1、Table 1 | Comparison of memory and storage technologies. Note that circuit-level overheads for the listed performance metrics are in general different among different device technologies and could often dominate individual device performance. Memristor PCM STTRAM SRAM DRAM Flash(NAND)HDDPrototypes C
2、ommercialized technologiesReciprocal density (F2)4 4-16 20-60 140 6-12 1-4 2/3Energy per bit (pJ)0.1-3 2-25 0.1-2.5 0.0005 0.05 0.00002 1-10109Read time (ns) 10 10-50 10-35 0.1-0.3 10 100,000 5-8106Write time (ns) 10 50-500 10-90 0.1-0.3 10 100,000 5-8106Retention years years years As long as voltag
3、e appliedsecond years yearsEndurance (cycles)1012 109 1015 1016 1016 104 104PCM, phase-change memory; STTRAM, spin torque transfer random access memory; SRAM, static RAM; DRAM, dynamic RAM; HDD, hard disk drive.(来源于 ITRS International Technology Roadmap for Semiconductors, 2011 edn)其中 Prototypes 代表的
4、意思是这种器件的原型器件，类似于实验室得到的产品，还没有商业化的。Commercialized technologies：代表商业化的器件参数Reciprocal density (F2)：代表集成密度，值越小，代表可集成的密度越高。Energy per bit (pJ)：存储每一字节所需要的能量；综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势，Endurance： 代表器件最大的擦写次数；STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；SRAM：静态随机存储器，主要用来制造 CPU 与主板之间的缓存。优点是速度快（可以看到这种存储器的读写速度是最快的） ，缺点是集成密度低，掉电不能保存数据。DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和 DRAM 相比，也可以用来制造内存。Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。HDD：硬盘。优点是价格低廉（这种存储器的单位容量所需要的价格是最低的，但缺点也是显而易见的，读写速度比其他存储器低很多数量级，具体参见 read time 和 write time）
