金属和半导体的接触

1、导体绝缘体和半导体的能带论 导体绝缘体和半导体的能带论 .1. 能带的填充与导电性. Ek E k 1 22 2 k Ek m 2 E 是 k 的偶函数，vk 是 k 的奇函数。在电场下， dk eE 对满带，k 与k 的电子数相等，I 0。

2、第五章 半导体的表面界面及接触现象,半导体表面与MIS结构 1表面电场效应 2理想与非理想MIS结构的CV特性 半导体 半导体接触金 属 半导体接触1阻挡层与反阻挡层的形成2欧姆接触的特性,一理想表面和实际表面理想表面：表面处的原子和电子状。

3、1 半导体中的电子状态半导体中的电子状态3 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4 半导体的导电性半导体的导电性5 非平衡载流子非平衡载流子6 p n结结半导体物 第理 四学 版2 半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级阁。

4、金属半导体和绝缘体的能带结构区别本论文从能带的形成过程和电流的产生机理两方面来说明金属半导体和绝缘体的能带结构区别。1.能带Energy Band的形成过程当孤立的原子结合在一起形成固体时，相邻的原子之间会产生各种交互作用，原子之间的排斥力。

5、金属绝缘体和半导体的热导率比较微电子物理 20110106 22:17:37 阅读 190 评论 4 字号：大中小 订阅Xie Mengxian. 电子科大，成都市金属的热导率是否一定很大绝缘体的热导率是否一定很小为什么重掺杂半导体的热导率。

6、本次课内容,91肖特基势垒二极管 92金属半导体的欧姆接触 93异质结 94小结,概念：同质结异质结金半结欧姆接触,同质结：同材料PN结 异质结：不同材料PN结 金半结：金属与半导体接触肖特基势垒二极管 欧姆接触：没有整流效应的接触功函数：。

7、第三章PN结 热平衡状态下的p n结耗尽区耗尽层势垒电容电流 电压特性电荷储存与暂态响应结击穿异质结 p n结 junction 由p型半导体和n型半导体接触形成的结 p n结最重要的特性是整流性 即只容许电流流经单一方向 右图为一典型硅p。

8、半导体的欧姆接触 20120330 15:06:47转载标签： 杂谈 分类： 补充大脑1欧姆接触欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触。

9、1第一部分 半导体器件第一章 pn结二极管第二章 异质结二极管量子阱超晶格第三章 金属 半导体肖特基二极管包括欧姆接触和肖特基接触郑 新 和第三章 金属 半导体肖特基二极管包括欧姆接触和肖特基接触3.1 金属 半导体二极管历史3.2肖特基势。

10、金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触及其能级图 金属和半导体的功函数,金属半导体接触及其能级图 接触电势差,金属半导体接触及其能级图 接触电势差,金属半导体接触及其能级图 接触电势差,金属半导体接触及其能级图 接触电势差,金属半导体接触。

11、第八章 金属和半导体的接触,.1 金属半导体接触及能级图,1. 金属和半导体的功函数,金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。,金属功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 金属的 EF 能量之差，即,上式表示一个起始能量等于费。

12、第八章 金属和半导体的接触,.1 金属半导体接触及能级图,1. 金属和半导体的功函数,金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。,金属功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 金属的 EF 能量之差，即,上式表示一个起始能量等于费。

13、第九章 金属半导体和半导体异质结,第九章 金属半导体和半导体异质结,9.1 肖特基势垒二极管 9.2 金属半导体的欧姆接触 9.3 异质结,9.1 肖特基势垒二极管,肖特基势垒二极管示意图,9.1.1 性质上的特征,金属,N型半导体,金属和。

14、1,金属化与平坦化,2,概 述,金属化将晶片上制成的各种元器件用互连金属线连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。,3,互连金属,4,5,在集。

15、第 七 章,金 属 和 半 导 体 的 接 触 MetalSemiconductor Contact,1金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触，阻挡层与反阻挡层的形成； 2肖特基接触的电流电压特性扩散理论和热电子发射理论，即肖特基势垒的定量。

16、第七章 金属和半导体的接触,主要内容,7.1 金属和半导体接触及其能级图 7.2 金属和半导体接触整流理论7.3少数载流子的注入和欧姆接触,掌握阻挡层与反阻挡层的形成，肖特基势垒的定量特性，欧姆接触的特性。,一功函数,1.金属的功函数Wm,。

17、1金属半导体接触1.金属与半导体接触概论以集成电路IC技术为代表的半导体技术在近十几年来已经取得了迅速发展，带来的是一次又一次的信息科技进步，没有哪一种技术能像它一样，带来社会性的深刻变革。半导体技术的实现依赖于半导体的生产与应用，而在半导。

18、第七章 金属和半导体的接触,本章内容,金属和半导体接触4学时 金属半导体接触及其能级图；少数载流子的注入和欧姆接触。 重点：金属和半导体之间接触的能带图，少数载流子的注入过程和形成欧姆接触的必要条件。,7.1 金属半导体接触及其能级图,金属。

19、第七章 金属和半导体的接触,林 硕Email: linshuopv163.com,7.1 金属半导体接触 及其能带图,本章内容提要,金半接触及其能级图 整流特性 少子注入和欧姆接触,金属半导体接触,整流接触：微波技术和高速集成电路,欧姆接触。