1、1 2半导体二极管的特性及主要参数 一 二极管的结构与符号 二 二极管的伏安特性 三 二极管的主要参数 四 二极管电路的分析方法 第一章半导体二极管 一 半导体二极管的结构 构成 PN结 引线 管壳 二极管 符号 VD 分类 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平面型 第一章半导体二极管 二 二极管的伏安特性 正向特性 Uth 死区电压 iV 0 Uth 0 5V 0 1V 硅管 锗管 U Uth iV急剧上升 0 U Uth Uth 0 6 0 8 V 硅管0 7V 0 1 0 3 V 锗管0 2V 反向特性 IR UBR 反向击穿 UBR U 0 iV IR 0 1
2、 A 硅 几十 A 锗 U UBR 反向电流急剧增大 反向击穿 第一章半导体二极管 反向击穿类型 电击穿 热击穿 特别注意 温度对二极管的特性有显著影响 当温度升高时 正向特性曲线向左移 反向特性曲线向下移 变化规律是 在室温附近 温度每升高1 正向压降约减小2 2 5mV 温度每升高10 反向电流约增大一倍 PN结未损坏 断电即恢复 PN结烧毁 第一章半导体二极管 温度对二极管特性的影响 T升高时 UV th 以 2 2 5 mV C下降 第一章半导体二极管 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 第一章半导体二极管 三 二极管的主要参数 1 IF 最大整流电流 最大正向平均电流 2 URM 最高反
3、向工作电压 为UBR 2 3 IR 反向饱和电流 越小单向导电性越好 4 fM 最高工作频率 超过时单向导电性变差 第一章半导体二极管 影响工作频率的原因 PN结的电容效应 结论 1 低频时 因结电容很小 对PN结影响很小 高频时 因容抗减小 使结电容分流 导致单向导电性变差 2 结面积小时结电容小 工作频率高 第一章半导体二极管 四 二极管电路的分析方法 1 理想模型 特性 符号及等效模型 2 恒压降模型 Uth uv Uth 0 7V Si 0 2V Ge 3 二极管的折线近似模型 Uth 斜率1 rD rv Uth 第一章半导体二极管 4 小信号模型 如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作 例如静态工作点Q 此时有 如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作 例如静态工作点Q附近工作 则可把伏安特性看成一条直线 其斜率的倒数就是所求的小信号模型的微变电阻 等效电路模型 伏安特性 第一章半导体二极管
