1、 S 参数的由来：在低频电路中信号的波长和器件的尺寸相差很大，一般都小于波长的 1/10，可以用集总参数模型来分析电路，包括网络法和节点法。在高频电路中，当信号的频率达到 GHz 级别时，信号波长和器件尺寸可以相比拟器件上的等效电压、电流值在期间不同位置处会有不同值，这时要用分布参数模型来分析，而此时路的概念已经失效，需要引入网络的概念来分析。S 参数就是建立在入射波和反射波的关系基础上的网络参数，以器件端口的反射信号以及从该端口川香另一端口的信号来描述网络。 电阻：能量损失（发热） 电容：静电能量 电感：电磁能量在高频电路中需要的是分布参数和特性阻抗的概念，分布参数回路元器件所考虑的要素是与
2、电磁波的传送与反射为基础的要素： 反射系数 衰减系数 传送的延迟时间 S 参数的含义：网络对应参数：Y:导纳参数Z:阻抗参数（前两个用于节点分析非常有效，但对于高频电路等效的电压电流以及相关参数的概念会变得十分抽象）S:散射参数（描述分散程度和大小的量）散射矩阵可以反映端口的入射电压波和反射电压波的关系。以一个二端口的例子来分析 S 参数的含义：Sij：能量从 j 口注入，在 i 口测得的能量，如 S11 定义为从 Port1 口反射的能量与 输入的能量的比值的平方根，也经常被简化为等效反射电压与等效入射电压的比值。S11：端口 2 匹配时，端口 1 的反射系数S22：端口 1 匹配时，端口
3、2 的反射系数S12：端口 1 匹配时，端口 2 到端口 1 的反向传输系数S21：端口 2 匹配时，端口 1 到端口 2 的正向传输系数对于 2 端口网络 Port1 输入信号，Port2 输出信号，则有：S11 表示回波损耗，即有多少能量返回了 Port1，当然越小越好，一般 S110.7(-3dB)；摘自新浪博客：中心议题： S 参数介绍的由来和含义 S 参数的使用范围 S 参数在电路仿真中的应用解决方案： 对于高频电路，需要采用网络法来进行分析，此时需要用到 S 参数 可以使用元器件厂家的 S 参数也可以自己搭建测试电路使用网络分析仪来测得 S 参数 要想深刻的理解 S 参数，需要具备
4、足够的高频电子电路的基础知识在进行射频、微波等高频电路设计时，节点电路理论已不再适用，需要采用分布参数电路的分析方法，这时可以采用复杂的场分析法，但更多地时候则采用微波网络法来分析电路，对于微波网络而言，最重要的参数就是 S 参数。在个人计算机平台迈入 GHz 阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到 I/O 接口，全部走入高频传送的国度，所以现在不但射频通信电路设计时需要了解、掌握 S 参数，计算机系统甚至消费电子系统的设计师也需要对相关知识有所掌握。S 参数的作用 S 参数的由来和含义在低频电路中，元器件的尺寸相对于信号的波长而言可以忽略(通常小于波长的十分之一) ，这种情况
5、下的电路被称为节点(Lump)电路，这时可以采用常规的电压、电流定律来进行电路计算。其回路器件的基本特征为： 具体来说 S 参数就是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，适于微波电路分析，以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述电路网络。 针对射频和微波应用的综合和分析工具几乎都许诺具有用 S 参数进行仿真的能力，这其中包括安捷伦公司的 ADS（Advanced Design System），ADS 被许多射频设计平台所集成。 在进行需要较高频率的设计时，设计师必须利用参数曲线以及预先计算的散射参数（即 S-参数）模型，才能用传输线和器件模型来设计所有物理元件。 电阻：能量
6、损失（发热） 电容: 静电能量 电感: 电磁能量但在高频微波电路中，由于波长较短，组件的尺寸就无法再视为一个节点，某一瞬间组件上所分布的电压、电流也就不一致了。因此基本的电路理论不再适用，而必须采用电磁场理论中的反射及传输模式来分析电路。元器件内部电磁波的进行波与反射波的干涉失去了一致性，电压电流比的稳定状态固有特性再也不适用，取而代之的是“分布参数” 的特性阻抗观念，此时的电路被称为分布（Distributed） 电路。分布参数回路元器件所考虑的要素是与电磁波的传送与反射为基础的要素，即： 反射系数 衰减系数 传送的延迟时间分布参数电路必须采用场分析法，但场分析法过于复杂，因此需要一种简化的
7、分析方法。 微波网络法广泛运用于微波系统的分析，是一种等效电路法，在分析场分布的基础上，用路的方法将微波元件等效为电抗或电阻器件，将实际的导波传输系统等效为传输线，从而将实际的微波系统简化为微波网络，把场的问题转化为路的问题来解决。一般地，对于一个网络有 Y、 Z 和 S 参数可用来测量和分析， Y 称导纳参数，Z 称为阻抗参数，S 称为散射参数；前两个参数主要用于节点电路，Z 和 Y 参数对于节点参数电路分析非常有效，各参数可以很方便的测试；但在处理高频网络时，等效电压和电流以及有关的阻抗和导纳参数变得较抽象。与直接测量入射、反射及传输波概念更加一致的表示是散射参数，即 S 参数矩阵，它更适
8、合于分布参数电路。 S 参数被称为散射参数，暗示为事物分散为不同的分量，散射参数即描述其分散的程度和分量的大小。具体来说 S 参数就是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，适于微波电路分析，以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述电路网络。 同 N 端口网络的阻抗和导纳矩阵那样，用散射矩阵亦能对 N 端口网络进行完善的描述。阻抗和导纳矩阵反映了端口的总电压和电流的关系，而散射矩阵是反映端口的入射电压波和反射电压波的关系。散射参量可以直接用网络分析仪测量得到，可以用网络分析技术来计算。只要知道网络的散射参量，就可以将它变换成其它矩阵参量。下面以二端口网络为例说明各个 S 参数
9、的含义，如图所示。二端口网络有四个 S 参数，Sij 代表的意思是能量从 j 口注入，在 i 口测得的能量，如 S11定义为从 Port1 口反射的能量与输入能量比值的平方根，也经常被简化为等效反射电压和等效入射电压的比值，各参数的物理含义和特殊网络的特性如下：S11：端口 2 匹配时，端口 1 的反射系数 S22：端口 1 匹配时，端口 2 的反射系数 S12：端口 1 匹配时，端口 2 到端口 1 的反向传输系数 S21：端口 2 匹配时，端口 1 到端口 2 的正向传输系数对于互易网络，有：S12S21 对于对称网络，有：S11S22 对于无耗网络，有：（S11）2（S12）2 1我们经
10、常用到的单根传输线，或一个过孔，就可以等效成一个二端口网络，一端接输入信号，另一端接输出信号，如果以 Port1 作为信号的输入端口，Port2 作为信号的输出端口，那么 S11 表示的就是回波损耗，即有多少能量被反射回源端（ Port1），这个值越小越好，一般建议 S110.7，即 3dB。如果网络是无耗的，那么只要 Port1 上的反射很小，就可以满足 S210.7 的要求，但通常的传输线是有耗的，尤其在 GHz 以上，损耗很显著，即使在Port1 上没有反射，经过长距离的传输线后， S21 的值就会变得很小，表示能量在传输过程中还没到达目的地，就已经消耗在路上了。S 参数在电路仿真中的应
11、用S 参数自问世以来已在电路仿真中得到广泛使用。针对射频和微波应用的综合和分析工具几乎都许诺具有用 S 参数进行仿真的能力，这其中包括安捷伦公司的 ADS（Advanced Design System），ADS 被许多射频设计平台所集成。在许多仿真器中我们都可以找到 S 参数模块，设计人员会设置每一个具体 S 参数的值。这也和 S 参数的起源一样，同样是因为频率，在较低的频率时，设计师可以在电路板上安装分立的射频元件，再用阻抗可控的印制线和通孔把它们连接起来。在进行需要较高频率的设计时，设计师必须利用参数曲线以及预先计算的散射参数（即 S-参数）模型，才能用传输线和器件模型来设计所有物理元件。
12、设计师可以通过网络分析仪来实际测量 S 参数，这样做的好处是可以将器件装配在与将要生产的 PCB 相同的 PCB 上进行测试以得到精确的测量结果。设计师也可以采用元器件厂家提供的 S 参数进行仿真，据安捷伦 EDA 部门晶体管的一位应用工程师在文章中介绍：“这些数据通常是在与最终应用环境不同的环境中测得的。这可能在仿真中引入误差” 他举例：“当电容器安装在不同类型的印制电路板时，电容器会因为安装焊盘和电路板材料( 如厚度、介电常数等)而存在不同的谐振频率。固态器件也会遇到类似问题( 如 LNA 应用中的)。为避免这些问题，最好应该在实验室中测量 S 参数。但无论如何，为了进行射频系统仿真，就无法回避使用 S 参数模型，无论这些数据是来自设计师的亲自测量还是直接从元器件厂家获得，这是由高频电子电路的特性所决定了的。
