1、PIN PD 芯片知识,培训内容,PD芯片基本理论 PD 芯片设计说明 PD芯片工艺流程 PD芯片参数及测试 PD芯片检验 结束语,P,N,6.1PD的工作原理平衡状态下的PN结：P型N型半导体交界面将发生载流子的扩散运动。达到平衡时形成空间电荷区，形成内建电场Ei以及接触势垒Vd，Vd Ei的存在阻止了多数载流子向对方扩散，达到了动态平衡。 6.2光照时节 当光波照射到PN结上，光子就会产生电子空穴时，光生载流子的运动同样在结区形或电场Ei，和电压Vp，而Vp和Ep的方向和极性正好与Vd和Ei相反起削弱电场Vd和Ei的作用，当外界光照是稳定的将PN结西端用导线连接，串入电流计就能读出光电流I
2、p.,6.3外加电时 反向偏置的PN结。零偏下的PN结，当以适当的能量光照射PN结。使光生电场E=Ei-Ep=0即Ei已被削减为零。耗尽区不存在。这时光生载流子虽仍在P-N中产生。但无电场引导和加速。在杂乱的扩散过程中，大部份光生空穴和光生电子相继复合而消失。不能形成外部电流。 A、零偏置有大弊端器件的响应率很差且很易饱和依靠扩散动动形成的光电流响应速度很慢B、 PN结上加反向偏置电压势垒Vd+V高度增加，耗尽区宽度W加宽。响应率和响应速度都可以得到提高。,7、PIN光电二极管 PN结器件：结构简单；暗电流降低困难，无法提高响应率；稳定性差 PIN器件： 当器件处于反偏置状态时电源在PN结中形
3、成电场E与内建电场Ei同方向，合成结电场 Ej=E+Ei使耗尽区W显著地展宽，再加本征i层具有极高的电阻值，已接近绝缘体，耗尽区在整个i区内延伸。给器件带来三个优点。 A、I区较P区厚，入射光能在较宽的范围内激发出载流子，因而提高了器件的响应率。 B、 整个I区较有电场，光生载流子获得较扩散速度快得多的漂移速度奔向电极形成外部电流，因响应度提高了。 C、耗尽区拉宽，使结电容减小，有利于高频响应。,1前言随着光电子技术的高速发展，对光电探测器的可靠性提出了越来越高的要求。器件是否能长期稳定可靠地工作，成为光电探测器件的设计、制造所要解决的关键问题之一。 2. 芯片结构设计,图1300m芯片结构图
4、,11016/cm30.81m 0.9-1,151015/cm3 2.02.5m,11018/cm3 350m,h,Cr/Au,In0.53GaAs0.47 n-,InP n,InP(sub) n+,图1 55m芯片结构图,InP P,21 采用原子面密度最小的（100）InP做衬底，以降低界面态；采用掺硫衬底，因为硫在InP中有明显的抑制做用。 22 在衬底与吸收层之间生长的非掺杂InP缓冲层,以阻挡外延生长过程中衬底硫反扩散对有源层造成的污染,并实现衬底与吸收层之间的晶体过度,减少晶体缺陷。 2.3 在窄带隙In0.53Ga0.47As（Eg0.47ev）吸收层上生长一层宽带隙InP顶层（
5、Eg1.35ev），InPInGaAs异质结势垒将有效地控制少数载流子扩散电流的产生。宽带隙材料与表面钝化膜之间存在较大的势垒，电子和空穴不易由半导体注入到介质膜中，能够稳定暗电流参数。 2.4 采用双层钝化膜平面结构，较之台面结构其稳定性更好。 2.5 P面采用延伸电极，避免了因键合应力直接施加在Pn结及有源区上产生新的晶体缺陷以及由此造成的结构退化。,光敏面尺寸：55m 光敏面尺寸：300m图2一次版图考虑到经环境应力及机械应力试验后光纤仍对准光敏面，我们对光敏面进行了设计，保证了光敏面对光全接收，又有一定的藕合容量，并能避免光纤离光敏面太近而带来的弊端,芯片版图设计,300二次版图 55
6、二次版图图3二次版图二次版用来确定P面电极孔尺寸。为了防止P面金属电极中的Au原子在一定温度下沿钝化膜与半导体界面横向迁移，以及沿膜针孔向结扩散而造成短路或暗电流参数不稳定，在扩散掩膜上再设计了一层钝化膜，采用二次光刻技术刻出小于第一次扩散窗口的P面电极环，以达到保护结的目的。由于PN结的横向扩展，结离金属电极边缘的实际距离起到了保护结的作用。,二次版图,55二次版图 55二次版图 图4三次版图三次版图为P面电极图形，电极材料为Cr-Au，它由光敏面电极及延伸电极组成。光敏面电极要大于二次版电极环尺寸，延伸电极是为了避免键合应力直接施加在光敏面上而设计的。由于它延伸到介质膜上面，将附加一个MO
7、S电容，因此不宜过大。延伸电极的尺寸为60m，是为金丝球焊设计的（焊点一般为6070m）延伸条的宽度不能太窄，否则电流密度过大将引起电迁移或断裂失效。一般情况下CrAu的电流密度1106Acm2、平均环境温度在195时，电极条的平均寿命可达13500h。在实际应用中，探测的光功率远小于8mW，而且最高工作温度为100，因此电极条设计完全能满足稳态工作寿命10000h的要求.,三次版图,4. 工艺设计41 基片材料设计衬底晶向设计为（100）。（100）晶面的界面态密度最小，而且与其它晶向相比，便于划片或解理，因此 可避免由此给管芯带来的晶格损伤。设计的衬底掺杂元素为（S）。硫有明显抑制位错的作
8、用，在相同的掺杂浓度下，位错密度可低0.51个数量级。要求衬底位错密度越低越好。但鉴于国内目前nInP位错密度的最好水平就是5103cm2。因此设计此参数。厚度：34010m；表面：无波纹，无腐蚀坑，表面平整、光亮。,42 外延层设计 42.1 InGaAs层吸收层厚度设计：2.02.5m；器件的光学参数及频响性能要求I层的设计厚度为2m,而试验结果表面P+区厚度(含InP顶层)1.0m时,pn结受表面效应的影响较小,器件的击穿特性及暗电流参数的稳定性都比较好，而且响应度高。，则InGaAs层的厚度设计为：2.02.5m。载流子浓度设计：21015CM-3InGaAs层的载流子浓度与器件的隧道
9、效应即齐纳击穿有关系，尽管器件在较低偏置下工作，但由于InGaAs材料的带隙较窄（0.75V），如果载流子浓度过高，同样将产生隧道效应，导致漏电增大。考虑到器件是在低电场下工作的PIN器件，并兼顾目前的工艺水平，我们设计InGaAs层的载流子浓度为11015CM-3，所产生的隧道效应电流应该是很小的。,42.2 InP顶层层厚：0.51.0m。该层是为抑制少子扩散电流和降低表面漏电流而设计的，其带隙Eg=1.35ev，=1.3m(InP) 根据试验结果，层厚0.5m就抑可达到设计目的。但受扩散掩膜的限制，层厚不宜1. 5m。因此我们设计该层的厚度为0.51m，则总的P+区（扩散层）厚度为1.2
10、1.5m。该层虽然不是器件的有源层，但作为表面层，表面形貌也应较好。其表面形貌，表面状态的好坏，一方面与工艺条件有关，更主要的是取决与晶体的匹配情况。,43 表面钝化膜设计 器件表面钝化要求它的钝化膜最主要应具备两种功能，其一，为使半导体表面稳定，要求钝化膜中可动和固定电荷少，界面态和陷阱低；其二，它要求钝化膜具有阻挡和束缚杂质离子的作用。通过摸底试验，我们认为钝化膜是造成器件在稳态工作寿命（高温反偏）试验中 失效的主要因素。膜的材料类型，制作工艺以及制作质量强烈地影响着暗电流参数的稳定性。低温PECVDSiNX膜具有良好的阻挡杂质的功能，而且稳态工作寿命试验后器件的暗电流参数稳定。但从可靠性
11、角度出发，我们设计芯片的第一层表面钝化膜为PECVD SiNX 在第一层SiNX上面叠加第二层SiO2作为表面钝化层,其作用是进一步阻挡或隔离外界杂质及环境对结的侵蚀,以及防止P面金属电极的Au原子在一温度下向PN结横向迁移从而造成暗电流不稳定及PN结短路等(见二次版图设计)。则两次膜总厚度为1.301.40m。,4.3.1 耐压强度用现有的PECVD工艺制作的膜，其耐压为6106V/cm，若膜厚为1.301.40m，耐压强度则为165192V。芯片工作电压的最大额定值为-10V，而且器件的击穿电压均60V左右，因此设计指标完全能满足要求。4.3.2折射率1.852.0 折射率反映了膜的致密程
12、度及化学组份，它与淀积条件密切相关。PECVD SiN膜的折射率一般在182.1之间。实验中我们发现折射率越高，膜越容易龟裂，因此我们将容易生产龟裂的第一层SiN膜折射率设计为1.851.9,不易裂且起钝化作用.由于SiN与InP的热膨胀系数不一致，界面产生的应力较大，尤其是PECVD SiN摸呈现压缩应力，在高真空闭管扩散中，膜稍厚就会因应力造成龟裂而失去掩膜作用。因此在设计最佳厚度时应考虑此因素，我们设计SiN掩膜厚度为0.080.12m。,4.Zn扩散采用平面Zn扩散工艺制作pn结，扩散杂质为Zn。Zn的扩散速率很快，并且在闭管扩散中行为也很复杂，它强烈地依赖于扩散工艺条件，尤其是对封管
13、内的磷量多少很敏感。因此，尚未见到Zn在InP、InGaAs中扩散系数的确切数据。我们只能根据试验数据来推算扩散掩膜所需的厚度。杂质质Zn 在有源层中扩散都服从规律，其扩散深度也具有同样的表达方式：Xj=ADt 式中,Xj:杂质的扩散深度;A:系数,与InP的表面浓度有关；D：扩散系数；t：扩散时间。,5. P面电极 材料： Cr/ Au 总厚度：0.250.35m Cr作为势垒层处于p-InGaAs和Au之间，可阻挡Au向半导体内迁移。另外，Cr与SiN膜有很强的粘附性，有利于延伸电极的制作，并且Cr/ Au P面接触的正向电压降VF1.0V（1mA下），符合器件参数要求。因此，我们设计P面
14、接触为Cr/ Au系统。考虑到太厚的Cr层不易于光刻，我后设计Cr层厚度为0.050.08m，Au层厚度设计为0.250.35m，主要是有利于压焊金丝引线。 6. n面电极材料：Au； 总厚度：0.150.2m 目的是为了实现欧姆接触和芯片烧结的牢固性。半导体芯片的压焊,1.3 PD芯片工艺路线,淀积SiN和SiO2复合钝化膜,一次光刻扩散区,Zn扩散,淀 积 增 透 膜,二次光刻引线孔,蒸发Cr/Au,三次光刻压焊点,背面磨抛减薄,背面蒸发 Au,合金,中测,划片,分选合格品,高温存贮,QA抽样测试,入库,2.1主要技术参数,测试环境、测试工艺条件 1 测试环境 1.1 相对湿度 4555%
15、 1.2 环境温度 223 2 测试工艺条件 2.1 暗电流ID： VR=5V 2.2反向击穿电压VBR： IR=10A 2.3正向压降VF： IF=1mA2.4 响应度Re： =1.3m VR=5V,PD芯片测试要求,反向击穿电压VBR测试 反向击穿电压VBR是PD芯片的极限参数。定义：在规定通过PD芯片反向电流IR=10A时，加在两极间所产生的电压降为PD芯片的反向击穿电压。 测试步骤:校正仪表零位，在XJ4810型图示仪上设定IR=10A的规定值，调节恒流源IR=10A时，在显示屏I-V曲线上读出加在PD芯片两端的反向击穿电压VBR值。,暗电流ID测试: 定义：暗电流测试是在无光照下，P
16、D芯片两端加规定的VR=5V反向偏置电压时，PD芯片中流过的电流。,2.3质量考核条件,2.3.1高温存贮： 温度：+125时间：96hr 气氛：充N2保护 2.3.2电老化:11111111111111111 温度： 175 时间：16 hr 偏置：-10V 气氛：N2,2.2质量考核条件,2.2.4压焊点拉力试验: （非破坏性）金丝直径：18m,InGaAs/InP PIN PD芯片光刻工艺检验规范 1、检验内容待光刻片的质量检验 光刻片的质量检验 2、光刻质量检查2.1 待光刻片的检验 用2010倍测量显微镜检 Si3N4，Cr/Au、表面，应无颗粒，颜色均匀。2.2 光刻质量检验 3.
17、2.1 光刻图形边缘应整齐，无钻蚀，无毛刺，无小岛。3.2.2 光刻图形上无残留光刻胶。3.2.3 Si3N4，Cr/Au、薄膜上无针孔。3.2.4 一次光刻扩散窗口无残留Si3N4膜。3.2.5 二次、三次Si3N4，Cr/Au、图形套刻准确。4、检查规定4.1 刻蚀Si3N4片100%检查。4.2 刻蚀Cr/Au、片100%检查。,InGaAs/InP PIN PDZn扩散工艺的检验规范 1、检验内容 反向击穿电压VBR: 暗电流ID： 2、扩散质量检验 2.1 在10A下测反向击穿电压VBR: VBR30V 2.2 在-5V偏置下利用34401A数字电压表粗测暗电流 55m ID0.5n
18、A 300m ID3.5 nA 2.3 测量扩散结深XJ 用显结液HF:H2O2:H2O=1:1:10腐2分钟，在1050倍显微镜下观察扩散剖面， 扩散结面应平整，结线应清晰。 结深XJ=1.21.5m。3、检验规定 反向击穿电压100%检验 暗电流100%检验,InGaAs/InP PIN PD芯片合金工艺的检验规范1、检验内容 暗电流ID 反向击穿电压VBR 正向压降 VF 2、检验方法 2.1. 合金前，在-5V下，定点测暗电流 ID55m ID0.5nA。 300m ID3.5nA。2.2合金前，在10A下，定点测反向击穿电压VBR 2.3合金前，在1mA下，定点测正向电压VF 3.合
19、金后质量检验 3.1 用探针扎合金后的金属电极，应粘附好，不起层。3.2 测试合金前定点管芯ID：55m ID0.5nA。 300m ID3.5nA。3.3测试合金前定点管芯的正向压降：55m VF1.0V。 300m VF0.7V。4、检验规定 4.1每片测35个点的正向压降。 4.2每片定点测35个点的暗电流。,InGaAs/InP PIN PD芯片外延材料检验规范 2、检验内容 外延材料表面 外延材料各层次厚度 外延材料载流子浓度 外延材料物理尺寸 3、外延材料质量检验 3.1 镜检采用2010倍数的显微镜观测外延材料表面应镜面、平整、光亮无划痕。 3.2 测量外延层各层厚度 用K3Fe
20、(CN)6 :KOH:H2O=1:1:10溶液显影后，然后用5010倍测量显微镜测量各外延层厚度，各外延层应界面平整，结线清晰，n-InGaAs吸收层2.5-2.0m，n-InGaAsP（n-InP）顶层0.81.2m。,3.3测量外延片击穿电压 根据扩散后的击穿电压，换算出外延片有源层的载流子浓度。外延片击穿电压应45V（对应的载流子浓度1.11016cm-3）。 3.4测量外延材料物理尺寸 外延材料直径=50.5mm0.5 mm 4、检验规定 4.1 衬底片表面抽样率为100% 4.2 外延层厚的抽样率为100%。 4.2 外延片击穿电压的抽样率为100%。,InGaAs/InP PIN
21、PD芯片减薄工艺的检验规范 1、检验内容 待减薄片厚度， 减薄片厚度2、检验方法 21用千分表将待减薄片依次测量其厚度， 将厚度差为10m的片子粘到一个磨盘上，然后进行减薄。22 减薄质量检验用千分表测厚度应为200m 20m。23 用1010显微镜观察，减薄面无划痕。4、检验规定减薄厚度100%检验。,InGaAs/InP PIN PD芯片中测工艺的检验规范 1、检验内容反向击穿电压暗电流 正向电压 2、检验方法 2.1 将不完整的芯片除去。 2.2 在10下测反向击穿电压VB: VB30V。 23北 在-5V下测暗电流ID: 55m ID0.5nA。300m ID3.5nA。 3、检验规定 3.1 反向击穿电压VB100%检测。 3.2 暗电流100%检测。 3。2正向电压100%检测,InGaAs/InP PIN PD芯片减薄工艺的检验规范 1、检验内容 待减薄片厚度， 减薄片厚度2、检验方法 21用千分表将待减薄片依次测量其厚度，将厚度差为5m的片子粘到一个磨盘上，然后进行减薄。 22 减薄质量检验用千分表测厚度应为195m 10m。 23 用1010显微镜观察，减薄面无划痕。3、检验规定减薄厚度100%检验。,
