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第6章 存储系统.doc

上传人:gnk289057 文档编号:7946615 上传时间:2019-05-30 格式:DOC 页数:6 大小:44.50KB
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1、第 6 章 存储系统习题 6.1简答题解答 因为各种存储器件在容量、速度和价格方面存在矛盾。速度快,则单位价格高;容量大,单位价格低,但存取速度慢。故存储系统不能采用一种存储器件。 Cache 中复制着主存的部分内容。当处理器试图读取主存的某个字时,Cache 控制器首先检查 Cache 中是否已包含有这个字。若有,则处理器直接读取 Cache,这种情况称为高速命中;若无,则称为高速缺失。 标签存储器保存着该数据所在主存的地址信息。 主存块与 Cache 行之间的对应关系称“地址映射” , Cache 通过地址映射确定一个主存块应放到哪个 Cache 行组中。 写入策略用于解决写入 Cache

2、 时引起主存和 Cache 内容不一致性的问题。 存取时间是指从读 /写命令发出,到数据传输操作完成所经历的时间;存取周期表示两次存储器访问所允许的最小时间间隔。存取周期大于等于存取时间。 虚拟存储器是由操作系统利用辅助存储器、以磁盘文件形式建立的、在主存储器与辅助存储器之间的一个存储器。 DRAM 芯片容量大、芯片小,高集成度,引脚数量少。故 DRAM 芯片将地址引脚分时复用,即用一组地址引脚传送两批地址。第一批地址称行地址,第二批地址称列地址。 译码电路中只有部分地址线参与译码会造成地址重复,也就是一个存储单元占有多个存储器地址。页表项的 P 位称为存在位(Present) ,表示该页面是

3、否在物理存储器中。习题 6.2判断题。解答 错 对 对 对 对 错 错 对 错 对习题 6.3填空题解答 8,1024,1024,1024,1024,240 8KB,4 随机存取存储器,丢失,只读存储器,读取,不会丢失 8,13,8 2(UV- )EPROM,Flash Memory 58000H,5FFFFH,32KB 32,4,64,8 直接映射,组合相关映射,全相关映射,2 路组合相关映射 00820000H,02000H习题 6.4举例说明存储访问的局部性原理。解答处理器访问存储器时,无论是读取指令还是存取数据,所访问的存储单元在一段时间内都趋向于一个较小的连续区域中,这就是存储访问的

4、局部性原理。例如,求平均值的函数。long mean(long d, long num)long i,temp=0;for(i=0; inum; i+) temp=temp+di;temp=temp/num;return (temp);函数中的变量 temp 体现了时间局部,因为每次循环都要使用它。顺序访问数组 d的各个元素(相邻存放在主存) ,体现了空间局部。循环体内的指令顺序存放,依次读取执行体现了空间局部;同时重复执行循环体,又体现了时间局部。习题 6.5简述存储系统的层次结构及各层存储部件特点。解答为解决容量、速度和价格的矛盾,存储系统采用金字塔型层次结构,单位价格和速度自上而下逐层减

5、少,容量自上而下逐层增加。存储系统的各层存储部件自上而下依次是:CPU 寄存器、高速缓存、主存存储器(RAM/ROM),辅助存储器如磁盘、光盘等。CPU 寄存器、高速缓存器集成在 CPU 芯片上,对用户来说,是透明的,它们用于暂存主存和处理器交互的数据,以减少频繁读取主存而影响处理器速度;主存储器则可和处理器直接交换数据,而辅助存储器必须经过主存存储器,才可与处理器进行数据交换。习题 6.6在半导体存储器件中,什么是 SRAM、DRAM 和 NVRAM?解答SRAM 是静态读写存储器芯片,它以触发器为基本存储单元,以其两种稳定状态表示逻辑0 和逻辑 1。DRAM 是动态读写存储器芯片,它以单个

6、 MOS 管为基本存储单元,以极间电容充放电表示两种逻辑状态,需要不断刷新保持信息正确。NVRAM 多指带有后备电池的 SRAM 芯片,这种芯片采用 CMOS 制造工艺设计以减少用电。习题 6.7SRAM 芯片的片选信号有什么用途?对应读写控制的信号是什么?解答片选信号:片选有效时,才可以对该芯片进行读/写操作;无效时,数据引脚呈现高阻状态、与系统数据总线隔离,并可降低内部功耗。读控制信号:在芯片被选中的前提下,若有效,则芯片将允许地址信号选择的存储单元内的数据输出到数据引脚上。写控制信号:在芯片被选中的前提下,若有效,则芯片将数据引脚上的数据写入地址信号选择的存储单元内。习题 6.8DRAM

7、 为什么要刷新,存储系统如何进行刷新?解答DRAM 以单个 MOS 管为基本存储单元,以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小,充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失,所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址,将存储 DRAM 芯片中的某一行选中刷新。实际上,刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有 DRAM 芯片,所有 DRAM 芯片都在同时进行一行的刷新操作。刷新控制电路设置每次行地址增量,并在一定时间间隔内启动一次刷新操作,就能够保证所有 DRAM 芯片的所有存储单元得到及时刷新。习题 6.9什么是掩摸 ROM、OTP

8、-ROM、EPROM、EEPROM 和 Flash ROM?解答掩膜 ROM:通过掩膜工艺、将要保存的信息直接制作在芯片当中,以后再也不能更改。OTP-ROM:该类芯片出厂时存储的信息为全“1” ,允许用户进行一次性编程,此后便不能更改。EPROM:一般指可用紫外光擦除、并可重复编程的 ROM。EEPROM:也常表达为 E2PROM,其擦除和编程(即擦写)通过加电的方法来进行,可实现“在线编程”和“在应用编程”Flash ROM:是一种新型的电擦除可编程 ROM 芯片,能够很快擦除整个芯片内容。习题 6.10请给出教材图 6-7 中 138 译码器的所有译码输出引脚对应的地址范围。解答的地址范

9、围依次是:E0000HE3FFFH,E4000HE7FFFH,E8000HEBFFFH,EC000HEFFFFH ,F0000HF3FFFH,F4000H F7FFFH,F8000HFBFFFH ,FC000H FFFFFH。习题 6.11什么是存储器芯片的全译码和部分译码?各有什么特点?解答全译码:使用全部系统地址总线进行译码。特点是地址唯一,一个存储单元只对应一个存储器地址(反之亦然) ,组成的存储系统其地址空间连续。部分译码:只使用部分系统地址总线进行译码。其特点:有一个没有被使用的地址信号就有两种编码,这两个编码指向同一个存储单元,出现地址重复。习题 6.12区别如下各个主存名称的含义

10、:常规主存,扩展主存,扩充主存;上位主存区 UMA 和上位主存块 UMB,高端主存区 HMA,影子主存。解答常规主存:8088 和 8086 提供 20 个地址线 A19A0 ,寻址 1MB 的存贮空间,其中,最低640KB 的系统 RAM 区被称为常规主存或基本主存。扩展主存:IA-32 处理器在 1MB 之后的主存空间都作为 RAM 区域使用,被称为扩展主存。扩充主存:处理器不可以直接访问,利用“体交换技术”实现处理器访问。上位主存区 UMA:在常规主存其后 384KB(A0000HFFFFFH)主存称为上位主存区UMA。上位主存块 UMB:上位主存区 UMA 没有被使用部分,被开辟为上位

11、主存块 UMB。高端主存区 HMA:在实方式下,通过控制 A20 开放,程序可以访问的 1MB 之后的 64KB区域。影子主存:PC 机启动后可以将 ROM-BIOS 映射到 RAM 中,这部分用作 ROM-BIOS、并被操作系统设置为只读的 RAM 区域。习题 6.13开机后,微机系统常需要检测主存储器是否正常。例如,可以先向所有存储单元写入数据55H(或 00H) 、然后读出看是否还是 55H(或 00H) ;接着再向所有存储单元写入数据AAH(或 FFH) 、然后读出看是否还是 AAH(或 FFH) 。利用两个二进制各位互反的 “花样”数据的反复写入、读出和比较就能够识别出有故障的存储单

12、元。利用获得的有故障存储单元所在的物理地址,如果能够分析出该存储单元所在的存储器芯片,就可以实现芯片级的维修。试利用汇编语言编写一个检测常规主存最高 64KB(逻辑地址从 9000H0000H到 9000HFFFFH)的程序,如果发现错误请显示其逻辑地址。解答; 代码段mov ax,9000hmov ds,axmov ah,55h ; 先用 55Hpush axagain: mov bx,0mov al,ahagain1: mov bx,al ; 写入dec bxjnz again1again2: mov al,bx ; 读出cmp al,ah; 检测jz next2dispcrlfpush

13、axmov ax,dscall disphw ; 显示段地址mov al,:call dispcmov ax,bxcall disphw ; 显示偏移地址pop axnext2: dec bxjnz again2pop axcmp ah,0aah ; 后用 0AAHjz donemov ah,0aahjmp againdone:习题 6.14什么是 LRU 替换算法?80486 片内 Cache 中,如果 3 个替换算法位 B2B1B0010,则将替换哪个 Cache 行,并给出你的判断过程。解答LRU 算法是近期最少使用、即选择最长时间未被使用的数据块进行替换的算法。B00,说明最近访问了

14、L2/L3 行,所以应该替换 L0 或 L1 行。B1 1,说明最近访问了L0 行,所以应该替换 L1。因为 LRU 算法是选择最长时间未被访问的 Cache 行进行替换。习题 6.15高速缓冲存储器 Cache 的写入策略是解决什么问题的?有哪两种写入策略,各自的写入策略是怎样的?解答写入策略用于在写命中时 Cache 与主存内容保持一致。直写式写入策略指处理器对 Cache 写入的同时,将数据也写入到主存,这样来保证主存和Cache 内容一致。它简单可靠。回写 Cache 只有在行替换时才可能写入主存,写入主存的次数,会少于处理器实际执行的写入操作数。回写 Cache 的性能要高于直写 C

15、ache,但实现结构略为复杂。习题 6.1680486 片上 8KB Cache 的标签存储器为什么只需要 21 位?解答80486 片上 Cache 共有 8KB 容量,采用 4 路组合地址映射方式。对于 4GB 容量的主存来说,以 Cache 路为单位,可以分成 4GB2KB232211221 个 Cache 路。这样每个 Cache行只要设计一个 21 位的标签存储器,记录该 Cache 行映射到哪个主存的 Cache 路。再结合直接映射的组号就可以明确该 Cache 行对应哪个主存块。习题 6.17高速缓存的写入操作有几个很近似的英文词汇,它们分别表示什么含义?(1)Write Thr

16、ough (2)Write Back(3)Write Around (4)Fetch on Write解答(1)Write Through:写命中时的直写策略。(2)Write Back:写命中时的回写策略。(3)Write Around:写未命中时的不写分配法,即绕写法。(4)Fetch on Write:写未命中时的写分配法,即写时取法。习题 6.18区别如下高速缓存中的概念:(1)主存数据块 Block (2)高速缓存行 Line(3)高速缓存组 Set (4)高速缓存路 Way解答(1)主存数据块 Block:高速缓存与主存间的数据传送以数据块(Block)为单位,例如B 个字。主存数

17、据块 Block 是主存中连续的 B 个字数据。(2)高速缓存行 Line:指高速缓存中包含 B 个字的一个单元。(3)高速缓存组 Set:组合相关映射将多个 Cache 行作为一个组( Set) 。(4)高速缓存路 Way:组合相关映射将所有组中同位置 Cache 行称为一路(Way) 。习题 6.19什么是段选择器、描述符、描述符表和描述符表寄存器?解答段选择器:保护方式下的 16 位段寄存器就是段选择器。描述符:是保护方式引入的数据结构,有 8 个字节 64 位,具有段基地址、访问权限、段界限等字段。IA-32 处理器利用它来实现存储管理、特权与保护。描述符表:描述符表是存放描述符的一个

18、特殊区域段。描述符表寄存器:指明描述符表所在主存地址的寄存器。习题 6.20IA-32 处理器在保护方式下,段寄存器是什么内容?若 DS78H,说明在保护方式其具体的含义。解答段寄存器是段选择器,包含 3 个域,指向一个段描述符。DS78H,说明当前数据段描述符是全局描述符表中的第 0FH 个描述符。本次访问数据的特权级别为 0,最高。习题 6.21采用 4KB 分页,说明 IA-32 处理器将线性地址转换为物理地址的过程。解答通过 2 级查表来实现线性地址转换为位物理地址。(1)在 CR3 中包含着当前任务的页目录的起始地址,将其加上线性地址最高 10 位A31A22 确定的页目录项的偏移量,便访问到指定的页目录项。(2)在此页目录项中包含着指向的页表的起始地址,将其加上线性地址中间的 10 位A21A12 确定的页表项的偏移量,便访问到指定的页表项。(3)在此页表项中包含着要访问的页面的起始地址,将其加上线性地址最低 12 位A11A0 的偏移量,就从这一页中访问到所寻址的物理单元。

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