晶体缺陷简述

2.2 晶体的缺陷,在实际晶体中,由于原子(或离子、分子)的热运动,以及晶体的形成条件、冷热加工过程和其它辐射、杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整,常存在各 种偏离理想结构的情况,即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结构敏感的性能,如屈服强度、断裂强度、塑性、电阻率

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1、2.2 晶体的缺陷,在实际晶体中,由于原子或离子分子的热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其它辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列不可能那样规则完整,常存在各 种偏离理想结构的情况,即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结。

2、第三章 晶体缺陷,一点缺陷热缺陷固溶体非化学计量化合物 二线缺陷 三面缺陷,绕诗韩奠瑶使惜擒潘茹肛铬潜妹闸贿沙矮谎馈佰舷沼烽霜裴珠龋疯末设翌第三章 晶体缺陷第三章 晶体缺陷,缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。

3、Ch3 晶体缺陷,3.1 点缺陷 3.2 位错 3.3 面缺陷,在实际晶体中,由于原子或离子分子的热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其他辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列不可能那样规则完整, 常存在各种偏离理想结构的情况,即晶。

4、材 料 科 学 基 础,主讲教师:王亚男,第2章 晶体缺陷,1.1 点缺陷1.2 线缺陷1.3 面缺陷小结思考题,缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各。

5、第五章 晶体缺陷,晶体中的缺陷原子排列偏离完整性的区域,点缺陷在三个方向上尺寸都很小 线缺陷在二个方向上尺寸很小 面缺陷在一个方向上尺寸很小,5.1 点缺陷, 包括空位间隙原子杂质或溶质原子,一点缺陷的种类及产生,局部点阵畸变,原子热振动,。

6、2.2 晶体的缺陷,在实际晶体中,由于原子或离子分子的热运动,以及晶体的形成条件冷热加工过程和其它辐射杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列不可能那样规则完整,常存在各 种偏离理想结构的情况,即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结。

7、晶体中的界面,位错的基本概念,位错的能量与交互作用,点缺陷,概述,第3章 晶体缺陷,引言:在介绍晶体结构时,为了说明晶体的周期性和方向性,把晶体处理为完全理想状态,实际上晶体中存在着偏离理想的结构,晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发。

8、第二章 晶体缺陷,材料的实际晶体结构 点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性特征 晶体中的界面,第一节 材料的实际晶体结构,一多晶体结构,单晶体:,一块晶体材料,其内部的晶体位向完全一致时,即整个材料是一个晶体,这块晶体就称之为单晶体,实用材料。

9、2.柏氏矢量的特性: 1b的物理意义:其方向表示位错的性质和取向,即位错运动导致晶体滑移的方向模b表示畸变的程度:位错强度,2b的守恒性:对一个确定的位错正向,按照右手螺旋法则获取的b具有唯一性守恒性,与柏氏回路的起点和具体路径无关,,3一。

10、晶体缺陷,缺陷的含义: 通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。原因:原子或离子分子的热运动,晶体形成条件冷热加工过程和辐射杂质等因素,意义: 1。

11、2.2 点缺陷, 点缺陷的符号表征:KrogerVink符号 缺陷反应方程式的写法,一点缺陷的符号表征:KrogerVink符号,4. 自由电子electron与电子空穴 hole分别用e,和h 来表示。其中右上标中的一撇,代表一个单位负电。

12、第二章晶体结构与缺陷,2.1 晶体的结构2.2 晶体的缺陷点缺陷面缺陷,2.1晶体的结构 一AX型结构, 二AX2型结构, 三A2X3型结构, 四 ABO3型结构, 五 AB2O4型尖晶石,spinelle结构, 六无机化合物结构与鲍林规则。

13、2.6 非化学计量化合物,实际的化合物中,有一些化合物不符合定比定律,负离子与正离子的比例并不是一个简单的固定的比例关系,这些化合物称为非化学计量化合物。 非化学计量化合物的特点:1非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质压力有关;2可以看。

14、2.5 固溶体,将外来组元引入晶体结构,占据主晶相质点位置一部分或间隙位置一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体即溶质溶解在溶剂中形成固溶体,也称为固体溶液。 一固溶体的分类 二置换型固溶体 三间隙型固溶体 四形成固溶体后对晶体性质的影。

15、第六章 空位与位错,1点缺陷 2线缺陷2.1 柏氏矢量2.2 位错的运动2.3 位错的应力场2.4 位错的应变能2.5 位错的受力2.6 位错与晶体缺陷的相互作用2.7 位错的萌生与增值2.8 实际晶体中的位错组态2.9 位错的观测,2,晶。

16、第四章 晶体缺陷,南昌大学材料学院 彭文屹 wenyi.pengncu.edu.cn,晶体缺陷Crystal Defect缺陷之美,在晶体内部原子排列并不是完全规则的,在局部一定尺寸范围内原子排列不规则的现象称为晶体缺陷,晶体缺陷在材料组织。

17、一 固体能带理论,固体能带理论是在分子轨道理论的基础上发展起来的。该理论把金属晶体中所有的原子看成一个大分子。各原子的原子轨道相互作用,形成一系列分子轨道,其数目与原子轨道数目相同。,一个气态Li2的分子轨道是由2个Li原子轨道1s22s1。

18、第16章 晶体缺陷,所谓晶体缺陷是指实际晶体与理想晶体之间的点阵结构的差异。晶体缺陷按其在空间的几何图像,可分为:,在空间一个方向上尺寸很小,另外两个方向上尺寸较大,如晶面界面表面等。,在空间三维各方向上尺寸都很小,亦称零维缺陷,如空位间隙。

19、第四章 单组元相图及纯晶体的凝固,第一节 单元系相图第二节 纯晶体的凝固第三节 气固相变与薄膜生长第四节 高分子的结晶特征,第一节 单元系相图,一相图概述二相平衡条件与相律三单元系相图,材料的性能,组织结构,相,原子结构与原子间键合,固体晶。

20、晶体缺陷简述,概 要,引 言 晶体结构缺陷的类型 单晶硅中的缺陷 总 结,一引言,固体在热力学上最稳定的状态是处于 0K 温度时的完整晶体状态,此时,其内部能量最低。晶体中的原子按理想的晶格点阵排列。实际的真实晶体中,在高于 0K 的任何温。

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