1、1、薄膜电池电极引线问题转问:如题，大家用的铝带(薄膜电池电极引线)是哪家公司的？不方便直接说，请发短消息给我，谢谢！还有通常说的铝带应该是铝合金带还是纯铝？与 SnO2:F 的结合性如何？与背电极 Al/Ni 的焊接性又如何?铺设于引线之下的绝缘带大家用什么材料？偶想用薄的 TPE 或薄双面胶，但怕双面胶不够稳定其实还有一个问题：非晶硅薄膜电池电极引线为什么要用铝带？而不用镀锡铜带金属之间的可焊接性？成本？还是其他原因望这方面的高手出来解疑：铜带超级厚 根本焊补上 况且即便焊上 层压也会压裂吧 双面胶就可以：0.080.1mm 也算厚吗?那常用的铝带大概多少厚？双面胶用那哪的好一点？美国大公
2、司的？：太厚了很容易压裂的啊双面胶没有最好的，只有最适用的，大面积撒网试验，然后挑选焊接结合和 Sno2 有关系吗？不知道2、氢气直接还原二氧化硅（超纯面板）制作多晶硅薄膜制作多晶硅薄膜的传统方法需要较高的工作温度，浪费电能，而且晶粒生长速度缓慢，需要找寻一个能与之有很好匹配性能的衬底，生产工序流程繁多复杂，导致成本高。 这里讲到的以氢气直接还原超纯玻璃面板法，省略了传统工艺流程中的很多工序，而且工作温度相对来说较低，在根本上改变了晶粒生长方式，而且是可以在两面都制作 P/N 结，本人认为值得一试：首先选定一定尺寸型号的玻璃板，要求这块玻璃板中二氧化硅含量尽可能达到 100，这样可以确保多晶硅
3、薄膜的纯度，其长宽数值可以直接根据不同功率输出进行选择，将切割好的超纯玻璃面板置入加热炉内，炉子要求密闭性能好不可漏气，将炉子尽可能抽成真空，当然要求炉子能承受一个大气压，然后将纯净的氢气放入，这样超纯玻璃面板就处于一个氢气氛围中，对玻璃面板进行加热，要求温度不至于高到使玻璃板发生融化而变形，这可以通过温度传感器来控制加热部分，加热可以利用微波或者电磁方式，传感器检测到温度过高时切断加热电路，要求热量利用效率尽可能高，而热量损失尽可能少，炉子内壁能将热反射到玻璃上，炉子外壁套一层高温隔热材料。我们都知道二氧化硅在高温下能被铝或者镁还原，氢气作为一种还原剂，也许同样能还原二氧化硅，在纯氢气氛围中
4、，氢气能与二氧化硅发生这样的化学反应:SiO22H2=Si2H2O可以在炉子内放置高温吸水材料及时将水系附，这样可以确保炉子内纯氢气氛围，一段时间后玻璃面板表面可以形成一层多晶硅薄膜，将隔热材料拿开，淋水以降低炉子温度，温度降到一定程度时候开启拿出面板，可以得到已经成形的多晶硅薄膜基体。也许以上的设想是异想天开，根本不可能实现，但在这里仅当作抛砖引玉，希望业内人士批评斧正 ！：用于薄膜晶体管、太阳能电池等器件应用的多晶硅纯度要求很高（一般 6 个九），衬底纯度自然要求也很高，除非工艺温度很低。高温下，就需要石英衬底，太昂贵。氢气还原SiO2 得到多晶硅的温度肯定很高，温度低，不可能还原，就算还
5、原，也不是多晶硅，而是非晶硅薄膜。3、提高非晶硅电池效率的方法之我见、你见经过汇总多个资料，自我总结了一下提升非晶硅电池效率的方法，其中也有一些我个人的设想，分享如下：首先我们确定一个思路：先分析并列举光子经过非晶硅电池时主要损失，然后就各点得出相应的对策以避免或减少损失。1.欠能和过能损失：即能量低于带隙的光子和能量高出带隙的光子。在晶硅电池里，仅这两项损失就损失掉百分之六十几的光照能量相当可观的数字；在非晶硅电池里，这个数字应该略有不同，但相信差不了多少，道理是一样的。所以个人认为，把提升效率的主要注意力放在这里，在这两项中寻找突破，那将是跳跃式的进步。2.串联电阻分压损失和并联电阻分流损
6、失，而串联电阻主要是包括电极在内的各区体电阻和各个交界面的接触电阻-此电阻当然越小越好；并联电阻分流则主要是电池表面的漏电流和 PN 结区存在杂质和缺陷引起的漏电流，也可以简单的说是前、背表面复合和结区复合中心复合损失。 这一项损失也占有比较大的比重。3.反射损失4.光生载流子还未来得及被 PN 结分离便复合掉了5.暗电流分流损失。对策及解决方法：对于 1.目前最常用的是多层结构，不同带隙的材料按照从大到小的顺序自上而下依次排列，高能光子被相应的宽带隙层吸收，低能光子被相应的窄带隙层吸收。 由此拓宽了光谱响应的范围，理想的情况是，在整个从紫外到红外光谱区域上都能得到有效的吸收。另外在这点上，本
7、人有个设想：PIN 结构中，P、N 两层是做为“死层”而存在的，主要起提供电场的作用，而他们区域内的载流子对光电流几乎不起作用，那么我们能不能让他们变成“活层”，也对光电流起贡献，比如 P、N 两层都用微晶硅或者纳米硅。对于 2. 这里涉及到多个方面：首先降低各区包括电子在内的体电阻，主要是半导体层的电阻，那么就要求电阻率尽量小，根据半导体物理学，室温下，增加掺杂浓度（或者同掺杂下尽量降低工作温度）可以减小电阻率。（但掺杂过高会引起过掺杂效应，所以要“适当”）其次为减少界面处的接触电阻，需要尽可能的减少晶格失配等问题，比如有公司用的 a-SiC:H 做窗口层，它和下面 I 层的 a-Si:H
8、就存在着一定的晶格失配。可以考虑用氢化纳米非晶硅做窗口层，用微晶硅或者纳米硅做 P 和 N 层。再次，尽可能的减少表面复合和结区复合，一般的方法是 H 表面钝化和 H 对内部悬挂键的饱和，以及进可能的减少 O、N 等杂质以减少复合中心。在这点上，我个人的的想法是，使用微波电子回旋共振法代替当前普遍使用的 PECVD-两大明显优势： 一，前者是无电极放电，因而避免了因后者电极引入的杂质。二，放电功率高，并能使 H 气最大限度的离解，也极大的降低了由于 H 气引入的一些缺陷态，进而一定程度上抑制了 S-W 效应。对于 3. 电池上表面作成绒面的陷光结构+增透膜；电池背面加背反射层对于 4. 多层的
9、基础上适当的减薄 I 层的厚度以增强电场强度，从而增强载流子的吸收对于 5. 暗电流是光生电压引出到外电路之后引起的“正向电流”，该如何减少本人暂不明白。以上是个人在学习过程中总结出的一点看法，也许有不当之处，还请高手们指正；另外，我发此帖子也只是抛砖引玉，希望大家各抒己见，目的是我们能够共同进步。交流 QQ：342163935：LZ 很有想法，不过 LZ 还是先多看点文献资料，很多点子已经有不少文章了，可行与否已经给出了大案。对于 LZ 说的 P、N 层的载流子对光电流不起作用这种说法需要注意，电导率（或者电阻）取决于在载流子浓度和载流子迁移率，如果做成活跃层，比如接近吸收层的话，电阻会很大
10、的，这就相当于有一个很大的串联电阻存在，光生电流不就损耗更大了？a-SiC 窗口层跟 a-Si 本征层有晶格失配的问题，LZ 知道纳米硅层和 a-Si 本征层的失配不是更大？多看文献，多想想，有想法不错。：第 5 点，应该是反向饱和暗电流，不是暗电流：谢谢 很高兴有朋友们指正，是我表达上出了问题，我的本意是：非晶硅电池中，所产生光电流中绝大部分或者说基本上都是来自本征层所产生的光生载流子，而来自 P 层和 N 层贡献的光生载流子微乎其微，这就是我说“P、N 两层是做为死层而存在的，主要起提供电场的作用，而他们区域内的载流子对光电流几乎不起作用”所要表达的意思。至于为什么来自 P 层和 N 层所
11、贡献的光生载流子微乎其微，我的理解是：非晶硅中载流子的扩散长度很短，无法象晶体硅那样从稍远处扩散到 P、N 结附近而被内电场分离，从而最终形成光电流流出电池；它们还没来得及到 PN 结附近便复合掉了（这也正是为什么非晶硅用 PIN 结构的原因之一） 。对于此，我提到用微晶硅或者纳米硅做 P 层和 N（应该有不少这样的研究，但效果并不很理想，具体原因本人暂还不明白） ，就是考虑到：微晶硅或者纳米硅的载流子电导率和迁移率特性要远优于非晶硅的（纳米硅的迁移率在 3-10CM2/V.S，而非晶硅的在 0.01-0.1CM2/V.S 之间） ，那么让他们做 P、N 层后，P、N 中所产生的光生载流子就至
12、少有不少的一部分扩散到 PN 结附近而被内电场分离，并最终变成光电流流出电池。以上只是我个人的理解，有待我日后进一步考证，如果不正确，请各位指出，也算是帮了我个忙。：补充1.抑制高掺杂效应， 想办法让杂质全部电离2.引入正/背面高低结4、请问电极导电性能如何衡量？用那些指标？比如 TCO，抛开透光性这些不谈，单论其导电性，导电性能越好，可以肯定串联电阻少，对于电池性能提高有帮助。但 TCO 的导电性能如何衡量呢？如我们所知，有方块电阻，电阻率等一些参数，但我觉得方块电阻很难说能准确反应薄膜对电流的阻碍大小，而电阻率离开薄膜几何尺寸也很难是一个有效的衡量指标。薄膜导电性能的衡量有没有什么更好的指
13、标或模型呢？请大家指点：刚思考了下，这样理解可以不，科不科学？如下：薄膜电阻 R方块电阻 Rs电阻率为 k薄膜长为 a薄膜宽为 b（ba,b-a=m）薄膜厚 t则：方块电阻 Rs=ka/at薄膜电阻 R=ka/bt=ka/(a+m)t可计算出薄膜电阻 R 是关于方块电阻 Rs 的增函数因此方块电阻 Rs 可以表征薄膜电阻 R，方块电阻 Rs 越小越好ps:前提是电流沿着薄膜长 a 的方向：尺寸是关键，R=ka/bt=Rs*a/b:方块电阻测量一般用四极探针，要求距边很远的如果想知道刻槽后的电阻，直接万用表就可以测了不知道你是实验室还是工厂，工厂的话没必要做成实验室水平的5、叠层太阳电池效率高的
14、原因？为什么将不同带隙的电池叠在一起就可以提高光电效率，而且极限效率可以达到 86.8%？望高手赐教：不同带隙的电池，因为是不同带隙，所以就可以吸收更宽波长的阳光，所以效率增加，但个人觉得效率 86.8%太高。还请高手指点！：层叠式太阳能中底层吸收高能光子底层吸收低能光子，达到太阳光充分利用，提高光电转化率：太阳光是一个波长从 300nm 至 2500nm 分布的宽带状光谱，任何单个 PN 结太阳电池都会使得能量低于带隙宽度的光子透过材料不被吸收；而能量高于带隙宽度的光子只能利用能量等于带隙宽度的那部分能量，而能量高于带隙宽度的那部分能量只能变成热振动能而损失掉。那么，对于单个 PN 结太阳电
15、池，材料带隙宽度越大，则能吸收的光子数就越少；带隙宽度越小，则能吸收的光子数就越多，但通过热振动能而损失掉的能量就更多。因此，对单个 PN 结太阳电池，材料带隙宽度太大或太小转换效率都不会高，最合适的带隙宽度约为 1.4eV，这正好是 GaAs 的带隙宽度。为了进一步提高太阳电池的太阳光谱利用率，人们发展了将带隙宽度不同的 PN 结按带隙从大到小串联叠加，形成多结叠层电池结构，使宽带隙 PN 结利用高能量光子，窄带隙PN 结利用低能量光子，从而使这种电池的热力学极限效率就被大大提高了：无聚焦双结叠层太阳电池的理论极限为 43%，三结叠层太阳电池的理论极限为 49%；而当叠层数目趋向无穷大时，其
16、理论极限效率可以达到 68%。6、薄膜电池的 SnO2 与金属能形成欧姆接触吗，接触电阻多大？在非晶硅、CdTe 等薄膜太阳能电池中，玻璃衬底上的透明导电玻璃通常使用 SnO2、SnO2:F或者类似的透明导电氧化物。电极引出是要通过金属薄膜（例如铝）和 SnO2 接触才能把电流引出来。但是铝是金属，SnO2 算是一种半导体（应该算 n 型半导体吧），金属与半导体接触，多少会有些肖特基势垒。太阳能电池本省的电压也就 0.60.8V 左右，如果 SnO2 与金属不能形成理想的欧姆接触，那么输出电压就会有损失。假设势垒上的电压差达到 0.060.08V,也就是说 10%左右的电压被不理想的接触吃掉了
17、，效率也就损失了 10%左右。请问 SnO2 与金属的接触电阻或者接触势垒引起的压降多大？如果存在上述非欧姆接触现象，如何解决？请各位专业人事讲讲吧。：俺不是高手，俺只知道对于 n 型半导体，半导体的功函数要大于金属的功函数才能形成欧姆接触，TCO 的功函数不低，ITO 在 4.3 到 4.8eV 之间，至于 SnO2 的俺就不知道了。下面是部分金属的功函数：Metal Work Function （eV）纳米联盟网 www.NanoU银 Ag (silver) 4.26铝 Al (aluminum) 4.28金 Au (gold) 5.1铯 Cs (cesium) 2.14铜 Cu (cop
18、per) 4.65锂 Li (lithium) 2.9铅 Pb (lead) 4.25锡 Sn (tin) 4.42铬 Cr (Chromium) 4.6钼 Mo(Molybdenum) 4.37钨 Tungsten 4.5镍 Nickel 4.6钛 Titanium 4.33铍 Beryllium 5.0镉 Cadmium 4.07钙 Calcium 2.9碳 Carbon 4.81钴 Cobalt 5.0钯 Pd(Palladium) 5.12铁 Iron 4.5镁 Magnesium 3.68汞 Mercury 4.5鈮 Niobium 4.3钾 Potassium 2.3铂 Plati
19、num 5.65硒 Selenium 5.11钠 Sodium 2.28铀 Uranium 3.6锌 Zinc 4.3：引用:原帖由 enn 于 2008-8-1 13:02 发表 俺不是高手，俺只知道对于 n 型半导体，半导体的功函数要大于金属的功函数才能形成欧姆接触，TCO 的功函数不低，ITO 在 4.3 到 4.8eV 之间，至于 SnO2 的俺就不知道了。下面是部分金属的功函数： Metal Work Function （eV）纳米联盟网 www. . 谢谢你的意见。我也查找了一些有关资料，但是没有关于 SnO2 功函数的明确数据。有人说SnO2 的功函数不是一定的，也就是说可能与掺
20、杂、沉积方法、表面状态等因素有关。我也不能确定到底什么说法是正确的。抛砖引玉，请大家讨论。：阁下犯了一个小错误TCO 是透明导电氧化物薄膜的统称;与 ITO 是包含与被包含的关系; 正如阁下所说 : TCO 的功函数是比较大的 同样 Al 的功函数也不小, 所以对于空穴的传输而言 SnO2/p:a-si 应该可以形成良好的欧姆接触;而 n:a-si/Al 之间就会形成反向势垒,阻碍电子的向外传输但接下来从另外一个角度去考虑 : SnO2:F 是重掺杂强 n 性的; 那么会不会在 SnO2/p:a-si 界面处形成一个反向的内建电场 ? 而这是不利于空穴向外传输的谁能帮我解释一下或校正一下 谢谢
21、!：引用:原帖由 nstzqf 于 2008-8-1 14:22 发表 阁下犯了一个小错误 TCO 是透明导电氧化物薄膜的统称;与 ITO 是包含与被包含的关系; 正如阁下所说 : TCO 的功函数是比较大的 同样 Al 的功函数也不小, 所以对于空穴的传输而言 SnO2/p:a-si 应该可以形 . 我的半导体物理多年没有复习了，早就还给老师了。我想是不是是这样的：SnO2（或SnO2:F）里面，电子是多子，电流传输主要靠电子完成。而铝是金属，也是主要依靠电子导电的。所以当 SnO2 和铝接触的时候，虽然存在势垒，但是由于是 N 型半导体，所以势垒影响比较小。但是总是要有压降的，这个压降到底
22、多少呢，谁做过实验测量过？如果把这个压降降低一些，比如退火烧结，效率也能提高一点。是不是这样呢？：SnO2:F 是简并掺杂的 N型半导体，和金属 Al 接触，基本上是欧姆接触。即使有功函数差，简并半导体势垒宽度非常窄，电子隧穿导致欧姆接触。如果有退火工艺，界面合金，欧没接触效果会更好。：回复 7# 的帖子我说的话并不矛盾。另外，不是想楼主想象的那样要在 SnO2 前镀一层金属薄膜把电极引出来，那样就把光挡住了，只需要在透明电极上焊上导线即可：引用:原帖由 enn 于 2008-8-1 14:54 发表 我说的话并不矛盾。另外，不是想楼主想象的那样要在 SnO2 前镀一层金属薄膜把电极引出来，那
23、样就把光挡住了，只需要在透明电极上焊上导线即可 实际上，现在大部分批量生产的薄膜电池，都是采用激光、机械划线后，背面金属与正面TCO 接触的，最后焊导线是在整个工艺接近完成的时候，封装的工序。所以 SnO2 与金属（例如背面的铝）接触是难以避免的。：引用:原帖由 wanqing7686 于 2008-8-1 14:42 发表 SnO2:F 是简并掺杂的 N型半导体，和金属 Al 接触，基本上是欧姆接触。即使有功函数差，简并半导体势垒宽度非常窄，电子隧穿导致欧姆接触。如果有退火工艺，界面合金，欧没接触效果会更好。 . 谢谢，你的解释太好了。现在的工艺，沉积了背面金属以后，即使增加退火烧结，温度也
24、不能太高，时间也不能长。好像没有看到有退火烧结金属和 SnO2(:F)的报导。即使基本上是欧姆接触，势垒非常窄，恐怕还是有压降的，只不过压降小罢了。不过现在电池的电压就已经很低了，一半也就 0.60.8V，哪怕势垒的压降只有 3040mV，也损失5了。哪位高人知道这个压降到底有多少毫伏呢？非常感谢！：背面金属与 TCO 接触形成短路，正是这样才形成串联电池的啊，背面金属膜是背电极，与前电极电性相反，我们期望的是背电极与它底下的那层半导体膜的欧姆接触，在实现不了的情况下只有在这两层膜之间加背接触:引用:原帖由 enn 于 2008-8-1 16:57 发表 背面金属与 TCO 接触形成短路，正是
25、这样才形成串联电池的啊，背面金属膜是背电极，与前电极电性相反，我们期望的是背电极与它底下的那层半导体膜的欧姆接触，在实现不了的情况下只有在这两层膜之间加背接触 . 我们说得是一个意思。我的问题就是背金属电极与 TCO 接触引起势垒压降问题。问题就是这个压降到底有多少毫伏？如果几毫伏，没关系，可忽略。如果几十毫伏，那就对效率有明显影响，就可能有意义去减小这个压降。提出这个问题，就是要了解这个压降的数值。:我看了一篇 NREL 的文章，根据他们的测量结果，我推算出 SnO2 与金属（好像是铝）接触压降大约是 6mV，如果这个结果没错，那么对效率的影响很小。7、请教非晶硅太阳电池用导电玻璃的性能要求
26、请问非晶硅太阳电池用 SnO2：F 导电玻璃的性能要求有哪些，如方块电阻值的范围，雾度等？对于 ZnO 系导电玻璃又有哪些性能指标呢？先在这里谢谢了，急！和 SnO2 一样，氧化锌导电玻璃的性能要求有方块电阻和透过率，雾度等，做绒面需要织构，用盐酸腐蚀就可以实现，表面呈现金字塔结构。8、背电极中溅射两层金属（Ag、Al）有何具体优势？有些薄膜结构中，溅射背电极时既有 Ag 层又有 Al 层，请问这两层金属做背电极有什么作用？单独一层 Ag 或 Al 不行吗：Ag 的反色效果要比 Al 的好，但是 Ag 的价格也是比 Al 贵不少。：Ag 反射效果好，导电率高,长期稳定性会高：银的导电效果 在金
27、属中是最好的 其次是铜 在其次是金铝的反射效果 是最好的 银也具有良好的可焊接性 但 价格嘛 铝和银 在背电极应用中 是单独使用的一般镀银后 因为银易氧化 需要镀一层保护层 如 不锈钢纯铝也一样为了节约成本，提升生产效率目前有人使用银合金和铜合金作为背电极材料 合金材料具有良好的导电性和反射效果以及良好的可焊接性 又不用加镀保护层 成本也比较低 工艺上也可提升生产效率以上 两种材料 我们均可提供 欢迎联系7、SNEC 上的几个薄膜电池设备公司情况与大家共享下属信息仅供参考，真实性不予保证！1、Leybold Optics 宣称能够提供非晶硅单结和非晶硅/微晶硅叠层电池完整生产线，单结非晶硅 6
28、 52MW 售价 1 亿欧元非微叠层 8.5采用 Juelich IPV 的技术而且愿意单独提供每个核心设备，如 PECVD，溅射 TCO，laser scribing 等2、香港宏威集团（Anwell）现在提供 a-Si:H 生产线，1.11.4m2，6，40MW（13MW3），cluster system，67K 万 USD非微叠层计划在 09 年提供3、centrotherm photovoltaics AG提供 CIGS 生产线，1.11.4m2，10，35MW，7K 万欧元：楼主总结的不错，听说 LEYBOLD OPTICS 已经销售了 2 条线。在欧洲销售的一条线价格是4200 万
29、欧元。不知道是不是 52MW 的生产线。：应该不是 52MW，要不然 4200/52000.81 欧元/W 也太便宜了！也许是 26WM 呢？！因为 LEYBOLD OPTICS 的每个 PECVD 是 13MW，521349、薄膜电池的温度系数 【求助】各家的薄膜电池的温度系数一般是多少啊功率，电流，电压的有人知道吗？老板问，我找不到资料啊。：Temperature coefficient of Im +0.09%/ Temperature coefficient of Vm -0.28%/ Temperature coefficient of power -0.19%/ 这东西网上一搜一大
30、堆：恩，网上很多的，当时自己测过，采用的是+0.1%/-0.3%/-0.2%/10、非晶硅太阳能电池生产中的麻点以及彩虹是怎么回事呢？：多从设备方面去下功夫，应该可以解决 80%左右的问题：只是该检查的都检查了做法都是一样的有些有麻点。有些又好好的头大还有几是 PIN 这 3 层气体流量的大小有什么影响？：彩虹意味着均匀性不好，麻点意味着衬底不干净。:彩虹是不均匀，麻点是有污染：请教造成均匀性不好有哪些原因呢？谢谢！气流、温度、气压、电磁场之外，还有哪些原因啊：这个跟设备很有关系,特别是 RF-PECVD,他的设计决定着沉积的薄膜不均匀(这个不均匀是垂直长边的,也就是从进气口方向到匀气板方向)
31、,还有我们也发现那些彩虹是沿着一次激光的线分布的(平行于长边),这也许跟静电有关,这不是随便说的 ,因为我公司的确有人在清洗玻璃的时候给电了而且是多次,然后我们做了对玻璃做了一些处理,大概做了 X 片,放在彩虹经常出现的地方做,结果暂时一片有彩虹的都没用发现!试验做了,效果可以,就是还有些不知道怎么解释.个人意见,说的不好请指点!：彩虹一般原因就是不均匀现在就是对于麻点问题很大除了清洗不干净还有其他的原因？哪为高手帮忙下谢谢了：清洗设备上不是有去静电的 装置么：看来这位仁兄对于 PECVD 系统很了解啊有空的话可以互相交流下啊只是有一个问题想请教：在清洗时，如何加电去清洗，这样子人在操作时岂不
32、是很危险再者，要除去衬底上静电，并不是简单的如你所讲的“加电”，是需要通过其他的辅助装置去达到的若是对清洗液加热，这个我倒是赞同啊：这个设备是否搭配除静电要看配置的，再者说了一个除静电也不便宜啊呵呵：总体感觉条纹和静电没有关系，应该是等离子体分布不均匀，和设备关系很大。如果是静电的话应该导电膜上面都有静电，应该整个面上面都会有，最多会影响沉积率，看看等离子方面的书籍，条纹分布和等离子体分布曲线是不是和条纹曲线很像？设备固有的问题：等离子体分布不均匀,设备逃不了关系,要不你换其他设备,要不你改良机器,问题还是回来:为什么会造成彩虹的出现!条纹分布和等离子体分布曲线是不是和条纹曲线很像这个我没研究
33、过,但是我敢肯定的是条纹的分布跟 XXX 很有关系,我有证据.：有没有条纹在沉积的过程中就可以知道，加一样东西就 OK 了。 。：感谢大家的参与彩虹现在控制住了现在出现了大量的麻点有没有人知道怎么样才能检测出玻璃清洗的干净程度？：引用:原帖由 憧憬未来 于 2008-4-10 22:25 发表 感谢大家的参与彩虹现在控制住了现在出现了大量的麻点有没有人知道怎么样才能检测出玻璃清洗的干净程度？ 能分享一下你如何控制彩虹的经验吗 ？我给你分享一下亮点的原因吧：1.玻璃表面打磨/清洗不良.不知道你们玻璃的清洗方式.玻璃表面研磨是采用打磨粉呢?还是清洗剂 ?尽量少添加打磨粉或者清洗剂.以免冲洗不干净.
34、2.清洗/烘干后后期污染.在确保清洗状况良好的情况下,就要考虑这个问题了.如落尘控制等等.还有一个就是,油气污染.其油气来源主要是设备上的传动气缸漏气(包括轻微漏气).建议你仔细排查生产线上的气缸,特别是,接近玻璃附近气缸.以上是个人经验 以供分享.：兄弟啊，将老经验抖出来了啊麻点与亮点确实是差不多的定义啊对于非晶硅电池的生产线没有像生产 CRT 那样高度自动化啊（目前太阳能电池设备基本上是 semi-auto 都还不到啊），那有像我们以前那样除 LD/ULD 之外，全线完全 Auto：引用:原帖由 guan01cn 于 2008-4-11 22:21 发表 能分享一下你如何控制彩虹的经验吗
35、？我给你分享一下亮点的原因吧：1.玻璃表面打磨/清洗不良.不知道你们玻璃的清洗方式.玻璃表面研磨是采用打磨粉呢?还是清洗剂 ?尽量少添加打磨粉或者清洗剂.以免冲洗不 . 我们是清洗剂的我们现在用的是耐酸油墨你所说那些我有去看了 该检查的我都检查了就是没发现明天我按你的说法再去检查了在这谢了：樓主的彩虹問題究竟是怎樣解決的,能否分享一下經驗?：如果是設備造成的靜電，只需在進鍍膜設備前(PECVD, PVD)加裝靜電消除棒或離子風扇即可。：污染也有可能是由扩散泵返油造成的！：有人见过大量的白斑吗 整炉电池都有:是薄膜沉积不上吧,?:有薄膜 就是颜色比其它部分浅，至今只发现过有两炉这样，以前从未有，
36、设备一直正常:放电是否均匀：高人啊，你就直接发表高见吧！还有上次关于彩虹的呢？让大家学习学习嘛:我不算高人的只知道一点点 彩虹我只改放气量和放电时间还 jiu 就是把夹具改下:请高手指点 这个和氢气流量有关吗？:我也来说一句，如果用高频 RF 彩虹更多，原因是“驻波效应”。要完全消除还是从设备和工艺上着手。:TEM 波吧叫做驻波还有 TE 即损耗波呵呵：TEM 波即驻波，TE 即损耗波，它们在 13.56MHz 情况下导致的不均匀不应该太明显；薄膜边沿不匀是因为边沿效应，这和电极结构有关。:引用:原帖由 憧憬未来 于 2008-4-10 22:25 发表 感谢大家的参与彩虹现在控制住了现在出现
37、了大量的麻点有没有人知道怎么样才能检测出玻璃清洗的干净程度？ 故意把未洗的玻璃弄脏 然后试验能洗掉污迹么？：PECVD 的 plasma treating 本身就有去静电的作用，所以静电影响可以排除。颜色不均匀最大的可能性是 uniformity 不好。麻点的产生可能是 particle 引起，但也有可能是因为压应力过大导致膜层局部脱落。：请教 TCO 膜上的静电怎么去除?11、请教：非晶硅薄膜电池标签上参数的处理方法向各位请教：非晶硅薄膜电池产品标签上要打印的参数：Pmax,Vmp,Imp,Voc,Isc,是怎么得出的？问题的原有：非晶硅电池存在早期衰退，而产品做出来，测试得到的是初始的参数
38、，而卖给客户的是稳定的参数，包括 Pmax,Vmp,Imp,Voc,Isc，大家在打印参数的时候，数据是怎么处理的？有没有什么依据？我觉得这里面不是简单的一个用单结功率衰退 25%，双结衰退 20%来计算的问题，因为Voc,Isc,Vmp.Imp 也有各自的衰退。：请教：目前有非晶硅薄膜标准组件吗？薄膜组件测试的太阳模拟器如何校准？：一般商业上处理的方式是跟客户商量一个解决方式。而一般情况下，会经过做实验跟客户一起来确定。：那如果不同客户要求不一样，就会有不同的方法，这会给产品认证等带来很多麻烦。：呼吁能有权威机构和重量级人物牵头制定行业标准：这种情形一般是通过国外权威机构认证后，根据测试结果
39、来标定的，记得哪里有讲过与标准标定功率相差 5%、10%等去分 A、B、C Grade 等等：现在国内非晶硅制造商给客户的规格都是电性能正负 10%，而给出的电池板一般都经过退火试验的！Pmax,Vmp,Imp,Voc,Isc 就是这个退火试验的数据；但是在真正的使用过程中，前 3 个月是非晶硅衰减最严重的时期，衰减有的会超过 10%。而作为客户他没有像制造商那样的检测设备，衰减不是太离谱的话也不会引起注意！：以上指的是强光电池板：谢谢 nian2000 的答复：我理解你的意思是：出厂产品标签上打印的 Pmax,Vmp,Imp,Voc,Isc 其实是初始参数，也就是给客户的是初始参数，之前生产
40、过程中的退火过程，只是使电池的参数更加稳定一点，实际上在客户使用的前三个月，数据还是存在很大衰退的，这样的话，客户会接受吗？因为按功率来算价钱的话，你给客户的是初始数据，客户且不是要吃亏很多？我不知道我理解的对不对？：回复楼上的1.之前生产过程中的退火过程，只是使电池的参数更加稳定一点，实际上在客户使用的前三个月，数据还是存在很大衰退的，这样的话，客户会接受吗？我在客户电池板的时候我就会说“电池板稳定性已经进过特殊处理，电池板在使用 3 个月内保证不会超过 10%（可以签合同）。作为普通客户他并不是很懂电池板方面知识，有合同签约的话他们也就放心了，如果后面真正出了问题制造商也可在测试标准上扯皮
41、，大不了我就给你换电池板（这种几率还是要小些的）；如果说是大客户制造商会很谨慎，他们会在退火试验上面下功夫，可能会在老化试验上重复几次，筛选出可能会出现质量问题的电池班、以保证电池板的良品率降低风险，当然了电池板成本也会增高！2.因为按功率来算价钱的话，你给客户的是初始数据，客户且不是要吃亏很多？电池板在经过初步的退火试验后对电池板的衰减会有一定的影响！决定电池板的衰减因素还跟封装有关系，封装处理不好退火做的再好也没用！我在昨天回复的时候就谈过，电池板衰减最严重的是前 3 月，衰减有的的会超过 10%，但是不会太离谱！非晶硅电池板衰减是肯定的是全世界公认的，如果保证在电池板衰减在 10%左右，
42、那这家公司在中国也算是前矛了！做为客户你还觉得吃亏吗？：哦 ，保证衰减是在 10%内，实际测试是在 10%左右！：呵呵,现在商业化了,标签根据客户需要填!12、非晶硅背电极用的溅射设备是否应该配备可旋转靶对于产业化来讲，旋转靶材的利用率会比平面靶材高很多，现在应该也有很多企业可以提供 AZO 的可旋转靶材，为什么在批量生产线的提供商里面还没有将此技术应用进来呢？：引用:原帖由 huweiqian 于 2008-7-2 23:07 发表 对于产业化来讲，旋转靶材的利用率会比平面靶材高很多，现在应该也有很多企业可以提供 AZO 的可旋转靶材，为什么在批量生产线的提供商里面还没有将此技术应用进来呢？
43、 . :能提供旋转 AZO 靶材的并不多.另外,旋转靶在大面积沉积镀膜方面均匀性方面不是很好.再另外,AZO 本身无回收价值.:机械设计方面是比较难的事情，其实提高靶材的利用率，还有其他办法的：AZO 没有回收价值，对于这一点，平面靶材跟可旋转的没有任何区别。对于均匀性的问题，在 LCD 或者 LOW E 玻璃行业好像已经应用了吧?靶材的供应，欧美日等企业好像是没有什么问题了，至于国产的，可能还需要继续努力啊。：Low-e 均匀性要求其实不高，追求产能LCD 要求高些，普遍是平面靶。：除了可旋转靶，也可以通过周期移动平面靶背后的磁场达到提高靶材使用率的效果。：移动磁场也是一个方法，但结构也不便
44、宜，机械结构复杂，日后维护较为麻烦：所以有的人会考虑的使用旋转靶，是因为，旋转的靶的使用周期长，一般是一个月更换一次靶材，平面靶是一个礼拜更换一次或者更短一个礼拜最少要更换次，每次最少损失个小时设备稼动，一个月下来就是损失个小时其中的损失，我就不算了谁有兴趣算一下吧：目前了解到的可以提供可旋转 AZO 靶的有 UMICORE 跟 GFE，应该还有其他厂家可以提供。：引用:原帖由 guan01cn 于 2008-7-6 23:51 发表 我们能提供 所以有的人会考虑的使用旋转靶，是因为，旋转的靶的使用周期长，一般是一个月更换一次靶材，平面靶是一个礼拜更换一次或者更短一个礼拜最少要更换次，每次最少
45、损失个小时设备稼动，一个月下来就是损失个小时其中的 . 关先生一针见血，我还有些拙见，请专家指正：a. 旋转靶之所以用的周期长，靶材利用率是一方面，靶材上积聚的材料多为平面靶的2 到 3 倍。b. 平面靶的典型利用率为 25%-30%， 旋转靶可高到 75%以上。 c. 对有些材料，旋转靶材上可施加功率更高，主要是冷却问题解决了，陶瓷材料不容易裂。 d. 平面靶在“跑道“周围打弧的几率较大，旋转靶有效避免了“跑道“问题 e. 平面靶的磁场一般都宽一些，旋转靶磁场分布较集中，所以溅射到腔室及挡板上材料较少，这一方面提高了材料利用率，另一方面掉渣减少，延长了设备的运转周期 f. 平面靶，特别是 I
46、TO, AZO 溅射时靶材表面易起结节(nodule), 旋转靶上好像很少：引用:原帖由 hill1121 于 2008-7-4 15:21 发表 移动磁场也是一个方法，但结构也不便宜，机械结构复杂，日后维护较为麻烦 好像是不便宜，另外，有家美国公司，专门改造平面阴极的，提供优化的磁场，可承诺利用率达 35%-45%，磁条是贵了些，可一劳永逸，维护少啊！：引用:原帖由 boblin 于 2008-7-11 16:05 发表 关先生一针见血，我还有些拙见，请专家指正： a. 旋转靶之所以用的周期长，靶材利用率是一方面，靶材上积聚的材料多为平面靶的 2 到 3 倍。 b. 平面靶的典型利用率为 2
47、5%-30%， 旋转靶可高到 75%以上。 c. 对有些材料，旋转靶 . 楼上几位兄台分析都很精辟，深表认同。也略谈自己的一点看法：关于 AZO 溅射主要分：非反应溅射路线（优点是工艺简单、过程稳定，缺点是陶瓷靶材较贵）和反应溅射路线（优点是可以采用便宜的合金靶材，以及薄膜工艺参数的可调范围更大，缺点是设备和工艺过程精确控制要求高）。目前业内基本采用非反应溅射 AZO，其又分为旋转阴极（优点是如楼上兄台们所言靶材利用率较高 70-80%，靶面清洁，减少打火等，缺点是管状陶瓷靶材、bonding 成本较高，端头维护要麻烦些）和平面阴极（优点是相对来说平面陶瓷靶材便宜些，维护相对很少和简单，缺点是
48、靶材利用率较低，通常水平在 20-30%，靶面清洁情况要差些，因此打火情况更严重些。但经过优秀磁场设计平面磁控靶的靶材利用率也可以达到 40-60%，不是移动磁场设计，靶面也基本可以做到全靶面刻蚀，保持靶面清洁；提高靶材利用率后也可以提高近一倍的靶材寿命）因此，两者方式的取舍主要取决于具体阴极价格和靶材价格比较后的权衡。目前看来，采用旋转阴极和高利用率的平面阴极（低利用率的平面阴极估计没有优势）基本差不多？谁知道大致平面 AZO 和旋转 AZO 靶材，包括 bonding，能相差几倍？反应溅射路线，对于做背电极 AZO 层的意义不大，因为较薄。 但是对于前电极制备 AZO 薄膜远期看来，由于可
49、以采用较便宜的合金靶，较高沉积速率，以及薄膜工艺参数的可调范围更大，对后续绒面刻蚀方面的工艺选择更多，但相对工艺窗口窄的多，对系统的稳定性要求高，因此只要解决好了这个长期稳定性，也很有成本优势的。国外有研究所和大公司，早在 2000 年左右已经在生产线型设备上研究了这个路线，只是目前好像由于各种原因暂时没有推出，但是也值得以后关注。：感谢几位博士精辟的回复.f. 平面靶，特别是 ITO, AZO 溅射时靶材表面易起结节(nodule), 旋转靶上好像很少.nodule 现象不只出现在 TIO 方面,硅靶也有此现象.产生的原因有 2.1.靶材自身纯度问.靶材纯度佳,一些杂质无法被激发随着其他部分靶材消耗,无法被激发部分逐渐形成
