模拟电子技术基础8

1、资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。 该复习资料 ,不一定适用于本校,但有比没有要好。 第一章 半导体二极管 一. 半导体的基础知识 1. 半导体 - 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 ( 如硅 Si 、 锗 Ge)。 2. 特性 - 光敏、 热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体 - 纯净的具有单晶体结构。

2、 第一章 自测题 一、（ 1） （2） （ 3） （ 4） （ 5） （ 6） 二、（ 1） A （ 2） C （ 3） C （ 4）B （ 5） A C 三、 U 1.3V U 0 U 1.3V U 2V U 2.3V U 2V O1 O2 O3 O4 O5 O6 四、 UO1 6VUO2 5V 五、根据PCM200mW可得： UCE 40V 时 I C 5mA，。

3、1,第八章 波形的发生和信号的转换,8.1 正弦波振荡电路8.2 电压比较器8.3 非正弦波发生电路8.4 其他信号转换电路,2,8.1 正弦波振荡电路,正弦波发生电路在无外接输入信号的前提下产生某一频率、一定幅度的正弦波输出，它是各类波形发生器和信号源的核心电路。正弦波发生电路也称为正弦波振荡电路或正弦波振荡器。,8.1.1 概述,产生正弦波的条件正弦波发生电路的组成能否产生正弦波振荡的判断,3,一、正弦波振荡的条件和电路的组成,正弦波振荡无外加信号，输出一定频率一定幅值的信号。,从设计电路的角度:,针对放大电路通频带内某一频率的信号。

4、第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子。

5、第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子。

6、 模拟电子技术基础 自测题及答案 自测题一 一、判断题 1. 因为 P 型半导体的多数载流子就是空穴, 所以它带正电。 ( ) 2. 在 N 型半导 体中如果掺入足够量的三价元素 ,可将其改型为 P 型半导体。 ( ) 1. 半导体 中的少数载流子产生的原因就是 ( ) 。 A. 外电场 B. 内电场 C. 掺杂 D. 热激发 3. 二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ( )。

7、第8章 功率放大电路,8.1 功放电路的一般问题,特点,要求输出功率尽可能大，是大信号工作状态，应采用图解法,由于处于大信号工作状态，易产生非线性失真,要考虑电路的功率转换效率，并使其尽可能的高,需要解决功放管的散热问题,分类,根据功放管在电路中的导通时间，功率放大电路可分为如下四类：,甲类：功放管在信号的整个周期中均导通,乙类：功放管只在信号的半个周期内导通,甲乙类：功放管的导通时间大于信号的半个 周期而小于信号的一个周期,丙类：功放管的导通时间小于信号的半个周期,各类功放导通角的示意图,甲类360导电,甲乙类180360。

8、模拟电子技术第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。6. 杂质半导体的特性 *载流。

9、 模拟电子技术基础实验报告 实 验 报 告 实验名称 课程名称 模拟电子技术基础实验 院 系 部: 专业班级 : 学生姓名 : 学号: 同 组 人: 实验台号 : 指导教师 : 成绩: 实验日期 : 华北电力大学 实验报告的撰写要求 实验报告要能真实的反映实验过程与结果,就是对实验进行总结、 提高的重要环节 ,应当 认真撰写。实验报告的要求就是有理论分析,要。

10、高 等 职 业 学 校 教 材电 子 技 术 基 础(模 拟 部 分 )薛 文 王 丕 兰 编高 等 教 育 出 版 社责 任 编 辑 董 双 洪封 面 设 计 王 雎 责 任 绘 图 朱 静 版 式 设 计 周 顺 银 责 任 校 对 王 效 珍 责 任 印 刷 内 容 提 要本 书 是 在 1992 年 版 的 基 础 上 , 根 据 教 育 部 新 颁 大 纲 , 结 合 高 等 职 业 技 术 教 育 发 展 趋 势 重 新 调 整 知 识 、 能 力 的 内 容 体 系 而 编 写 的 。全 书 共 有 十 一 章 , 内 容 包 括 : 半 导 体 二 极 管 及 其 应 用 , 半 导 体 三 极 管 及 其 放 大 电 路, 场 效 晶 体 管 及 。

11、 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（ 18 分） 1二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2如果变压器二次 ( 即副边 ) 电压的有效值为 10 V，桥式整流后 ( 不滤波 ) 的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V， 二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3差分放大电路， 若两个输入信号 uI1 uI2 ，则输出电压， uO 0 ；若 u I1 = 。

12、模拟电子技术基础课程自学辅导资料二八年四月模拟电子技术基础课程自学进度表教材：模拟电子技术基础 （第二版）教材编者：周良权出版社：高等教育出版社 出版时间：2001周次 学习内容 习题作业 测验作业 学时 自学重点、难点、基本要求1 常用半导体器件：半导体二极管1.1 1.13 10 半导体的三个特性，P 型和N 型掺杂半导体，PN 结的特性，PN 结的正偏、反偏的概念。FET、MOS 管的工作原理2、 3、4、5双极型三极管及其放大电路的计算2.1 2.132.17 2.182.19 2.262.28 40 三极管的三种状态的特点，三种状态的判断方法，放大电路的组成原则，。

13、题 1-7 试判断图中二极管是导通还是截至? 并分别求出 A，O 两端电压 。设二极管是AOU理想器件。题 1-8 在如图所示限幅电路中，已知输入信号为 ，试画出输出电压 的波wtuicos6Ou形。设二极管为理想器件。第二章 双极型三极管及其放大电路一、本章的核心、重点及前后联系（一）本章的核心1、双极型三极管的电流控制作用2、双极型三极管组成的放大电路（二）本章的重点1、双极型三极管的三个状态2、要使三极管具有电流放大作用所必须提供的条件3、双极型三极管的特性曲线4、双极型三极管在三个状态下的特点5、判断双极型三极管工作状态的解题。

14、21 世 纪 高 职 高 专 电 子 与 信 息 类 专 业 系 列 教 材模 拟 电 子 技 术 基 础主 编 魏 汉 勇副 主参编编王 明 洋奚 素 霞王 艳 平王 华 强主 审 刘 继 清华 中 科 技 大 学 出 版 社图 书 在 版 编 目 ( CI P) 数 据模 拟 电 子 技 术 基 础 / 魏 汉 勇 主 编武 汉 : 华 中 科 技 大 学 出 版 社 , 2004 年 2 月ISBN 7- 5609- 3085-9 . 模 . 魏 王 王 . 模 拟 电 路 - 电 子 技 术 - 高 等 学 校 . T N 710模 拟 电 子 技 术 基 础 魏 汉 勇 主 编责 任 编 辑 : 谢 燕 群 责 任 校 对 : 章 红封 面 设 计 : 潘 群 责 任 监 印 : 熊。

15、模拟电子技术基础试题1 （20 分）填空：（1）目前，最常用的两种半导体材料是（ ）和（ ） 。（2）场效应管属于（ ）控制器件，反映其控制能力的参数为（ ） ；双极型三极管属于（ ）控制器件，反映其控制能力的参数为()。（3）集成运放只有（ ）截止频率，当信号频率高于此频率时，增益会显著（） 。（4）电压放大电路共有（ ）种组态，分别为（ ）组态、 （ ）组态和（ ）组态。（5）理想运放只有在（ ）应用条件下，两个输入端才同时符合虚短和虚断的原则。（6）在调试共射放大电路时，输出波形同时出现了截止失真和饱和失真，为减小失。

16、电子技术基础模拟部分第 1 章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）：（1）峰-峰值 10V，频率 10 kHz;（2）有效值 220 V，频率 50 Hz;（3）峰-峰值 100 mV，周期 1 ms；（4）峰-峰值 0.25 V，角频率 1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 ，由于 ，于是得到： )tsin( =(t)mv0（1） ； 105sin2 =(t)4tv（2） ；V i tt（3） ； 02.5sin =(t)tv（4） ； 1.i tt2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益。试分别计算下列条件下的源电压增益 :10voA svsA( 1 ) ， ；siiRL10( 2) ， ；siii( 3) ， 。