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单晶硅或多晶硅片切削液配方.docx

上传人:喜赫FMES 文档编号:20161950 上传时间:2023-03-19 格式:DOCX 页数:1 大小:15.71KB
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可以参考这个单晶硅或多晶硅片切削液配方:PEG 400 25%PEG 600 30%PPG 400 20%PPG 800 15%3M FC4430 0.8%TX-10 1%喜赫FMES 1%吐温 80 1%三甘醇 3%卡松 0.5%尿素2.7%本配方的多晶硅切削液用于半导体单晶硅和太阳能单晶硅片和多晶硅片多线切割机切割液,该配方也适用于钻石、水晶等硬质珠宝材料的切割。该配方储存稳定,无有害毒气、无有害异味、储存与使用安全、可靠。该配方对碳化硅有强烈的悬浮性,携载能力强、润滑性优异,低泡沫易冲洗等特点。该配方在硅片的多线切割时能使硅片的表面性质得到有效改善,可以有效降低硅片的表面损伤提高硅片的出片数和成品率。特点悬浮于携带性能出色防止切削液的残液以及切削长期使用导致的粉末沉积性或聚集性能。

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