1、晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端 并联 RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数断态电压临界上升率 dlv/dlt。它表 明晶闸管(可控硅) 在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅) 的电压上升率的值，则会在无门 极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可 能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅) 可以看作是由三个 PN 结组成。在晶闸管
2、(可控硅) 处于阻断状态下，因各层相距很近，其 J2 结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管( 可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容 C0，并通过 J3 结，这 个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管( 可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快， 则 C0 的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅) 误导 通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上 升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅 ) 两端并联 RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上
3、升率。因为电 路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感) ，所以与电容 C 串联电阻 R 可起阻尼作用，它 可以防止 R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管( 可控 硅)。同时， 避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可 控硅 )。由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作 的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择 :C=(2.5-5)10 的负 8 次方IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用 500A 的晶闸管(可控硅)可以计
4、算 C=(2.5-5)10 的负 8 次方500=1.25-2.5mF选用 2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=(2-4) 535)/If=2.14-8.56选择 10 欧PR=(1.5(pfv2fc)的平方10 的负 12 次方R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取 110 毫秒。小功率负载通常取 2 毫秒左右，R=220 欧姆/1W，C=0.01 微法/400630V/ 。大功率负载通常取 10 毫秒，R=10 欧姆 /10W，C=1 微法/6301000V。R 的选取：小功率选金属膜或 RX21 线绕或水泥电阻；大功率选 RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于 10A 电流的可控硅的阻尼吸收 列入小功率范畴；接触器触点和大于 10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
