查药物最宜的粉碎方法和粉碎度，并用三批样品考查其收粉率,1.工艺路线选择依据 （1）药物的性质 （2）剂型的需要各种制剂对成型前的中间体有特殊的要求。
（3）生产可行性及成本核算的需要工艺路线应简单、无交叉。
可操作性、安全性大。
消耗少、成本低。
,二、提取,2.提取条件的筛选,（1）溶剂 （2）提取方法 （3）工艺条件 （4）评价指标,2.提取条件的筛选,（1）溶剂 依据：被提取的主要有效成分的性质生产的可行性及。

2、从而去除了像素间的交叉效应，实现高质量图像显示。
根据采用的有源器件的不同可分为三端的晶体管和二端的非线性元件驱动两大类。
利用晶体管的三端有源驱动方式包括使用单晶硅MOS和薄膜场效应晶体管TFT。
薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD多为TN型工作方式。
玻璃基板与普通LCD不同。
在下基板上要光刻出行扫描线和列寻址线，构成一个矩阵，在其交点上制作出TFT有源器件和像素电极。
,8,TFT-LCD的显示,9,10,TFT-LCD的基本构成,基本结构背光板(BACK LIGHT)下偏光片(DOWN POLARIZER)薄膜基板(TFT SUBSTRATE)液晶(LIQUID CRYSTAL)彩色滤光片(COLOR FILTER )上偏光片(UP POLARIZER),11,TFT-LCD液晶屏实物图,液晶板在未通电情况下呈半透明状态可弯曲的柔性印刷板起到信号传输的作用，并且通过异向性导电胶与印刷电路板（蓝色PCB板的部分）压和，使两者连接相通,12,微观液晶面板，会看到红绿蓝为一。

3、高粘度，析晶不可能，长期保持介稳态。
,冷却速率会影响Tg大小，快冷时Tg较慢冷时高。
Fulda测出NaCaSi玻璃：(a) 加热速度(/min) 0.5 1 5 9Tg() 468 479 493 499(b) 实际测定表明玻璃化转变并不是在一个确定的Tg点上，而 是有一个转变温度范围。
结论：玻璃没有固定熔点，玻璃加热变为熔体过程也是渐变的。
,三、 凝固的渐变性和可逆性,补充平衡结构：和一定温度所要求的结构相一致。
结构松弛： 熔体冷却到一定温度，结构相应调整，重新排列， 以达到该温度下的平衡结构，同时释放能量，该过程叫作玻璃结构调整的过程。
,Tf 结构变化是瞬时的，能够适应T的变化，结构单元变化速率VT变化。
,Tf Tg 结构改变发生滞后，结构调整不充分。
实际结构可看成较高温度下的平衡结构，结构改变速度VT,Tg粘度很大， 结 构凝固， 失去平衡， 结构不充分。
,传统玻璃非传统玻璃区别,第一类性质：玻璃的电导、比容、粘度等第二类性质：玻璃的热容、膨胀系数、密度、折射率等第三类性质：玻璃的导热系数和弹性系数等,四、 熔融态向玻璃。

4、高粘度，析晶不可能，长期保持介稳态。
,冷却速率会影响Tg大小，快冷时Tg较慢冷时高。
Fulda测出NaCaSi玻璃：(a) 加热速度(/min) 0.5 1 5 9Tg() 468 479 493 499(b) 实际测定表明玻璃化转变并不是在一个确定的Tg点上，而 是有一个转变温度范围。
结论：玻璃没有固定熔点，玻璃加热变为熔体过程也是渐变的。
,三、 凝固的渐变性和可逆性,补充平衡结构：和一定温度所要求的结构相一致。
结构松弛： 熔体冷却到一定温度，结构相应调整，重新排列， 以达到该温度下的平衡结构，同时释放能量，该过程叫作玻璃结构调整的过程。
,Tf 结构变化是瞬时的，能够适应T的变化，结构单元变化速率VT变化。
,Tf Tg 结构改变发生滞后，结构调整不充分。
实际结构可看成较高温度下的平衡结构，结构改变速度VT,Tg粘度很大， 结 构凝固， 失去平衡， 结构不充分。
,传统玻璃非传统玻璃区别,第一类性质：玻璃的电导、比容、粘度等第二类性质：玻璃的热容、膨胀系数、密度、折射率等第三类性质：玻璃的导热系数和弹性系数等,四、 熔融态向玻璃。

5、或几种化合物的单质气体供给衬底，利用加热、等离子体、紫外光、激光等能源，借助气相作用或在衬底表面的化学反应生成所需要求（成分和结构）薄膜的方法。
,薄膜,CVD技术分类 ：（1） 按淀积温度，可分为低温（200500C）、中温（5001000C） 和高温（10001300C）CVD ； （2） 按反应器内的压力，可分为常压CVD和低压CVD；（3） 按反应器壁的温度，可分为热壁方式和冷壁方式CVD；（4） 按反应激活方式，可分为热激活和等离子体激活CVD等。
,5-1 化学气相沉积的基本原理,化学气相沉积的基本原理是建立在化学反应的基础上，习惯于把反应物是气体而生成物之一是固体的反应称为CVD反应。
基本类型如下：热分解反应： AB(g)A(s)+B(g)例: SiH4 Si+2H2还原或置换反应：AB(g)+C(g) A(s)+BC(g)(C为H2或金属）例： SiCl4+2H2 Si+4HCl,氧化或氮化反应: AB(g)+2D(g) AD(s)+BD(g)(D为O2或N2)例: SiH4+O2。

6、 2e忽略二阶电离, ni = ne, nn为中性粒子浓度a = ne /(ne+ nn)1). 完全电离等离子体 a = 1 2). 部分电离等离子体 0.01 a 1 3). 弱电离等离子体 10-12 a 0.01,（三）按系统温度分类 ( 1 eV = 11,610 K )1. 高温等离子体 (LTE) Tg = Ti = Te = = 108-9 K ( 104-5 eV )2. 低温等离子体 1). 热等离子体Tg Ti Te （ LTE )5,000 K Ti Tg （ NTE )100 K Tg 1,000 K Te通常为 1 至数十eV (可比热等离子体高！),低温等离子体的产生方式气体放电 等离子体（电场作用加速荷电粒子导致电离）1）低气压放电：直流 辉光放电高频放电 （微波、射频）2）高气压放电：直流 弧光放电 (LTE)电晕放电 (NTE)介质阻挡放电 (NTE) 2. 热致电离等离子体 (高平动能原子、分子碰撞导致电离)高温燃烧、爆炸、击波 3. 。

7、高效率太阳能电池材料，大屏幕液晶显示器和平面显示器，a-Si传感器和摄像管，非晶电致发光器件等。
对非晶半导体的研究不仅在新材料、新器件和新工艺方面具有重要意义，而且对进一步认识固体理论中的许多问题也会产生深远影响。
,特点,结构上，非晶半导体的组成原子排列呈长程无序状态，但原子间的键合力十分类似于晶体，即其结构上表现为长程无序、短程有序。
因而在能带结构上是定域化的，即电子的迁移率变得十分小，室温下电阻率很高。
可通过改变组分实现物性的连续变化，包括密度、相变温度、电导率、禁带宽度等。
,在热力学上处于亚稳态，在一定条件下可转变为晶态。
材料结构、电学及光学性质都十分灵敏地依赖于制备条件与制备方法，因而性能重复性较差。
物理性能各向同性，无周期性结构约束。
容易形成大面积均一性好的薄膜。
a-Si中一般存在大量氢，常称氢化非晶硅，(a-Si:H),Study by Fluctuation electron microscopy,Qualitative picture of variance of the diffracted intensity from: (a) a complete。

8、保护层算起至今，也只是50多年。
因而，有关非晶态材料的理论还不算成熟。
然而，非晶态材料的发展和应用却很迅速。
我们知道，物质的聚集态，从气体、液体到固体，从有序度来讲，其中原子或分子排列有序度是从低到高。
非晶态物质可以看作有序度介于晶体和液体之间的一种聚集态。
它和液晶一样，不像晶态物质那样具有完善的近程和远程有序，而是不存在长程有序，仅具有近程有序。
因此“短程有序”是非晶态固体的基本特征之一。
这种“近程”范围一般只是个小区间，大约为100150nm。
,1概论,3,（1）只存在小区间范围内的短程有序，在近程或次近邻的原子间的键合（如配位数、原子间距、键角、键长等）具有某种规律性，但没有长程序； （2）非晶态材料的X-射线衍射花样是有较宽的晕和弥散的环组成，没有表征结晶态特征的任何斑点和条纹，用电子显微镜也看不到晶粒间界、晶格缺陷等形成的衍衬反差； （3）当温度升高时，在某个很窄的温度区间，会发生明显的结构相变，因而它是一种亚稳相。
由于人们最为熟悉的玻璃是非晶态，所以也把非晶态称作无定形体或玻璃体（Amorphous or Glassy States）,2 非晶微观结构上的特征,4,非。