半导体物理与器件尼曼-答案

1、Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 1By D. A. Neamen Problem Solutions_1Chapter 1Problem Solutions1.1(a) fcc: 8 corner atoms atom18/6 face atoms atoms32Total of 4 atoms per unit cell(b) bcc: 8 corner atoms atom/1 enclosed atom =1 atomTotal of 2 atoms per unit cell(c) Diamond: 8 corner atoms 。

2、 Chapter 3 3 1 If were to increase the bandgap energy would decrease and the material would begin to behave less like a semiconductor and more like a metal If were to decrease the bandgap energy would。

3、Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 8By D. A. Neamen Problem Solutions_1Chapter 88.1In forward biaskTeVISfxpThen212121expeVkTkVISfor2121lnfIeT(a)For , then021fI1ln59.1VormV mV62(b)For , then102fIln59.1VormV mV322_。

4、Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 4By D. A. Neamen Problem Solutions_1Chapter 44.1kTENngciexp2gOc30where and are the values at 300 K.c(a) Silicon(K)T(eV)kT(cm )in320460172.3458. 41068.27.9(b) Germanium (c) GaAs(K)T(cm )in3(cm )in32046106.248. 8.91027.5_。

5、Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition Chapter 7By D. A. Neamen Problem Solutions_1Chapter 77.12lnidatbiNV(a)(i) 21055.l059.biV61(ii) 21065.ln2.biV70(iii) 21075.l59.biV31(b)(i) 21057.ln0259.biV731(ii) 210675.l.biV90(iii) 21077.ln2.biV85_。

6、第一章 固体晶体结构小结 1. 硅是最普遍的半导体材料2. 半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。晶胞是晶体中的一小块体积，用它可以重构出整个晶体。三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。3. 硅具有金刚石晶体结构。原子都被由 4 个紧邻原子构成的四面体包在中间。二元半导体具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格基本相同。4. 引用米勒系数来描述晶面。这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。密勒系数也可以用来描述晶向。5. 半导体材料中存在缺陷，如空位、替位杂质和填隙杂质。少量可控的替位杂质有益于改变半导。

7、Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3rdedition Chapter 7 Solutions Manual Problem Solutions 83 Chapter 7 Problem Solutions 7.1 VVNNnbi tadi=FHGIKJln2where VVt= 00259. and nxcmi=15 1010 3. We find (a) For Ncmd=1015 3VVbi() iN cma() =1015 3ii N cma() =1016 3iii N cma() =1017 3iv N cma() =1018 30575. V 0635. 0695. 0754. (b) For Ncmd=1018 3VVbi() iN cma() =1015 3ii N cma() =1016 3iii N cma() =。

8、第八章 pn结二极管,0,高等半导体物理与器件 第八章 pn结二极管,第八章 pn结二极管,1,pn结电流 产生-复合电流和大注入 pn结的小信号模型,本章内容,第八章 pn结二极管,2,（1）pn结内电荷流动的定性描述,8.1 pn结电流,第八章 pn结二极管,3,pn 结加正偏Va，Va基本上全降落在耗尽区的势垒上 由于耗尽区中载流子浓度很小，与中性p区和n区的体电阻相比耗尽区电阻很大 势垒高度由平衡时的eVbi降到e(Vbi-Va) ；正向偏压Va产生的电场与内建电场反向，势垒区中电场强度减弱，相应使空间电荷数量减少，势垒区宽度变窄。,第八章 pn结二极管,4,产生净扩。

9、第一章 固体晶格结构,0,高等半导体物理与器件 第一章 固体晶格结构,1,课程讲授者：张旭琳 办公室：南区电子大楼912 联系电话：0755-26534860 E-mail：zxlinszu.edu.cn,第一章 固体晶格结构,2,课程概论,课程名称：高等半导体物理与器件 学分：3 时间：春季学期,第一章 固体晶格结构,3,教材与参考资料,半导体物理与器件（第四版）， 美 D A Neamen著，赵毅强、姚素英、史再峰等译，电子工业出版社，2013年。 半导体器件物理（第3版），美施敏、伍国珏著， 耿莉、张瑞智译，西安交通大学出版社，2008年。,第一章 固体晶格结构,4,第一章 固体。

10、第九章金属半导体和半导体异质结 0 高等半导体物理与器件第九章金属半导体和半导体异质结 第九章金属半导体和半导体异质结 1 肖特基势垒二极管金属 半导体的欧姆接触异质结 本章内容 第九章金属半导体和半导体异质结 2 9 1肖特基势垒二极管 异质结 两种不同材料组成的结 金属 半导体接触欧姆接触 接触电阻很低 结两边都能形成电流整流接触 肖特基二极管 多发生在金属 n型半导体接触肖特基二极管电流主要。

11、第十二章 双极晶体管,高等半导体物理与器件 第十二章 双极晶体管,第十二章 双极晶体管,1,主要内容,双极晶体管的工作原理 少子的分布 低频共基极电流增益 非理想效应 等效电路模型 频率上限 大信号开关 小结,第十二章 双极晶体管,2,晶体管基本工作原理：在器件的两个端点之间施加电压，从而控制第三端的电流。 最基本的三种晶体管：双极晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管。 双极晶体管：在此器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 双极晶体管中有2个pn结，结电压的正负情况可以有多种组合，导致器件有不。

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