模拟电子技术基础_1

1、模拟电子技术第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。6. 杂质半导体的特性 *载流。

2、 模拟电子技术基础实验报告 实 验 报 告 实验名称 课程名称 模拟电子技术基础实验 院 系 部: 专业班级 : 学生姓名 : 学号: 同 组 人: 实验台号 : 指导教师 : 成绩: 实验日期 : 华北电力大学 实验报告的撰写要求 实验报告要能真实的反映实验过程与结果,就是对实验进行总结、 提高的重要环节 ,应当 认真撰写。实验报告的要求就是有理论分析,要。

3、高 等 职 业 学 校 教 材电 子 技 术 基 础(模 拟 部 分 )薛 文 王 丕 兰 编高 等 教 育 出 版 社责 任 编 辑 董 双 洪封 面 设 计 王 雎 责 任 绘 图 朱 静 版 式 设 计 周 顺 银 责 任 校 对 王 效 珍 责 任 印 刷 内 容 提 要本 书 是 在 1992 年 版 的 基 础 上 , 根 据 教 育 部 新 颁 大 纲 , 结 合 高 等 职 业 技 术 教 育 发 展 趋 势 重 新 调 整 知 识 、 能 力 的 内 容 体 系 而 编 写 的 。全 书 共 有 十 一 章 , 内 容 包 括 : 半 导 体 二 极 管 及 其 应 用 , 半 导 体 三 极 管 及 其 放 大 电 路, 场 效 晶 体 管 及 。

4、 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（ 18 分） 1二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2如果变压器二次 ( 即副边 ) 电压的有效值为 10 V，桥式整流后 ( 不滤波 ) 的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V， 二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3差分放大电路， 若两个输入信号 uI1 uI2 ，则输出电压， uO 0 ；若 u I1 = 。

5、第一章 半导体二极管和三极管,1.1 半导体基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 晶体三极管 1.4 场效应管,1 半导体基础知识,一、本征半导体,二、杂质半导体,三、PN结的形成及其单向导电性,四、PN结的电容效应,导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。,一、本征半导体,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。,本征半导体是纯净的单晶体结构的半导体。,1、什么是半导体？。

6、第一章 半导体器件基础,1.1 半导体的基本知识,1.2 半导体二极管,1.3 半导体三极管,1.4 BJT模型,1.5 场效应管,1.1 半导体的基本知识,在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。,硅原子,锗原子,硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。,本征半导体的共价键结构,束缚电子,在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。,一. 本征半导体,本征半导体化学成分纯净的半导体晶体。 制造。

7、 专业姓名学号成绩 1-1、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D0.7V 。 1-2 、在 单 相 桥 式 整 流 电 路 中 ，已 知 输 出 电 压 平 均 值 U O （ AV ） 15V ，负 载 电 流平 均 值 I L （ AV ） 100mA 。 （ 1） 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 ？ （ 2 ） 。

8、题 1-7 试判断图中二极管是导通还是截至? 并分别求出 A，O 两端电压 。设二极管是AOU理想器件。题 1-8 在如图所示限幅电路中，已知输入信号为 ，试画出输出电压 的波wtuicos6Ou形。设二极管为理想器件。第二章 双极型三极管及其放大电路一、本章的核心、重点及前后联系（一）本章的核心1、双极型三极管的电流控制作用2、双极型三极管组成的放大电路（二）本章的重点1、双极型三极管的三个状态2、要使三极管具有电流放大作用所必须提供的条件3、双极型三极管的特性曲线4、双极型三极管在三个状态下的特点5、判断双极型三极管工作状态的解题。

9、21 世 纪 高 职 高 专 电 子 与 信 息 类 专 业 系 列 教 材模 拟 电 子 技 术 基 础主 编 魏 汉 勇副 主参编编王 明 洋奚 素 霞王 艳 平王 华 强主 审 刘 继 清华 中 科 技 大 学 出 版 社图 书 在 版 编 目 ( CI P) 数 据模 拟 电 子 技 术 基 础 / 魏 汉 勇 主 编武 汉 : 华 中 科 技 大 学 出 版 社 , 2004 年 2 月ISBN 7- 5609- 3085-9 . 模 . 魏 王 王 . 模 拟 电 路 - 电 子 技 术 - 高 等 学 校 . T N 710模 拟 电 子 技 术 基 础 魏 汉 勇 主 编责 任 编 辑 : 谢 燕 群 责 任 校 对 : 章 红封 面 设 计 : 潘 群 责 任 监 印 : 熊。

10、第 1 页 共 6 页襄樊学院理工学院期末考试试卷模拟电子技术基础 A 卷考试范围 第一至第十章 命题人 王正强 院系 物电学院考试形式 闭卷 课程类别 必修 学 期 20101 专业 电子大题号一 二 三 四 五 六 七 八 九 十班级满 分 25 15 15 45学号得 分姓名阅卷人总分一、 选择题（从下列 3-4 个备选答案中选出一个或多个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中，答案选错或未选全者，该题不得分。每小题 2.5 分，共 25 分。 ）1、N 型半导体中的多数载流子是（ ）A自由电子 B空穴 C正离子 2、要使放大电路的输出电压稳定，输入电阻增大，应引。

11、1 绪论,模拟电子技术基础是一门介绍电子器件、电子电路和电子技术应用的专业基础课程其特点是将电路理论扩展到包含有源器件（晶体管、场效应管、集成运放等）的电子电路中概念性、工程性、实践性,总论,1 绪论,1.1 电子系统的基本知识 1.2 电子技术的知识体系结构 1.3 电子技术的课程体系 1.4 本课程基本内容与学习建议,1.1 电子系统的基本知识,1.1.1 电子系统的组成框图 1.1.2 电子系统描述 1.1.3 基本单元电路功能描述,1.1 电子系统的基本知识,1.1.1 电子系统的组成框图,1.1.2 电子系统描述,1.1 电子系统的基本知识,由若干相互联结，相互。

12、模拟电子技术基础试题1 （20 分）填空：（1）目前，最常用的两种半导体材料是（ ）和（ ） 。（2）场效应管属于（ ）控制器件，反映其控制能力的参数为（ ） ；双极型三极管属于（ ）控制器件，反映其控制能力的参数为()。（3）集成运放只有（ ）截止频率，当信号频率高于此频率时，增益会显著（） 。（4）电压放大电路共有（ ）种组态，分别为（ ）组态、 （ ）组态和（ ）组态。（5）理想运放只有在（ ）应用条件下，两个输入端才同时符合虚短和虚断的原则。（6）在调试共射放大电路时，输出波形同时出现了截止失真和饱和失真，为减小失。

13、电子技术基础模拟部分第 1 章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）：（1）峰-峰值 10V，频率 10 kHz;（2）有效值 220 V，频率 50 Hz;（3）峰-峰值 100 mV，周期 1 ms；（4）峰-峰值 0.25 V，角频率 1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 ，由于 ，于是得到： )tsin( =(t)mv0（1） ； 105sin2 =(t)4tv（2） ；V i tt（3） ； 02.5sin =(t)tv（4） ； 1.i tt2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益。试分别计算下列条件下的源电压增益 :10voA svsA( 1 ) ， ；siiRL10( 2) ， ；siii( 3) ， 。

14、模拟电子技术基础,安徽理工大学电气工程系,主讲 ：黄友锐,第二十讲,19.1 模拟乘法器的基本原理 19.2 模拟乘法器的应用,19 模拟乘法器及其应用,（简介）,乘法器是又一种广泛使用的模拟集成电路，它可以实现乘、除、开方、乘方、调幅等功能，广泛应用于模拟运算、通信、测控系统、电气测量和医疗仪器等许多领域。,19.1 模拟乘法器的基本原理,19.1.1 模拟乘法器的基本原理 19.1.2 变跨导。

15、 第一章 自测题 一、（ 1） （2） （ 3） （ 4） （ 5） （ 6） 二、（ 1） A （ 2） C （ 3） C （ 4）B （ 5） A C 三、 U 1.3V U 0 U 1.3V U 2V U 2.3V U 2V O1 O2 O3 O4 O5 O6 四、 UO1 6VUO2 5V 五、根据PCM200mW可得： UCE 40V 时 I C 5mA，。

16、模拟电子技术基础课程自学辅导资料二八年四月模拟电子技术基础课程自学进度表教材：模拟电子技术基础 （第二版）教材编者：周良权出版社：高等教育出版社 出版时间：2001周次 学习内容 习题作业 测验作业 学时 自学重点、难点、基本要求1 常用半导体器件：半导体二极管1.1 1.13 10 半导体的三个特性，P 型和N 型掺杂半导体，PN 结的特性，PN 结的正偏、反偏的概念。FET、MOS 管的工作原理2、 3、4、5双极型三极管及其放大电路的计算2.1 2.132.17 2.182.19 2.262.28 40 三极管的三种状态的特点，三种状态的判断方法，放大电路的组成原则，。