1、第 2 章 电力电子器件 填空题： 1.电力电子器件一般工作在_状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_。3.电力电子器件组成的系统，一般由_、_、 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_ 、 _ 、_三类。5.电力二极管的工作特性可概括为_。6.电力二极管的主要类型有_、_、 _。7.肖特基二极管的开关损耗_快恢复二极管的开关损耗。8、普通晶闸管内部四个区形成 PN 结,外部有三个电极，分别是 极、 极和 极。晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，
2、门极上加上 电压，晶闸管就导通。只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才通转为截止。9.对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL_IH 。10.晶闸管断态不重复电压 UDRM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDRM_Ubo。11.逆导晶闸管是将_与晶闸管_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO 的_ _结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。13.GTO 的全称是 ， GTR 的全称是 ；P-MOSFET 的全称是 ；IGBT 的全称是 。14.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前
3、者的截止区对应后者的_、前者的饱和区对应后者的_、前者的非饱和区对应后者的_。15.电力 MOSFET 的通态电阻具有_温度系数。16.IGBT 的开启电压 UGE（th）随温度升高而_，开关速度_电力MOSFET 。17.功率集成电路 PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_。18.GTO 的关断是靠门极加 来实现的。19. 电力 MOSFET 是一种性能优良的电子器件，是用 极电压来控制 极电流的，因此它显著特点是： ， ，但是 缺点是 和 。20.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_和_两类。21. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件
4、可分为以下三类： 、和 。22.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论 ，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在 情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通， 就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流 或者 。23.晶闸管的派生器件有： 、 、 、 。24. GTR 导通的条件是： 且 。25.电力 MOSFET 导通的条件是： 且 。开关时间的大致范围是： 。26.IGBT 是由 和 两类器件取长补短结合而成的复合器件。27.IGBT 导通的条件是： 且 。28.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（G
5、TR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_，属于半控型器件的是_，属于全控型器件的是_；属于单极型电力电子器件的有_，属于双极型器件的有_，属于复合型电力电子器件得有 _；在可控的器件中，容量最大的是_，工作频率最高的是_，属于电压驱动的是_，属于电流驱动的是_。29.某半导体器件的型号为 KP507 的，其中 KP 表示该器件的名称为 ，50 表示 ，7 表示 。简答题：30.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？31.应用电力电子器件的系统组成如题图 2-1 所示，试说明其中保护电路的重要意义？ 32.试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。33.读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。a b c d e f g i 计算题： 34.晶闸管在单相正弦有效值电压 220V 时工作,若考虑晶闸管的安全裕量 ,其电压定额应选多大 ?
