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尼曼 半导体物理与器件第一章.ppt

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资源描述

1、第一章 固体晶格结构,0,高等半导体物理与器件 第一章 固体晶格结构,1,课程讲授者:张旭琳 办公室:南区电子大楼912 联系电话:0755-26534860 E-mail:,第一章 固体晶格结构,2,课程概论,课程名称:高等半导体物理与器件 学分:3 时间:春季学期,第一章 固体晶格结构,3,教材与参考资料,半导体物理与器件(第四版), 美 D A Neamen著,赵毅强、姚素英、史再峰等译,电子工业出版社,2013年。 半导体器件物理(第3版),美施敏、伍国珏著, 耿莉、张瑞智译,西安交通大学出版社,2008年。,第一章 固体晶格结构,4,第一章 固体晶体结构第二章 量子力学初步第三章 固

2、体量子理论初步第四章 平衡半导体第五章 载流子输运现象第六章 半导体中的非平衡过剩载流子第七章 pn结第八章 pn结二极管第九章 金属半导体和半导体异质结第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础第十一章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管:概念深入第十二章 双极晶体管第十三章 结型场效应晶体管 第十四章 光器件 第十五章 半导体功率器件,课程内容,半导体物理,半导体器件基础,固体物理,量子理论,专用半导体器件,第一章 固体晶格结构,5,第一章 固体晶格结构,1.1 半导体材料 1.2 固体类型 1.3 空间晶格 1.4 金刚石结构 1.5 原子价键 1.6 固体中的缺陷和杂质 1.7 半导体

3、材料的生长 小结,第一章 固体晶格结构,6,1.1 半导体材料,半导体(semiconductor),导电性介于导体与绝缘体的物质。,第一章 固体晶格结构,7,元素半导体与化合物半导体,第一章 固体晶格结构,8,1.2 固体类型,有序化区域:原子或分子有规则或周期性几何排列的空间范畴。 非晶(无定形):基本无序(几个原子或分子的尺度,即纳米量级,一般只有十几埃至几十埃的范围)。 多晶:长程无序,短程有序(成百上千个原子的尺度,每个晶粒的尺寸通常是在微米的量级)。 单晶:长程有序(通常包含整块晶体,一般在毫米量级以上)。,第一章 固体晶格结构,9,1.3 空间晶格,单晶:一典型结构或原子团在三维

4、的每一个方向按某种间隔规则重复排列。 晶格:原子的周期性排列。将构成晶体的粒子抽象为一个点,这样得到的空间点阵成为晶格。用称为格点的点来描述原子排列。,第一章 固体晶格结构,10,晶胞(单胞):以格点为顶点、以三个独立方向上的周期为边长所构成的平行六面体;是可以复制出整个晶体的一小部分晶体,通常能够反映出整块晶体所具有的对称性。 原胞:可以复制得到整个晶格的最小单元。,晶格、原胞的选取都不是唯一的。,第一章 固体晶格结构,1.3.1 原胞和晶胞,单晶晶格二维表示,11,晶胞和晶格的关系用矢量 、 、 表示,三个矢量可不必互相垂直,长度可以不相等,基矢长度称为晶格常数 。 每个等效格点可用下述矢

5、量表示其中,p、q、s为整数。,广义原胞,第一章 固体晶格结构,12,立方晶系基本的晶体结构: 常见的三个基本的立方结构 (1)简单立方结构(sc) (2)体心立方结构(bcc) (3)面心立方结构(fcc),第一章 固体晶格结构,1.3.2 基本的晶体结构,13,简立方结构Simple Cubic每个顶角有一个原子,体心立方结构Body Centered Cubic除顶角外在立方体中心还有有一个原子,第一章 固体晶格结构,14,面心立方结构 Face Centered Cubic简立方的六个面的中心各有一个原子,例1.1:求体心立方单晶材料的原子体密度,其晶格常数a=5。 解:原子体密度=(

6、81/8+1)/(510-8)3=1.61022个原子/cm3实际密度是晶体类型和晶体结构的函数。,第一章 固体晶格结构,15,晶面:晶格的格点还可以看成分列在平行等距的平面系上,这样的平面称为晶面。,第一章 固体晶格结构,1.3.3 晶面和米勒指数,16,由于不同平面的原子空间不同;因此,沿不同平面的晶体特性并不同,电学及其他器件特性与晶体方向有重要关联。 米勒指数:用以描述晶面的一组整数。可由下列步骤确定: 找出平面在三坐标轴上的截距p、q、s(以晶格常数为单位); 取这三个截距倒数,将其化简成为最简单的整数比,; h、k、l为互质的整数,以(hkl)来标志该晶面,称为米勒指数。 例1.2

7、:描述右图所示的平面(图中只标出了三个轴上 的格点)。,第一章 固体晶格结构,17,等效晶面 立方晶体有6个不同侧面,由于晶格对称性,晶体在这些晶面的性质完全相同,统称等效晶面,写成100; 对角面共有6个,统称这些对角面时,写成110; 顶对角面共有8个,统称这些顶对角面时,写成111。,第一章 固体晶格结构,原子面密度(/cm2)单晶半导体有限大,存在某些表面。晶格中特定晶面的函数。,例1.3:计算一个晶体中特定平面的原子面密度。 如图(a)所示的体心立方结构,和如图(b) 所示的(110)平面,a1=5。 解:每个晶面的原子个数为1/44+1=2原子面密度:面密度=(2个原子)/a1(a

8、12)=5.661014个原子/cm2,18,第一章 固体晶格结构,19,晶向 晶体的一个基本特点是具有方向性,沿晶体的不同方面晶体的性质不同。 晶格的格点,可以看成分列在一系列相互平行的直线系上,这些直线系称为晶列。 同一个格子可形成方向不同的晶列, 每个晶列定义一个方向,该方向称为晶向, 晶向用晶向指数标记。,第一章 固体晶格结构,1.3.4 晶向,20,晶向指数的确定:如果沿着某一晶向,从一个原子到最近的原子的位移矢量为: ,则该晶向就用l1、l2、l3来标志,写成l1 l2 l3。标志晶向的这组数称为晶向指数 。,第一章 固体晶格结构,21,1.4 金刚石结构,金刚石结构(硅、锗):属

9、面心立方晶体家族,由两个面心立方结构套构形成,此两个副晶格偏移的距离为立方体体对角线的1/4。此两个副晶格中的两组原子虽然在化学结构上相同,但以晶格观点看却不同。,第一章 固体晶格结构,22,铅锌矿(闪锌矿)结构(GaAs):与金刚石晶格结构类似,只是两个相互套构的面心立方副晶格中的组成原子不同,其中一个副晶格为III族原子(Ga),另一个副晶格为V族原子(As)。,第一章 固体晶格结构,23,1.5 原子价键,原子或分子结合形成晶体,最终达到平衡时系统的能量必须达到最低。1. 离子晶体:离子键,例如NaCl晶体等;2. 共价晶体:共价键,例如Si、Ge以及GaAs晶体等;3. 金属晶体:金属

10、键,例如Li、Na、K、Be、Mg以及Fe、Cu、Au、Ag等;4. 分子晶体:范德华键,例如惰性元素氖、氩、氪、氙等在低温下则形成分子晶体,HF分子之间在低温下也通过范德华键形成分子晶体。,第一章 固体晶格结构,24,硅材料中共价键形成示意图,硅原子的价电子,硅原子中的共价键,第一章 固体晶格结构,25,1.6 固体中的缺陷与杂质,点缺陷替位、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。,线缺陷,亦称位错刃形和螺旋。,面缺陷孪晶和晶粒间界。,体缺陷杂质或掺杂原子的析出现象。这些缺陷的产生是由在主晶格中的固溶度引起的。,理想单晶材料中不含任何缺陷与杂质,且晶体中的原子都处于晶格中的平衡位置,实际的晶体材料并非如

11、此理想和完美无缺,存在原子的热振动。,第一章 固体晶格结构,固体中的缺陷,26,(1)点缺陷,第一章 固体晶格结构,27,(2)线缺陷,第一章 固体晶格结构,28,(3)面缺陷,反映孪晶,旋转孪晶,小角度晶界,第一章 固体晶格结构,29,晶体中与本体原子不同的元素的原子均称为杂质。 来源:有可能是材料制备或器件制造工艺过程中的沾污,也有可能来源于人为的引入,用以控制其电学及其它特性。 杂质在半导体中存在方式:间隙式和替位式。 间隙式杂质:位于本体原子晶格间隙中,这类杂质原子半径较小,如H、Li;,固体中的杂质,第一章 固体晶格结构,30,替位式杂质:取代本体原子位置,处于晶格点上;这类杂质原子

12、价电子壳层结构接近本体原子,如、族在Si、Ge(族)中的情况,、族在-化合物中。,第一章 固体晶格结构,31,杂质原子激活: 人为引入的杂质原子, 只有处于替位式时,才能激活,起到改变和控制半导体材料导电性的作用。例如、族元素原子掺入Si、Ge中,多以替位式存在。,晶体中引入杂质的方法称为掺杂,掺杂方法分为: (1)高温扩散掺杂,(2)离子注入掺杂。,第一章 固体晶格结构,32,1.7 半导体材料的生长,半导体是最纯的材料之一,如硅的纯度已达到百亿分之一。 生长半导体单晶材料的方法主要有以下几种: 1、熔融体中生长:Czochralski方法(CZ法)。籽晶直拉法。 进一步采用区熔再结晶方法提

13、纯。,第一章 固体晶格结构,33,实际拉制出的12英寸硅单晶锭:1m、直径300mm、重140kg,将硅单晶锭切割成硅晶园片的切片机,工作人员利用卡塞(Cassette)装载的300mm硅晶园片,第一章 固体晶格结构,34,2、外延层生长法 外延生长方法按照材料的类型可分为以下两大类: (1)同质外延,(2)异质外延。 常用的外延方法有: (1)化学气相淀积法(CVD):也称为气相外延法(VPE); (2)液相外延法(LPE):温度低于CZ法,常用于化合物半导体材料的外延; (3)分子束外延法(MBE):高真空,400至800,可精确控制。,第一章 固体晶格结构,35,气相外延法(VPE)示意图,分子束外延(MBE)设备原理示意图,实际的MBE设备,第一章 固体晶格结构,36,小 结,半导体材料 固体类型 晶格结构的描述 米勒指数 金刚石结构、闪锌矿结构 缺陷、杂质 材料的生长,第一章 固体晶格结构,37,作 业,1.11(a)-(c) 1.16 1.24(Si晶格常数5.43),第一章 固体晶格结构,谢 谢!,第一章 固体晶格结构,

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