实验总纲,实验目的：建立PECVD基本参数 实验方法：在SiO2表面上正光阻，曝光显影后，用BOE去光阻，最后用台阶仪测量深度，计算得出速率。,实验步骤,首先设定实验参数,按设定的参数沉积SiO2，测量致密性，然后拿去曝光显影。 BOE蚀刻后，去掉光阻，可以用台阶仪测量高度了。 测量和搜集数据。,经计算得出PECVD的沉积速率是5.10A/s,蚀刻芯片,使用清腔气体蚀刻上有SiO2的芯片，以判别该器台的蚀刻速率，更好的掌握清腔的时间。,首先设定实验参数,把之前的芯片放进去，然后启动清腔程序，最后测量高度。 用原来的高度减去蚀刻后的高度，就能得出蚀刻的高度。,经计算得清腔气体蚀刻SiO2速率是2.52A。,实验完毕,2010.08.02,
