1、复习提问 1、 鼓励学生说出中学里学习了哪些有关电学方面的知识。2、 鼓励学生说出对半导体的认识。导入新课 上节课我们学习了半导体的有关知识，为我们这次课和后面的三极管打下了基础。二极管是电路中的关键器件，种类繁多，应用十分广泛，识别常用半导体二极管，掌握检测质量及选用方法是学习电子技术必须掌握的一项基本技能，下面我们来学习相关知识。讲授新课 1.1 半导体二极管的识别、检测与应用五、半导体二极管的结构、符号及类型1结构符号1）二极管的结构外形1N4007 2AP92CZ 系列 2CZ 系列2）二极管的图形符号和文字符号电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。文字符号有的书中用 V，有的用 D
2、 来表示。2类型1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。 2）按结构分:根据 PN 结面积大小,有点接触型、面接触型、平面型二极管。（1） 点接触型二极管由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接，形成 PN 结。通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。如检波二极管。（2） 面接触型二极管是采用合金法工艺制成的。结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。（3） 平面型二极管是采用扩散法制成的。结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。4）按封装形式分:有塑封
3、及金属封等二极管。5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。六、半导体二极管的伏安特性1、二极管的伏安特性曲线半导体二极管的核心是 PN 结,它的特性就是 PN 结的特性单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性） 。下面对二极管伏安特性曲线加以说明。2、正向特性二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的 A(A)点的电压称为死区电压或门
4、槛电压(也称阈值电压),硅管约为 0.5V,锗管约为 0.1V,如图 OA(OA)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为 0.60.7V,（通常取 0.7V）锗管约为 0.20.3V,（通常取 0.2V）如图 AB(AB)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏 PN 结。3、反向特性二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流 ,见图中RIOC（OC）段。4、反向击穿特性二极管反向电压加到一定数值时
5、,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用 表示,如图中 CD(CD)段。)(BRU七、温度对二极管特性的影响由于二极管的核心是一个 PN 结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。在室温附近，温度每升高 1C，正向压降减小 22.5mV；温度每升高 10C，反向电流约增大一倍。结论：二极管对温度很敏感八、半导体二极管的主要参数1. 最大整流电流 FMI指二极管长期工作，允许通过的最大直流电流，它的大小决定于 PN 结的面积，材料和散热条件，超过此值管子将因过热而损坏。2. 最大反向工作
6、电压 RMU指二极管正常使用允许加的最高反向电压。手册上给出一般为反向击穿电压的一半。3. 反向饱和电流 RI指在室温和规定的反向工作电压下（管子未击穿时）的反向电流。 这个值越小， 则管子的单向导电性就越好。 它随温度的增加而按指数上升。 4. 最高工作频率 Mf指半导体二极管工作于交流电路时，保持良好工作特性所对应的交流电的最高频率。课堂小结 1、半导体二极管的结构、符号及类型。2、半导体二极管具有单向导电性。3、半导体二极管导通的条件是加正向电压，但电压必须高于门槛电压。4、硅二极管的正向压降约为 0.7V；锗二极管正向压降约为 0.3V。5、硅材料半导体二极管的开启电压约为 0.5V；锗材料半导体二极管的开启电压约为 0.1V。布置作业 习题册
