1、计算机组成原理,存储器概述&半导体存储器,基本概念,存储元，可存储一个二进制代码 存储单元，若干个存储元组成一个存储单元 存储器，由许多存储单元组成一个存储器 字地址：存放一个机器字的存储单元地址 字节地址：存放一个字节的存储单元地址 如果计算机中可编址的最小单位是字存储单元，则该计算机称为按字寻址的计算机。如果计算机中可编址的最小单位是字节，则该计算机称为按字节寻址的计算机。,存储器的分类,按存储介质分 半导体存储器 磁表面存储器 光盘 按数据的存取方法分 顺序存取 直接存取 随机存取 相联存取,按读写功能分 只读存储器（ROM） 随机访问存储器（RAM） 按信息的可保存性分 非永久记忆的存
2、储器 永久性记亿的存储器 按在计算机系统中的作用分 主存储器 辅助存储器 高速缓冲存储器,主存储器的技术指标,存储容量：在一个存储器中可以容纳的存储单元总数通常称为该存储器的存储容量。 存取时间：存取时间ta又称存储器访问时间。 存储周期：存储周期tc是指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间。 传输率：传输率是指数据传入或传出存储单位的速率。 带宽：单位时间内存储器可读写的字节数（或二进制的位数）称为存储器的带宽。 价格：价格是存储器的一个经济指标，一般用每位价格来表示。,存储器的层次结构,存储器设计的关键问题：容量大小？速度快慢？价格高低 ？ 目前的存储器件有如下特点： 存取时间越短，每位的
3、价格就越高 容量越大，每位的价格就越低 容量越大，存取时间就越长,存储器的层次结构,缓存-主存层次和主存-辅存层次,常用的半导体器件,双极型半导体TTL（Transistor-Transistor Logic）,金属氧化物场效应半导体器件MOS（Metal Oxide Semiconductor）,在计算机中最常用的是MOS器件组成的存储器。,Static RAM,Short for static random access memory. SRAM is a type of memory that is faster and more reliable than the more commo
4、n DRAM (dynamic RAM). The term static is derived from the fact that it doesnt need to be refreshed like dynamic RAM. While DRAM supports access times of about 60 nanoseconds, SRAM can give access times as low as 10 nanoseconds. In addition, its cycle time is much shorter than that of DRAM because it
5、 does not need to pause between accesses. Unfortunately, it is also much more expensive to produce than DRAM. Due to its high cost, SRAM is often used only as a memory cache.,6管MOS SRAM（字线选择）,6管MOS SRAM（双向选择）,Dynamic RAM,A type of physical memory used in most personal computers. The term dynamic ind
6、icates that the memory must be constantly refreshed (reenergized) or it will lose its contents. RAM (random-access memory) is sometimes referred to as DRAM (pronounced dee-ram) to distinguish it from static RAM (SRAM). Static RAM is faster and less volatile than dynamic RAM, but it requires more pow
7、er and is more expensive.,单管MOS DRAM,DRAM实例,DRAM的刷新,刷新周期 刷新方式 集中刷新 分散刷新 异步刷新,DRAM控制器,ROM-Read Only Memory,半导体掩模只读存储器MROM（Masked Read Only Memory） 一次性编程只读存储器PROM（Programmable ROM） 可擦写可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM） 电可擦写可编程只读存储器EEPROM（Electrically Erasable PROM） 快闪存储器FLASH Memory,MOS只读存储器,TTL只读存储器,多射级熔丝式PROM,EPROM基本结构,EPROM芯片和紫外线擦除器,EEPROM基本结构,扩展阅读,SRAM实例8K8 Static RAM CY6264-55SC http:/ DRAM实例256 K4 Dynamic RAM HYB514256B http:/ FLASH存储器 http:/en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory,
