1、模电自测练习题（A）选择、填空 题1模电自测练习- 填空、选择题 （A）= 二极管 =*（填空题）*1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN 结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN 结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN 结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。3、PN 结的正向接法是 P 型区接电源的 正 极，N 型区接电源的负 极
2、。P 型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是电子。N 型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。5整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。8硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型
3、半导体与 P型半导体。N 型半导体主要靠 电子 来导电，P 型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、PN 结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。10晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。11晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按 PN 结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频 的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。13、2AP 系列晶体
4、二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2P、2系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。*（选择题）*1. P 型半导体中的多数载流子是 B ， N 型半导体中的多数载流子是 A 。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2. 杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。 A. 大于 B. 等于 C. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 C 浓度明显增加。 A. 载流子 B. 多数载流子 C. 少数载流子 4杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C ) 。A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度 D晶格缺陷5PN 结形成后，空间电荷
5、区由( D )构成。A价电子 B自由电子 C空穴 D杂质离子6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。 A. 大 B. 小 C. 相等 7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 A 。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 8硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A减小 B基本不变 C增大9流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C ) 。 A增大 B基本不变 C减小10变容二极管在电路中主要用作( D ) 。 A整流 B稳压 C发光 D可变电容器11当 PN 结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A
6、） 。A.多数载流子; B.少数载流子; C.既有多数载流子又有少数载流子12如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ） 。A.正常;B. 已被击穿; C.内部断路13如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ） 。A.正常; B.已被击穿; C.内部断路14晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V ，则该二极管处于（ A） 。A.反偏， B.正偏，C. 零偏15当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A） 。 A.增大； B.减小； C.不变模电自测练习题（A）选择、填空 题216在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B） 。A.大电阻；
7、B. 接通的开关；C.断开的开关= 三极管 =1晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以 NPN 型居多，锗管以 PNP 型居多。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压 UBE 减小 。5某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10A变化到 20A时，集电极电流从 1mA 变为 1.99 mA，则交流电流放大系数 约为 99 。6某晶体管的极限参数 ICM=20mA、P C
8、M=100mW、U (BR)CEO=30V，因此，当工作电压 UCE=10V 时，工作电流 IC 不得超过 10 mA；当工作电压 UCE=1V 时，I C 不得超过 20 mA；当工作电流 IC=2 mA 时，UCE 不得超过 30 V。7晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母 E、 b 和 C 表示。8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC uB uE , PNP 管的 uC uB uE ；工作在饱和区时 iC iB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB = 0 ， iC = 0 。9由晶体三极管的输出特性可知
9、，它存在 截止区、 放大区和 饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。10、晶体三极管是由两个 PN 结构成的一种半导体器件，其中一个 PN 结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。11晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件） ，使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二（外部条件） ，使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。12晶体三极管发射极电流 Ie、 基极电流 Ib和集电极电流 Ic 之间的关系是 e= b C 。其中 Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母 表示;I e/Ib叫做 交
10、流电流放大系数 ，用字母 表示。_13晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。14硅晶体三极管发射结的导通电压约为 0.7，饱和电压降为 0.3 ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为 0.3,饱和电压降为 0.1V 。15当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。16当晶体三极管的队 ce 一定时，基极与发射极间的电压 be 与基极电流 b间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流 Ib一定时，集电极与发射极间的电压 Uce 与集电极电流人 Ic 关系曲线称为 输出特性曲线 。17晶
11、体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是 be 的增量和 Ib的增量 的比值。18 晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 较差 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。19 按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。20晶体三极管的穿透电流 Iceo 随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三极管的 热稳定性 比锗三极管好。1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 0.2V 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压
12、为 0.V 时，就认为此二极管为硅二极管。2、NPN 型晶体三极管的发射区是 N 型半导体，集电区是 N 型半导体，基区是 P 型半导体。3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为 6A。若晶体三极管的直流电流放大系数 =50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 0.12A 。4共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极 和 发射极 组成，它不但具有电流 放大、 电压 放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。5晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制 漏极电流 模电自测练习题（A）选择、填
13、空 题3的，所以它的输入阻抗很高。6共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 180 ，这是放大器的重要特征，称为 放大器的倒相作用 。7常用的耦合方式有 阻容耦合 、 变压器耦合和 直接耦合 三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 阻容 耦合电路8放大器的静态是指没有输入信号 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 估算 方法确定，也可以用 图解 方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 Ib 、I e 和 Uce 。场效应晶体管的静态工作点由 UGS 、 Id 和 UDS 确定。9晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为 电压 放大和 功率 放大两
14、类。10为了使放大器输出波形不失真，除需设置 适当的静态工作点外，还需要采用 稳定工作点 的方法，且输入信号幅度要适中。11在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生 截止 失真；静态工作点设置太高将产生 饱和 失真。12在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使 C 的 正 半周及 Uce的 负 半周失真；静态工作点设置太低时，会使 Ic 的 负半周及 Uce 的 正半周失真。13晶体三极管工作在放大状态时 Uce 随 Ib而变化，如果 Ib增加，则 Uce 将 减小 ；如果 Ib减小，则Uce 将 增大 。因此，I b可以起调节电压作用。14
15、在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小 b，则静态工作点沿着负载线 上移 ，容易出现 饱和失真；若增大 Rb，工作点沿着负载线 下移 ，容易出现 截止 失真。15如果晶体三极管放大器 E 增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线 右移。在晶体三极放大器中 RC 减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 陡 。16对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 大 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 小 些，以增大带动负载的能力。17由于电容具有 隔直流通交流 的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管、e 极间总电压的 交流 部分。18为了保证小信号交流放大器
16、能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在 （或直流负载线的中点） 。2CcsVU19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ Si 或 Ge) 、类型（ NPN 或 PNP ）及管脚为哪个极（ e 、 b 或 c ）填入表内。 管号 T1 T2 T3 管号 T1 T2 T3 0.7 6.2 3 0 6 10 管脚电位(V) 5 3 3.7电极名称 材料 类型1放大电路的输入电压 Ui10 mV，输出电压 U01 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。2放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小
17、 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 。*（选择题）*1当晶体三极管的两个 PN 结都反偏时，则晶体三极管处于（ C ） 。A.饱和状态;B.放大状态;C. 截止状态2当晶体三极管的两个 PN 结都正偏时，则晶体三极管处于（C ） 。A.截止状态;B.放大状态;C. 饱和状态3当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ A ） 。A.放大状态; B饱 和状态；C.截止状态4晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流
18、将 （ C ） 。模电自测练习题（A）选择、填空 题4A.随基极电流的增加而增加； B.随基极 电流的增加而减小， C.与基极电流变化无关，只决定于 Uce5当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C ） 。A.反向；B.增大；C.中断6当温度升高时，半导体电阻将（ B ） 。A.增大； ，减小 ；C.不变7. 工作在放大状态的晶体管 , 流过发射结的 是 A 电流，流过集电结的是 B 电流。 A. 扩散 B. 漂移 8. 晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。 A. 一种载流子 B. 两种载流子 C. 大
19、 D. 小 9. 晶体管通过改变 A 来控制 C ；而场效应管是通过改变 B 控制 D ，是一种 F 控制器件。 A. 基极电流 B. 栅 - 源电压 C. 集电极电流 D. 漏极电流 E. 电压 F. 电流 10某 NPN 型管电路中，测得 UBE=0 V，U BC= 5 V，则可知管子工作于( C )状态。A放大 B饱和 C截止 D不能确定11根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6 为( B )。ANPN 型低频小功率硅晶体管 BNPN 型高频小功率硅晶体管CPNP 型低频小功率锗晶体管 DNPN 型低频大功率硅晶体管12输入( C )时，可利用 H 参数小信号电路模型对放大电路进
20、行交流分析。A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号13在绝对零度（0K）时，本征半导体中 _B_ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数14在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_D_。A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子- 空穴对15、半导体中的载流子为_D_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴16、N 型半导体中的多子是_A_。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子17、P 型半导体中的多子是_ B _。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子18、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流
21、_A_漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等与19、当 PN 结外加反向电压时，扩散电流_ B _漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等于20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则 uo和 ui 的相位_B 。A. 同相 B. 反相 C.相差 90度 D. 不确定21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则 uo和 uii 的相位_A_。A. 同相 B. 反相 C.相差 90度 D.不确定22、既能放大电压，也能放大电流的是_ A _组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则 uo和 uii 的相
22、位_A。A. 同相 B. 反相 C.相差 90度 D.不确定24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定25、可以放大电流，但不能放大电压的是_ B _ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于 1 的是_ B _组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是_ B_组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻
23、最小的是_ C _组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是_B_组态。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定30、三极管是_D_器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流1测量某放大电路负载开路时输出电压为 3 V，接入 2 k的负载后，测得输出电压为 1 V，则该放大电路的输出电阻为( D )k。 A0.5 B1.0 C2.0 D4模电自测练习题（A）选择、填空 题52为了获得反相电压放大，则应选用(A) 放大电路。 A共发射极 B共集电极 C共基极 D共栅极3为
24、了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入( B )放大电路。A共发射极 B共集电极 C共基极 D共源极4放大电路如图 T31 所示，已知 RSR D，且电容器容量足够大，则 该放大电路两输出电压 u0l 与 u02之间的大小关系为 ( B )。 A u0l = u02 Bu 0l = u 02 C u0lu 02 D u0lu 02 5在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E ） 。 A.PNP 型的基极；B.PNP 型的集电极； C.NPN 型的基极； DN PN 型的发射极 EPNP 型的发射极； FNPN 型的基极6在 NPN 型晶体三极管放大
25、电路中，如果基极与发射极短路，则（ B ） 。A.晶体三极管将深度饱和； B晶体三极管将截止； C.晶体三极管的集电结将是正偏7在 NPN 型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ A ） 。A.晶体三极管将深度饱和；B晶体三极管将截止； C.晶体三极管的集电结将是正偏。8在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B ） 。A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真9在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A ） 。A.饱和失真；B.截止失真C.不失真10晶体三极管低频小信号放大器能（A ） 。A放大交流信号；B.放大直流信号；C.
26、放大交流与直流信号11在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（ B ）A.偏高；B. 偏低；C.适当12画放大器直流通道时，电容应视为（ B ）A.短路；B. 开路； C.不变13在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为 uo=（ B ） 。A. icRc； B. - RciC； C. -IcRc D. IbRc15为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（ A ） 。A发射结正偏，集电结正偏； B发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏16共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C ） 。A同相位 B.相位差 90; C.相位共为 10；D不能确定17在
27、阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C ） 。 A.电阻的阻值尽可能小；B.提高输入信号的频率；C. 加大电容以减小容抗；D尽可能减小时间常数。18为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A ）的方法。A.减小 Ib B减 小 C.提高 Ec 的绝对值19为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使 Rb电阻值（B ） 。A.增大 B.减小；C.不变20如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C ） 。A.集电极电流减小；B.集电极电压 Uce 上升；C.集电极电流增大21在晶体三极管放大电路中，当集电极电流
28、增大时，将使晶体三极管（ B ） 。A.集电极电压 Uce 上升；B.集电极电压 Uce 下降； C.基极电流不变22在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数 ( A )。 A.增大； ，减小； C.不变23在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（B ）A.增大；B. 减小；C.不变24当交流放大器接上负载 后，其交流负载线的斜率( E )。A.由 L 的大小决定；B.若 R 的大小不变，则交流负载线的斜率不变；C. 因电容具有隔直流作用，所以斜率不变； D由 和 RL 的串联值决定； E由 RL 和 Rc 的并联值决定= 场效 应管 =1场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 绝缘
29、栅型 或 MOS ；根据导电沟道的不同又可分模电自测练习题（A）选择、填空 题6为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于 MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。由于场效应晶体管几乎不存在 栅流 ，所以其输入直流电阻 很大 。2U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。3. 增强型场效应管当其 UGS =0 时不存在导电沟道。JFET 和耗尽型 MOS 管在栅- 源电压为零时 存在导电沟道，而增强型 MOS 管则 不存在 导电沟道。 4. MOS 管的直流输入电阻比结型场效应管的大 。 5
30、场效应晶体管一般采用 自偏压（或栅极偏压） 和 分压式（或分压式自偏压 两种偏置电路。*（选择题）*25场效应晶体管源极输出器类似于（B ） 。A.共发射电路；B. 共集电极电路； C.共基极电路26( D )具有不同的低频小信号电路模型。ANPN 型管和 PNP 型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管CN 沟道场效应管和 P 沟道场效应管 D晶体管和场效应管27当 UGS0 时，( B )管不可能工作在恒流区。AJFET B增强型 MOS 管 C耗尽型 MOS 管 DNMOS 管28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。AN 沟道 JFET B增强型 PMOS 管 C耗尽型 NMO
31、S 管 D耗尽型 PMOS 管29、场效应管是利用外加电压产生的_B_来控制漏极电流的大小的。A. 电流 B. 电场 C. 电压30、场效应管是_C_器件。A. 电压 控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流31、结型场效应管利用栅源极间所加的_A_来改变导电沟道的电阻。A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向 电流32、场效应管漏极电流由_ C _ 的漂移运动形成。A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子33、P 沟道结型场效应管的夹断电压 Up为_A_。 A. 正值 B. 负值 C.uGS D. 零34、N 沟道结型场效应管的夹断电
32、压 UP 为_B _。 A. 正值 B. 负值 C. 零35、P 沟道耗尽型 MOS 管的夹断电压 UP 为_ A _。 A. 正值 B. 负值 C. 零36.当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导 gm 将 A 。A.增大 B.不变 C.减小=直流放大器、差分放大电路=1差分放大电路的输入电压 Ui1 1 V，U i20.98 V，则它的差模输入电压 Uid 0.02 V，共模输入电压UiC 0.99 V。2差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。3两级放大电路，第一级电压增益
33、为 40 dB，第二级电压放大倍数为 10 倍，则两级总电压放大倍数为 1000 倍，总电压增益为 60 dB。4集成运算放大器输入级一般采用 差分 放大电路，其作用是用来减小 零点漂移 。5理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似 相等，称为 虚短 ；输入电流近似为 0 ，称为虚断 。6集成运算放大器的两输入端分别称为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 反相 ，后者的极性与输出端 同相 。7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。 8.同相比例运算放大电路是一个深
34、度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。10将交流电转换为直流电的过程称为 整流 。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为 滤波 。11单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式 整流电路。12乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。1、静态时，让直接耦合放大器的输入端和输出端的工作电位为零电位，其工作电源往往采用正、负两组电源供电。直接耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会 愈严重 。模电自
35、测练习题（A）选择、填空 题72所谓温度漂移是环境发生变化，如电源电压 和 温度 等因素的影响而引起漂移。为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级，均采用 差动式放大电路。3差动式直流放大器的两种输入方式为差模输入 和 共模输入 。评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的差模放大能力 和 共模抑制能力 。4单端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入端和输出端的接地状况是输入和输出端各有一端接地。在单端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输入端接地。在双端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输出端接地。在双端输入、双端输
36、出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状是 输入和输出端都没有接地点 。5在差动式直流放大器中，R E 的作用是 通过电流负反馈来抑制管子的零漂 。R E 对 共模信号 呈现很强的负反馈作用；而对差摸信号则无负反馈作用。6比例运算放大器的输出电压和输入电压之比为 固定常数 。7当直接耦合放大器的输入信号为零时，它的输出电压作 缓慢的 和 不规则的 变化，这种现象称为零点漂移。零点漂移大体上可分为 时间漂移 和 温度漂移 两大类。8当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相反时，称为差模输入。当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相同时，称为共模输入。9在差动式直流
37、放大器中，典型的共模输入信号来源于温度变化和电源电压波动。10在差动式直流放大器中，常用晶体三极管作恒流源来代替电阻 E。11根据反馈的相位不同，可分为 正反馈和 负反馈 两 种，在放大器中主要采用负反馈 ， 正反馈主要用于振荡器。12所谓电压反馈是指反馈电量的大小与输出的电压成正比 。所谓电流反馈是指 反馈电量的大小与输出的电流成正比 。*（选择题）*1直流放大器可放大（C） 。A直流信号， B.交流信号；C.从直流信号到一定的工作频率的信号2差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（A） 。A.有效地抑制零点漂移； B.放大倍数增加； C. 输入阻抗增加3差动式直流放大器抑制
38、零点漂移的效果取决于（ B ） 。A.两个晶体三极管的放大倍数；B.两个晶体三极管的对称程度；C.各个晶体三极管的零点漂移4在典型的差动式直流放大器中， E 的作用是（ B ） 。A.对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性； B对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力； CA 和在典型的差动放大器中，用恒流源代替 E 的优点是（ B ） 。A.便于集成化；B.避免辅助电源及 EE 的电压数值取得太高；C.增加电压放大倍数6直接耦合放大器中，为了保证静态时输入端和输出端的工作电位为零电位，往往采用（ C ） 。A正负两级电源供电； B.电位移动电路； C. A 及 B7在一个三级直接耦合放
39、大器中，如各级的放大倍数均为 10，各级自身的漂移输出均为 001，即当输入电压为零时，输出端的漂移电压最大为（C ） 。 A. 0.03V B. 0.11V C. 1.11V D、0.3V8造成直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是（ C ） 。A.电源电压的变化；B.电阻、电容数值的变化； C半导体器件参数的变化9 差动式直流放大器以比直接耦合放大器，以多用一个晶体三极管为代价，换取（B ） 。A.高的电压放大倍数；B.抑制零点漂移能力， C.电路形成对称 1. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 A 。 A 、严重 B 、轻微 C 、和放大倍数无关。
40、2. 电路的 A d 越大表示 C ， A C 越大表示 A ， K CMR 越大表示 B 。 A 、温漂越大 B 、抑制温漂能力越强 C 、对差模信号的放大能力越强 3. 复合管组成的电路可以 B 。 A 、展宽频带 B 、提高电流放大系数 C 、减小温漂 D 、改变管子类型 4. 由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 B 。 模电自测练习题（A）选择、填空 题8A 、很大 B 、很小 C 、不太大 D 、等于零 5. 集成运放有 B 个输入端和 A 个输出端。 A 、 1 B 、 2 C 、 3 6. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过 U Icmax 时
41、，集成运放 A 。 A 、不能正常放大差模信号 B 、输入级放大管将击穿 7、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都 D。A. 大 B. 小 C. 宽 D.窄8、多级放大电路的级数愈多则上限频率 fH 越_B _。A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄9、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_A_。A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄10某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为 Ku，则总的电压放大倍数为( D )。A.3 u； B.Ku C. u2 D. u311选用差分电路的原因是( A )。 A减小温漂 B提高输入电阻 C减小失真 D稳定放大倍数12差分放大电
42、路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( D )增大。A差模电压增益 D共模电压增益 C差模输入电阻 D共模抑制比*13功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B )。 A输出功率 B放大器效率 C放大倍数 D负载能力*14由两管组成的复合管电路如图 T32 所示，其中等效为 PNP 型的复合管是( A )。*15OTL 电路负载电阻 RL10，电源电压 VCC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( B )W。 A10 B，5 C2.5 D1.2510集成运算放大器构成的放大电路如图 T33 所示，已知集成运算放大器最大输出电压 Uom10 V，ui5 V，则该放大电
43、路的输出电压为( C )V。 A-5 B0 C5 D10=运算放大电路=11、现有电路： A 、反相比例运算电路 B 、同相比例运算电路 C 、积分运算电路 D 、微分运算电路，根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。（1）为了得到电压放大倍数为 100 的放大电路，应选用 B 。 （2）为了得到电压放大倍数为 50 的放大电路，应选用 A 。 1、运算电路中一般均引入负反馈。凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。12、本章习题中的集成运放均为理想运放。分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。（1）反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两
44、个输入端的电位等于输入电压。（2）同相 比例运算电路的输入电阻大，而反相 比例运算电路的输入电阻小。（3）同相 比例运算电路的输入电流等于零，而反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。（4）同相比例运算电路的比例系数大于 1，而反相比例运算电路的比例系数小于零。 13、 （1）同相比例 运算电路可实现 Au1 的放大器。 （2） 反相比例 运算电路可实现 Au0 的放大器。 （3）微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 （4）同相求和运算电路可实现函数YaX 1bX 2cX 3，a、b 和 c 均大于零。 （5）反相求和运算电路可实现函数 YaX 1bX 2cX 3，a、b
45、和 c 均小于零。= 反馈 =1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是 正反馈。2反馈信号只含有直流量的，称为 直流 反馈，反馈信号只含有交流量的，称为 交流 反馈。模电自测练习题（A）选择、填空 题93反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是 电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是 串联 反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。4负反馈虽然使放大电路的增益 减小 ，但能使增益的 稳定 提高，通频带 展宽 ，非线性失真 减小 。5电压负反馈能
46、稳定 输出电压 ，使输出电阻 减小 ；电流负反馈能稳定 输出电流 ，使输出电阻 增大 。6放大电路中为了提高输入电阻应引入 串联 反馈，为了降低输入电阻应引入 并联 反馈。7负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数 Au=90，电压反馈系数 Fu=0.1，则反馈深度为 10 ，闭环放大倍数为 9 。8深度负反馈放大电路有：x i xf ，即 xid 0 。*（选择题）*1放大电路中有反馈的含义是( C )。A输出与输入之间有信号通路 B输出与输入信号成非线性关系C电路中存在反向传输的信号通路 D除放大电路以外还有信号通路2直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D )。A提高输入电阻 B降低输人电阻 C提高增益 D稳定静态工作点3并联负反馈能使放大电路的( B )。A输人电阻增大 B输入电阻减小 C输入电阻不变 D输出电阻减小
