1、31实验 11 用霍尔传感器测螺线管的磁场分布年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一1879种电磁现象，此现象称为霍尔效应，半个多世纪以后，人们发现半导体也有霍尔效应，而且半导体霍尔效应比金属强得多。近 多年来，由高电子迁移率的半导体材料制成的霍30尔传感器已广泛用于磁场测量和半导体材料的研究。用于制作霍尔传感器的材料有许多种:单晶半导体材料有锗、硅；化合物半导体有锑化铟、砷化铟和砷化镓等等。在科学技术发展中，磁的应用越来越被人们重视。目前霍尔传感器典型的应用有：磁感应强度测量仪(又称特斯拉计)，霍尔位置检测器，无接点开关，霍尔转速测定仪， 大电流A201测量仪，
2、电功率测量仪等。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。 年德国冯克利青教授在低温和1980强磁场下发现了量子霍尔效应，这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行更深入研究，并取得了重要应用。例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测定光谱精细结构参数等。通过本实验学会消除霍尔元件副效应的实验测量方法，用霍尔传感器测量通电螺线管内激励电流与输出霍尔电压之间关系，证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比；了解和熟悉霍尔效应重要物理规律,证明霍尔电势差与霍尔电流成正比；用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算
3、值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法。【实验目的】1.掌握用霍尔效应法测量磁场的原理,测量长直螺线管轴线上的磁感应强度分布。2.学习 FB400 型霍尔效应法螺线管磁场测定仪的使用方法。3.验证霍尔电势差与励磁电流(磁感应强度) 及霍尔元件的工作电流成正比的关系式。【实验原理】1 霍尔效应图 11-1 N 型霍尔元件 图 11-2 P 型霍尔元件32霍尔元件的作用如图 11-1(图 11-2)所示.若电流 流过厚度为 的
4、半导体薄片，且磁Id场 垂直作用于该半导体,则电子流方向由于洛伦兹力的作用而发生改变，该现象称为霍B尔效应，在薄片两个横向面 之间与电流 ，磁场 垂直方向产生的电势差称为霍尔a、bB电势差.霍尔电势差是这样产生的：当电流 IH通过霍尔元件（假设为 型）时，空穴有一定P的漂移速度 v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力（11-1）)(vqFB式中 为运动电荷电量，洛仑兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转q的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场 ，直到电场对载流子的作用力E与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止，即EF（11-qBv)(2）这时电荷在样品中流动时不再偏转，霍尔电势差就是由
5、这个电场建立起来的。如果是 型样品，则横向电场与前者相反，所以 型样品和 型样品的霍尔电势差NNP有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。设 型样品的载流子浓度为 ，宽度为 ，厚度为 ，通过样品电流PPwd，则空穴的速度 代入（11-2）式有dwvqISqIvS（11-dpBE3）上式两边各乘以 ，便得到w（11-dIRqpIVSHSH4）其中 称为霍尔系数，在应用中一般写成qpRH1（11-BIKVSH5）称为霍尔元件的灵敏度，单位为 。dqpRKH1 TmAV33于是磁感应强度： （11-6）SHIKVB一般要求 愈大愈好。 与载流子浓度 成反比，半导体内载流子浓度远比金属载流HKP
6、子浓度小，所以都用半导体材料作为霍尔元件， 与材料片厚 成反比，因此霍尔元件Hd都做得很薄，一般只有 厚(甚至只有十几微米厚) 。m2.0由式（11-5）可以看出，知道了霍尔片的灵敏度 ，只要分别测出霍尔电流 及KSI霍尔电势差 就可以算出磁场 的大小，这就是霍尔效应测量磁场的原理。HVB因此，根据霍尔电流 和磁场 的方向，实验测出霍尔电压的正负，由此确定霍尔系数SI的正负,即判定载流子的正负，是研究半导体材料的重要方法。对于 型半导体的霍尔元N件，则导电载流子为电子，霍尔系数和灵敏度为负；反之，对于 型半导体的霍尔元件,P则导电载流子为空穴，霍尔系数和灵敏度为正。2霍尔元件的副效应及消除副效
7、应的方法一般霍尔元件有四根引线，两根为输入霍尔元件电流的“电流输入端” ，接在可调的电源回路内；另两根为霍尔元件的“霍尔电压输出端” ，接到数字电压表上。虽然从理论上可知，霍尔元件在无磁场作用时( 时) ， ，但是实际情况用数字电压表测得0BHV并不为零，该电势差称为剩余电压。这是半导体材料电极不对称、结晶不均匀及热磁效应等多种因素引起的电势差。具体如下：1）不等势电压降 0V霍尔元件在不加磁场的情况下通以电流，理论上霍尔片的两电压引线间应不存在电势差。实际上由于霍尔片本身不均匀，性能上稍有差异，加上霍尔片两电压引线不在同一等位面上，因此即使不加磁场，只要霍尔片上通以电流，则两电压引线间就有一
8、个电势差 。 的方向与电流的方向有关，与磁场的方向无关。 的大小和霍0 0V尔电势 同数量级或更大。在所有附加电势中居首位。HV2）爱廷豪森效应(Etinghausen)当放在磁场 中的霍尔片通以电流 以后，由于载流子迁移速度的不同，载流子BI所受到的洛仑兹力也不相等。因此，作圆周运动的轨道半径也不相等。速率较大的将沿较大的圆轨道运动，而速率小的载流子将沿半径较小的轨道运动。从而导致霍尔片一面出现快载流子多，温度高；另一面慢载流子多，温度低。两端面之间由于温度差，34于是出现温差电势 。 的大小与 乘积成正比，方向随 、 换向而改变。EVBIIB3）能斯托效应(Nernst)由于霍尔元件的电流
9、引出线焊点的接触电阻不同，通以电流 I 以后，因帕尔贴效应，一端吸热，温度升高；另一端放热，温度降低。于是出现温度差，样品周围温度不均匀也会引起温差，从而引起热扩散电流。当加入磁场后会出现电势梯度，从而引起附加电势 ， 的方向与磁场的方向有关，与电流的方向无关。NV4）里纪勒杜克效应(Righi-Leduc)上述热扩散电流的载流子迁移速率不尽相同，在霍尔元件放入磁场后，电压引线间同样会出现温度梯度，从而引起附加电势 。 的方向与磁场的方向有关，与RLV电流方向无关。在霍尔元件实际应用中，一般用零磁场时的电压补偿法消除霍尔元件的剩余电压。在实验测量时,为了消除副效应的影响，分别改变 的方向和 的
10、方向，记下四组电SIB势差数据（ 换向开关向上为正）2 1,K当 正向、 正向时：SIBRLNEHVV01当 负向、 正向时： 2当 负向、 负向时：SI RLNEH03当 正向、 负向时：BVV4作运算 ，并取平均值，得321VEH)(44321由于 和 始终方向相同，所以换向法不能消除它，但 ，故可以忽略不计，EH HV于是（11-)(41432VH7）温度差的建立需要较长时间，因此，如果采用交流电使它来不及建立就可以减小测35量误差。3长直通电螺线管中心点磁感应强度理论值根据电磁学毕奥萨伐尔(Biot-Savart) 定律，长直通电螺线管轴线上中心点的磁感应强度为（11-2DLINBM中
11、 心8）螺线管轴线上两端面上的磁感应强度为（11-9）212LIM中 心端式中， 为磁介质的磁导率，真空中 ， 为螺线管的总匝数，AmT/0470N为螺线管的励磁电流， 为螺线管的长度， 为螺线管的平均直径。MILD【实验仪器】1 型霍尔效应法螺线管磁场测定仪；2螺线管实验装置。40FB【实验内容】一、必做部分：如图 11-3 所示，根据图上的要求将专用连接线把 型螺线管磁场测定仪和螺线40FB管实验装置接好，接通交流市电：1把测量探头置于螺线管轴线中心，即 刻度处，调节恒流源(IS 调节),使cm0.16，按下 （即测 ，依次调节励磁电流为 每mAIS0.5VH/H ,10mAIM次改变 ,
12、测量霍尔电压，填入表 11-1，按实验数据作 关系曲线。求出线HV性关系方程式，并求出相关系数。表格中 。证明霍尔)(41432H电势差与螺线管内磁感应强度成正比。2调节励磁电流为 ，调节霍尔电流为 ，测量螺线管轴线上刻度为mA50mA0.5每次移动 各位置的霍尔电势差。(注意,根据仪器设计,这时候对应,.16.0cXc1的两维尺水平移动刻度尺读数分别为: 处为螺线管轴线中心， 处为螺线管轴.6cm0.3线的端面，找出霍尔电势差为螺线管中央一半的数值的刻度位置。按给出的霍尔灵敏度作磁场分布 图。B361、螺线管； 2、霍尔传感器垂直调节； 3、霍尔传感器水平调节； 4、信号转换继电器；5、信号
13、转换指示灯； 6、信号转换按扭； 7、励磁电流换向开关； 8、 FB400 型螺线管磁场测试仪图 11-3二、选做部分：放置测量探头于螺线管轴线中心，即 刻度处，固定励磁电流 ，调cm0.16mA10节恒流源(IS 调节)，使 每次改变 ，测量对应的霍尔电压，填,.50AISA5.入表 11-3，按实验数据作 关系曲线。求出线性关系方程式，并求出相关系数。验SHIV证霍尔电势差与霍尔电流成正比。【数据与结果】1用螺线管中心点磁感应强度理论计算值，校准或测定霍尔传感器的灵敏度。螺线管匝数为 ，长度 ，平均直径 。TN250mL26.0mD035.表 11-1mAIMVH1MSI, H2 MSI,
14、VH3 MSI, H4 MSI, VH37010020060010002通电螺线管轴向磁场分布测量。霍尔电流 ，螺线管通电励磁电流 ，mAIH0.5 mAIM50。TVKH/记录数据于表 11-2 中，按实验数据作 关系曲线。XVH表 11-2cmXVH1MSI, m2SI, 3MSI, mVH4SI, HTB0.01.02.0*3.0*4.05.011.012.013.014.015.0*16.0*3验证霍尔电势差与霍尔电流成正比表 11-338mAISVH1MSI, mH2 MSI,VH3 MSI, mH4 MSI, VH0.000.501.001.502.002.503.003.504.
15、004.505.00【注意事项】1. 注意实验中霍尔元件不等位效应的观测，设法消除其对测量结果的影响。2. 励磁线圈不宜长时间通电，否则线圈发热，会影响测量结果。3霍尔元件有一定的温度系数，为了减少其自身发热对测量影响，实验时工作电流不允许超过其额定值 。mA5【思考题】1. 用简略图形表示霍尔效应法判断霍尔片是属于 n 型还是 p 型的半导体材料？2. 用霍尔效应测量磁场过程中，为什么要保持 的大小不变？SI3. 若螺线管在绕制时，单位长度的匝数不相同或绕制不均匀，在实验时会出现什么情况？绘制 分布图时，电磁学上的端面位置是否与螺线管几何端面重合？XB霍尔效应在科研中有何应用，试举几个实际例子说明？
