变频器主电路测试规范.pdf

1、规范编码：RD-CRT-T00 版 本：V1.1 密 级： 机 密 测试规范 英威腾电气股份有限公司 测试部 生效日期：2010.04 页 数： 16 页 变频器主电路测试规范 拟 制：_ 日 期：_ 审 核：_ 日 期：_ 批 准：_ 日 期：_ 测试部测试规范 1 更 改 信 息 登 记 表 规范名称: 变频器主电路测试规范 规范编码：RD-CRT-T00 版本 更改原因 更改说明 更改人 更改时间 V1.0 拟制新规范 代建军 2007.10.16 V1.1 规范升级 更改部分验收准则 韦启圣 2010.04.22 评审会签区： 人员 签名 意见 日期 董瑞勇 张科孟 张波 吴建安 刘小

2、兵 测试部测试规范 2 目录 1、目的.3 2、范围.3 3、定义.3 4、引用标准和参考资料3 5、测试环境.3 6、测试方法与判定准则3 6.1 整流二极管反向耐压测试4 6.2 整流模块绝缘耐压测试5 6.3 IGBT栅-射极间漏电流测试（IGES）5 6.4 IGBT断态集-射极间漏电流测试（ICES）6 6.5 IGBT模块绝缘耐压测试.7 6.6 IGBT驱动波形测试.8 6.7 IGBT开通、关断时间测试.10 6.8 IGBT驱动电压幅值测试.10 6.9 IGBT上下桥驱动死区时间测试.11 6.10 整流二极管电压应力测试12 6.11 整流二极管稳态电流应力测试13 6.

3、12 IGBT瞬态电压应力测试.13 6.13 IGBT瞬态电流应力测试.14 6.14 IGBT均流测试.15 附件1：IGBT模块Ices测试数据记录表.15 附件2：IGBT驱动波形及死区时间测试数据记录表.16 附件3：变频器输出短路测试数据表16 测试部测试规范 3 变频器主电路测试规范 1、目的 检验我司变频器产品的主电路设计是否合理，验证在正常使用环境和恶劣使用环境下，功率器件的电压、电流应力是否满足功率器件的电压、电流应力降额要求。 2、范围 本规范规定了样机的主电路测试方法，适用于英威腾电气股份有限公司开发的所有变频器产品。 3、定义 l 变频器主电路：是指包括功率半导体器件

4、，如IGBT、整流二极管和IGBT的驱动、保护电路 l 变频器额定运行：是指变频器工作在额定输入电压和缺省载频下，驱动适配电机50Hz运行，输出额定电流。 l 适配电机：与变频器同功率或者是大一功率，小一功率的电机，（ 不 包括电机并联） 4、引用标准和参考资料 （1） 西门康功率模块应用手册 （2） 三菱IGBT 模块应用手册 （3） 富士IGBT 模块应用手册 5、测试环境 测试环境可分为常温实验室环境和环境试验箱。 受变频器体积大小不一和无法加载的限制，除小功率变频器（A、B、C、E 体积变频器）外大部分变频器不能在环境试验箱中进行。目前将变频器整机测试环境统一为常温实验室环境。单独模块

5、测试环境分常温实验室环境和环境试验箱。 6、测试方法与判定准则 测试部测试规范 4 6.1 整流二极管反向耐压测试 测试说明： 在变频器使用过程中由于电网波动或负载回灌电压过高会造成整流二极管反偏压过高，此测试是为了验证整流二极管的耐压能力。 测试设备： CS9932B型程控安规综合测试仪（南京长盛仪器有限公司） 测试方法： 1. 整流模块单独测试； 2. 在常温下测试。给二极管加上反偏电压（阳极接负，阴极接正），测试电压为VRRM，（Repetitive Peak Reverse Voltage反向重复峰值电压）记录此时的漏电流值。 3. 在85环境温度下测试。可使用环境实验室的可程式恒温恒

6、湿实验箱来对整流模块进行加热，设定温度为85，设定湿度为0%（不控制湿度）。先将整流桥的各接线端子用导线引出到实验箱外。加温至85并保持4小时以上，不冷却测试。给二极管加上反向偏置电压，测试电压分别为： 4. 220V机种用整流模块，从1/2VRRM开始，以100V为步长逐渐增加至VRRM; 5. 380V机种用整流模块，从2/3VRRM开始，以100V为步长逐渐增加至VRRM，记录各电压点的漏电流大小。 6. 在120环境温度下测试。继85温度下测试后直接升温至120，保持 4小时后，不冷却测试。给二极管加上反偏电压，测试电压分别为： 7. 220V机种用整流模块：从1/2VRRM开始，以1

7、00V为步长逐渐增加至VRRM; 8. 380V机种用整流模块：从2/3VRRM开始，以100V为步长逐渐增加至VRRM，记录各电压点的漏电流大小。 9. 测试时，电压上升时间设定为10秒，电压保持时间为60秒，电压下降时间设定为10秒，漏电流上限设定为10mA，漏电流下限设定为0。在电压保持时间内，如漏电流值基本维持不变，可再向上提高一个步长的电压值进行测试，如漏电流急剧上升，则可停止实验，记录此时的电压值，最大漏电流值，此时电压值即为最大耐受电压。 验收准则： 若满足：常温下，测试电压VRRM ，漏电流IRRM； 85温度下，测试电压VRRM ，漏电流3IRRM； 120温度下，测试电压V

8、RRM ，漏电流5IRRM， 判定为合格，否则不合格。 （如器件资料中给定了85或120时的IRRM值，则依85或120时的IRRM值判定；如器件资料中未给定85或120时的IRRM值，则以上述标准判定） 注意事项： 1. 整流二极管耐压测试时，耐压仪的测试模式选择为直流耐压测试； 2. 按照仪器使用说明书正确接线，红色测试线为正极，接整流二极管的阴极，黑红色测试线为负极，接整流二极管的阳极。 测试部测试规范 5 6.2 整流模块绝缘耐压测试 测试说明： 三相整流模块装配在同一块散热器上，大多数情况下，三相逆变模块也装配在同一块散热器上，而且散热器和机箱外壳是连接在一起的。整流模块绝缘性能不够

9、可能会造成功率单元之间短路或变频器使用者发生触电危险。此测试是为了验证整流模块端子和模块底板之间的绝缘能力。 测试设备： CS9932B型程控安规综合测试仪（南京长盛仪器有限公司） 测试方法： 1. 整流模块单独测试； 2. 在常温下测试。将整流模块的主端子全部短接起来，在主端子的短接线和模块基板之间施加测试电压，测试电压值为器件数据表给定的 VISO（Isolation Breakdown Voltage）或VISOL，记录测试过程的最大漏电流。测试时，电压上升时间设定为10秒，电压持续时间为60秒，电压下降时间设定为10秒，漏电流上限设定为5mA，漏电流下限设定为0。 验收准则： 耐压测试

10、结束器件未击穿损坏，且漏电流2mA，判定为合格，否则不合格。 注意事项： 1. 按照仪器使用说明书正确接线； 2. 在如果功率模块集成了整流、逆变单元，整流模块绝缘测试和逆变模块绝缘测试可以合并进行，但注意另个把 IGBT 的门极端子全部短接好，在主端子和基板之间施加测试电压。 6.3 IGBT栅-射极间漏电流测试（IGES） 测试说明： 由于器件本身特性，电路寄生参数或器件间互相耦合的原因，会使 IGBT 栅-射极间有瞬时大电压，此测试是为了验证IGBT栅-射极耐压能力 测试设备： TH2686电解电容漏电流测试仪（常州同惠电子有限公司） 测试方法： 1. IGBT模块单独测试； 2. 常温

11、下测试。将 IGBT 集-射极短路，在栅-射极间加测试电压，栅极接正，射极接负。测试电压分别为15V、20V、25V，分三次测试逐渐提高电压等级； 3. 测试时，充电时间设定为3S，测试时间为5S，最大允许漏电流数值设定为2IGES。在测试时间内，如漏电流值基本维持不变，方可再向上提高一档电压等级进行测试，如漏电流急剧上升，则可停止实验，记录此时的电压值，最大漏电流值，此时电压值即为最大耐受电压。 测试部测试规范 6 验收准则： 当满足栅-射极间漏电流IGES，且最大耐受电压20V时，判定为合格，否则不合格。 注意事项： 1. 在进行测试前，应先将 IGBT集-射极短路。对于两串联IGBT模块

12、，测试上桥时，须将上桥的CE两端短接，测试下桥时，须将下桥的CE两端短接。对于三相IGBT模块，不管是测试哪一相，也不管是测试上桥还是下桥，都必须将所测试的 IGBT的CE两端短接，上桥的CE和下桥的CE应分别短接； 2. IGBT栅-射极耐压测试时，测试模式选择为直流耐压测试； 3. 按照仪器使用说明书正确接线，红色测试线为正极，接IGBT栅极，黑红色测试线为负极，接IGBT发射极。 6.4 IGBT断态集-射极间漏电流测试（ICES） 测试说明： 变频器在换流过程中，由于di/dt 及寄生参数的影响，会使IGBT的VCE过高。此测试是为了验证IGBT集-射极耐压能力。 测试设备： CS99

13、32B型程控安规综合测试仪（南京长盛仪器有限公司） 测试方法： 1. IGBT模块单独测试； 2. 在常温下测试。首先将IGBT的栅-射极之间用铜导线焊接使其可靠短路，再给IGBT加上正偏电压（集电极接正，发射极接负），测试电压为 VCES（Collector-emitter saturation voltage），记录此时的漏电流，即为Ices（Collector-emitter cut-off current），并填写IGBT模块断态漏电流(Ices)测试数据表； 3. 在85环境温度下测试。可使用环境实验室的可程式恒温恒湿实验箱来对IGBT模块进行加热，设定温度为 85，设定湿度为 0%

14、（不控制湿度）。先将 IGBT 的栅-射极短路，并从IGBT的C极、E极引出测试线到实验箱外。加温至85并保持4小时以上，不冷却测试。给 IGBT 加上正偏电压（集电极接正，发射极接负），测试电压分别为： 220V机种用逆变单元，从1/2VCES开始，以100V为步长逐渐增加至VCES； 380V机种用逆变单元，从2/3VCES开始，以100V为步长逐渐增加至VCES ，测试漏电流大小，并记录。测试时逐步提高电压等级； 4. 在120环境温度下测试。继85温度下测试后再升温至120，保持4小时后，不冷却测试。将IGBT栅-射极短路，给IGBT加上正偏电压（集电极接正，发射极接负），测试电压分别

15、为： 220V机种用逆变单元，从1/2VCES开始，以100V为步长逐渐增加至VCES； 380V机种用逆变单元：从2/3VCES开始，以100V为步长逐渐增加至VCES，测试漏电流大小，并记录。测试时逐步提高电压等级。 5. 冷却至常温后测试。继120环境下测试后，自然冷却至常温（放置12小时以上），再进行测试。将IGBT栅-射极短路，给IGBT加上正偏电压（集电极接正，发射极接负），测试电压为VCES，记录此时的漏电流。 测试部测试规范 7 验收准则： 当满足：常温下测试电压VCES，漏电流ICES ； 85高温下测试电压VCES，漏电流3ICES ； 120高温下测试电压VCES，漏电流

16、5ICES ； 判定为合格，否则不合格。 （如器件资料中给定了85或120时的ICES值，则依85或120时的ICES值判定；如器件资料中未给定85或120时的ICES值，则以上述标准判定） 注意事项： 1. 在进行测试前，必需将IGBT栅-射极之间可靠短路，推荐直接用铜导线通过锡焊连接的方式来进行短接。对于两串联IGBT模块，不管是测试上桥还是下桥，都必须将上下桥的门极分别短接起来（上下桥门极之间不能短路）。对于三相IGBT模块，不管是测试哪一相，也不管是测试上桥还是下桥，都必须将每一相的上下桥的门极都短接起来，三相上桥的门极须独立短接，三相下桥的门极可短接在一起； 2. 为了方便测试，在将

17、 IGBT模块放入实验箱之前可将模块各个测试端子用导线引出到箱体外；如果是用螺钉连接的端子，要特别注意选用适合的螺钉长度，以免过长的螺钉破坏到IGBT内部的晶圆。 3. IGBT集-射极耐压测试时，测试仪器的测试模式选择为直流耐压测试； 4. 按照仪器使用说明书正确接线，红色测试线为正极，接IGBT集电极，黑色测试线为负极，接IGBT发射极。 6.5 IGBT模块绝缘耐压测试 测试说明： 三相逆变模块装配在同一块散热器上，大多数情况下，也和三相整流模块装配在同一块散热器上，而且散热器和机箱外壳是连接在一起的。逆变模块绝缘性能不够可能会造成功率单元之间短路或变频器使用者发生触电危险。此测试是为了

18、验证逆变模块端子和模块底板之间的绝缘能力。 测试设备： CS9932B型安规综合测试仪（南京长盛仪器有限公司） 测试方法： 1. 模块单独测试； 2. 在常温下测试。将 IGBT 模块的主端子和门极端子分别短接起来，在主端子和模块基板之间施加测试电压，测试电压为器件数据表给定的VISO或VISOL，记录测试过程的最大漏电流。测试时，电压上升时间设定为10秒，电压持续时间为60秒，电压下降时间设定为10秒，漏电流上限设定为10mA，漏电流下限设定为0。 验收准则： 耐压测试结束，器件未击穿损坏，且漏电流2mA，判定为合格，否则不合格。 注意事项： 1. 按照仪器使用说明书正确接线； 2. 如果功

19、率模块集成了整流、逆变单元，整流模块绝缘测试和逆变模块绝缘测试可以测试部测试规范 8 合并进行，但注意另外把 IGBT 的门极端子全部短接好，在主端子和基板之间施加测试电压。 6.6 IGBT驱动波形测试 测试说明： 测试变频器在不同的运行状态下，IGBT驱动波形是否正常 测试设备： 数字示波器 测试方法： 1. 在变频器上测试； 2. 测量 IGBT 门极引脚处的电压波形。为了尽量减小波形失真，建议使用隔离电源给示波器供电，并使用如下图所示的两种方法连接示波器探头。（ 图 1 使 用 带 短 地 线 的 探头帽，图2使用同轴转接头自制的小工具。） 图 1 图2 3. 波形观察：观察1个SPW

20、M周期和35个开关周期的波形，看是否有异常。 4. 波形测试：测量单次开通关断门极电压波形，同时也可测量门极电流波形（利用示波器的逻辑运算功能，可测量出门极驱动波形功率）。测试变频器在正常运行时载频为缺省载频，负载分别为电机空载、满载状态下的门极驱动电压波形（包括开通和关断波形），并记录； 5. 变频器载频为缺省载频，测量变频器处于限流、临界过压（过压点设为最大值）、短路状态下的门极驱动电压波形（包括开通和关断波形），并记录； 验收准则： 1. 如图 3、图 4 中的开通波形平滑无震荡，或有少许震荡，但震荡峰值电压不超过20V，判定为合格。 测试部测试规范 9 图3 图4 如图5中，开通波形中

21、有段跌落，且跌至门槛电压以下；图6中开通波形有剧烈震荡，且震荡峰值电压超过20V，均判定为不合格。 图5 图6 如图7，关断波形中有剧烈震荡，且震荡峰值电压低于-20V，判定为不合格 图7 注意事项： 1. 焊接的IGBT应按照如图1所示的方法连接示波器探头，插接的IGBT若不便于如图1所示放置探棒，可用标准探头，但需将地线缠绕在探棒上，尽量使探头主信号线与地线构成的回路面积最小。 2. 为了尽量减小由于示波器各通道之间相互耦合造成测试波形失真的影响，六桥驱动波形单独抓取。 3. 如需同时测量上下桥驱动电压波形，一定要将所使用的两个通道隔离。即一个通道用普通探头测量，另一个通道用有源差分探头测

22、量，并且注意把有源差分探头的电测试部测试规范 10 源隔离或将差分探头的电源适配器的地线端去掉，否则可能会损坏差分探头。 4. 抓取波形时，示波器横轴时间轴设为1S/div, 纵轴幅值轴设为5V/div。每种运行状态下，分以下两种情况记录波形：IGBT 通过电流时的开通关断波形和续流二极管通过电流时的开通关断波形。 6.7 IGBT开通、关断时间测试 测试说明： IGBT开关时间的快慢直接影响模块的开关损耗、IGBT关断时的VCE 及硬件死区时间。 测试设备： 数字示波器 测试方法： 1. 在整机上测试； 2. IGBT 开通、关断时间测试可以在 IGBT 驱动波形测试的过程中进行，记录波形的

23、Rise time与Fall time，即为IGBT开通与关断时间； 3. 测量变频器在正常运行时载频为缺省载频，负载分别为电机空载、满载、限流状态下的 IGBT开通、关断时间，并填写驱动波形及驱动死区时间测试数据表。 验收准则： 如0.3S开通时间4.0S , 0.3S关断时间3.0S ，判定为合格，否则不合格 注意事项： 1. 用示波器测量波形时，要使探棒回路面积尽量小； 2. 如果同时测量上下桥驱动电压波形，必须使两个测量通道之间相隔离。即一个通道用普通探头测量，另一个通道用高压差分探头测量，并且注意把有源差分探头的电源隔离或将差分探头的电源适配器的地线端去掉，否则可能会烧坏差分探头。

24、3. 抓取波形时，示波器横轴时间轴设为1S/div, 纵轴幅值轴设为5V/div。 6.8 IGBT驱动电压幅值测试 测试说明： 测试部测试规范 11 测试变频器在不同的运行状态下，IGBT驱动电压幅值是否正常。 测试设备： 数字示波器 测试方法： 1. 在变频器上测试； 2. IGBT 开通、关断驱动电压幅值测试可以在 IGBT 驱动波形测试的过程中进行，记录波形的Top与Base，即为IGBT开通驱动电压幅值与关断驱动电压幅值； 3. 测量变频器在正常运行时载频为缺省载频，负载分别为电机空载、满载、限流状态下的 IGBT开通、关断驱动电压幅值，并填写驱动波形及驱动死区时间测试数据表。 验收

25、准则： 如13.0V开通驱动电压幅值16.0 V，-12V关断驱动电压幅值0V， 判定为合格，否则不合格 注意事项： 1 用示波器测量波形时，要使探棒回路面积尽量小； 2 如果同时测量上下桥驱动电压幅值，必须使两个测量通道之间相隔离。 3 抓取波形时，示波器横轴时间轴设为1uS/div, 纵轴幅值轴设为5V/div。 6.9 IGBT上下桥驱动死区时间测试 测试说明： IGBT上下桥死区时间的长短直接影响变频器工作的安全可靠性和输出电流谐波。 测试设备： 数字示波器 测试方法： 1. 本测试规范中IGBT上下桥死区时间定义为：从上桥（下桥）IGBT栅-射极驱动电压降至0V到下桥（上桥）IGBT

26、栅-射极驱动电压升至0V的时间，如图8所示： 图8 测试部测试规范 12 1. 在变频器上测试； 2. 用示波器同时测量同相的上下桥驱动电压波形（注意把上下桥之间的测试探头隔离），在抓取的波形上用示波器的游标测量功能测量死区时间； 3. 测试变频器在正常运行时，载频分别为缺省载频和最高载频，负载分别为电机空载、满载、限流状态下IGBT上下桥死区时间，并填写驱动波形及驱动死区时间测试数据表。 验收准则： 220V、380V电压等级变频器的上下桥死区时间2.0 S，判定为合格，否则不合格 660V电压等级变频器的上下桥死区时间3.0 S，判定为合格，否则不合格 1140V电压等级变频器的上下桥死区

27、时间4.0 S，判定为合格，否则不合格 高压变频器上下桥死区时间4.0 S，判定为合格，否则不合格 注意事项： 1. 同时测量上下桥驱动波形的死区时间，必须使两个测量通道之间相隔离。即一个通道用普通探头测量，另一个通道用有源差分探头测量，并且注意把有源差分探头的电源隔离或将差分探头的电源适配器的地线端去掉，否则可能会烧坏差分探头。 2. 用示波器测量波形时，要使探棒回路面积尽量小。 3. 抓取波形时，示波器横轴时间轴设为500nS/div, 纵轴幅值轴设为10V/div。 6.10 整流二极管电压应力测试 测试说明： 测试变频器在正常运行状态下整流二极管电压应力降额使用范围。 测试设备： 数字

28、示波器、高压隔离探头 测试方法： 1. 在变频器上测试； 2. 测试临界过压（过压点设为最大值）情况下整流二极管电压应力。测量整流二极管阴阳极之间的电压波形，并记录其最大值。 验收准则： 如最大值0.8VRRM ，则判定为合格；否则不合格 注意事项： 1. 测量整流二极管阴阳极之间的电压波形时可用隔离高压探棒 测试部测试规范 13 6.11 整流二极管稳态电流应力测试 测试说明： 测试变频器在各种运行状态下整流二极管电流应力降额使用范围。 测试设备： 数字示波器、电流枪（柔性探头） 测试方法： 1. 在变频器上测试； 2. 分别测试变频器处于满载输出状态和限流状态时整流模块的电流应力。对于二管

29、封装的整流模块，测量其输入电流有效值IIN_RSM；对于六管封装的整流模块，可以测量其输入电流有效值IIN_RSM，也测量其直流侧的电流有效值IDC_RSM。 验收准则： 对于二管封装的整流模块，当0.9IIN_RSMIFAV，则判定为合格，否则不合格。 对于六管封装的整流模块，当 DRSMIN II _6 或IDC_RSMID，则判定为合格，否则不合格。 以上验收准则中：IFAV为整流管正向平均电流。 ID为整流模块直流输出电流“Output Current (D.C.)”。 6.12 IGBT瞬态电压应力测试 测试说明： 测试变频器在极端严酷的情况（如输出短路）下，IGBT电压应力降额使用

30、范围。 测试设备： 数字示波器、高压隔离探棒 测试方法： 1. 本测试规范中，IGBT电压应力定义为IGBT关断时的VCE最大值； 2. IGBT 电压应力测试可以在变频器输出相间短路测试中进行。短路测试时使用特制的短路测试工装，小短路测试工装规定导线长度 1 米，导线截面积 162mm，适用30KW 以下变频器的短路测试；大短路测试工装规定导线长度 1 米，导线截面积502mm，适用37KW以上变频器的短路测试。 3. 短路测试中，测量上桥或下桥IGBT的集-射极电压（VCE），并记录其峰值，计算U=VCE峰值-实验中的变频器的母线电压值。测试中注意判别所测量的 Vce 电压是否正确，正确的

31、 IGBT发生短路关断时的电压波形应如图9中的绿色波形，在 IGBT关断时（电流开始下降时）Vce应有明显的冲高过程。 4. 记录短路测试数据并填写变频器输出短路测试数据表。 测试部测试规范 14 图9 验收准则： 当1.15U+U0.9VCES时判定为合格，否则不合格 式中U= 变频器的额定母线电压， U= VCE峰值-实验中的变频器母线电压值， VCES= IGBT数据表给出的参数。 注意事项： 1. 测量VCE时注意选用量程足够高的高压探棒。 6.13 IGBT瞬态电流应力测试 测试说明： 测试变频器在极端严酷的情况（如输出短路）下，IGBT电流应力降额使用范围。 测试设备： 数字示波器

32、DSO6014A（安捷伦公司）、电流枪（HALL）、短路测试工装。 测试方法： 1. 本测试规范中，IGBT电流应力定义为流过单管IGBT的最大电流值； 2. IGBT 电流应力测试可以在变频器输出相间短路测试中进行。短路测试时，测量并记录短路电流的最大值。 验收准则： 如果短路电流上升时间10S；并且短路电流峰值10倍IGBT额定电流，则判定为合格，否则不合格。 短路电流上升时间是指从短路电流开始上升到 IGBT 开始保护关断的时间。如图 10、测试部测试规范 15 图11中绿色波形为变频器相间短路时的电流波形，它们的短路电流上升时间如图所示。 注意事项： 1. 短路测试时，变频器有可能会炸

33、机，人不要离变频器太近。 2. 测量短路电流上升时间时，IGBT保护关断是以短路电流下降为依据的，但应注意区分模块短路自限流功能造成的短路电流下降、IGBT保护关断造成的短路电流下降及IGBT在保护关断之前恰碰到窄脉冲关断造成的短路电流下降。 6.14 IGBT均流测试 测试说明： 大功率变频器为了达到功率要求，一般会将多个IGBT模块并联使用，由于IGBT器件自身特性和布线等方面的原因，可能会使并联的IGBT模块通过的电流呈现不均衡性。 测试设备： 数字示波器、电流枪（柔性探头） 测试方法： 1. 同时测量并联模块开通、关断时门极电压波形，并记录； 2. 同时测量并联模块的输出电流波形，并记

34、录波形及有效值。 验收准则： 如并联模块输出电流有效值之间的差值3%的模块额定电流值，判定为合格，否则不合格。 注意事项： 1. 同时测量并联模块开通、关断门极电压波形时，应使通道之间相互隔离，以避免将各并联模块的门极电路短路。 附件1：IGBT模块Ices测试数据记录表 二单元IGBT模块Ices测试数据表.doc 六单元IGBT模块断态漏电流(Ices)测试数据表 PIM模块ICES及IR测试数据表.doc 测试部测试规范 16 附件2：IGBT驱动波形及死区时间测试数据记录表 驱动波形及驱动死区时间测试数据表. 附件3：变频器输出短路测试数据表 变频器输出短路测试数据表.doc 测试部

35、测试数据表 二单元IGBT模块断态漏电流(Ices)测试数据表 1、 型号： 编号： 型号： 编号： 型号： 编号： Ices 条件 上管 下管 上管 下管 上管 下管 常温 85 120 常温 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 2、 型号： 编号： 型号： 编号： 型号： 编号： Ices 条件 上管 下管 上管 下管 上管 下管 常温 85 120 常温 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 3、 型号： 编号： 型号： 编号： 型号： 编号： Ices

36、条件 上管 下管 上管 下管 上管 下管 常温 85 120 常温 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 测试部 测试数据表 六单元IGBT模块断态漏电流(Ices)测试数据表 1、 模块型号： 模块编号： IGBT断态漏电流 (单位：mA) Ices 条件 U 上桥 V 上桥 W 上桥 U 下桥 V 下桥 W 下桥 常温 85 120 常温 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 2、 模块型号： 模块编号： IGBT断态漏电流 (单位：mA) Ices 条件 U

37、 上桥 V 上桥 W 上桥 U 下桥 V 下桥 W 下桥 常温 85 120 常温 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 3、 模块型号： 模块编号： IGBT断态漏电流 (单位：mA) Ices 条件 U 上桥 V 上桥 W 上桥 U 下桥 V 下桥 W 下桥 常温 85 120 常温 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 测试部 测试数据表 PIM模块ICES及IR测试数据表 模块型号： 模块编号： IcesIR(mA) 管别 常温 85 120 常温 U上管

38、 V上管 W上管 U下管 V下管 W下管 制动IGBT 管制动二极管 R上管 S上管 T上管 R下管 S下管 T下管 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 模块型号： 模块编号： IcesIR(mA) 管别 常温 85 120 常温 U上管 V上管 W上管 U下管 V下管 W下管 制动IGBT 管制动二极管 R上管 S上管 T上管 R下管 S下管 T下管 备注：常温是指样品未经高温条件下测试的测试条件；常温是指经过高温测试后温度恢复到常温再测试的测试条件。 测试部 测试数据表 驱动波形及驱动死区时间测试数据记录表 项目名称： 测

39、试阶段： 机器型号： 模块型号： 驱动板版本： 门极电阻：Gon= Goff= 驱动电压幅值 开通波形 关断波形 Top（V） Base（V） Umax（V） Tr（uS） Umin（V） Tf（uS） 波形编号 U相上桥 U相下桥 V相上桥 V相下桥 W相上桥 W相下桥 死区时间测试： 空载死区(uS) 空载波形 满载死区(uS) 满载波形 限流死区(uS) 限流波形 U相 V相 W相 备注：Tr =Rise time；Tf =Fall time 输出短路测试数据表 1 输出短路测试数据表 项目编号： 样机型号： 测试阶段： 测试日期： 表一：1米短线短路测试数据表 短路电流（A） Vce电

40、压（V） 保护时间(uS) 故障记录 波形编号 先运行 再短路 U对V 先短路 再运行 先运行 再短路 U对W 先短路 再运行 先运行 再短路 V对W 先短路 再运行 输出短路测试数据表 2 先运行 再短路 U对PE 先短路 再运行 先运行 再短路 V对PE 先短路 再运行 先运行 再短路 W对PE 先短路 再运行 输出短路测试数据表 3 表二：50米长线短路测试数据表 短路电流（A） Vce电压（V） 保护时间(uS) 故障记录 波形编号 先运行 再短路 U对V 先短路 再运行 先运行 再短路 U对W 先短路 再运行 先运行 再短路 V对W 先短路 再运行 输出短路测试数据表 4 先运行 再短路 U对PE 先短路 再运行 先运行 再短路 V对PE 先短路 再运行 先运行 再短路 W对PE 先短路 再运行