半导体清洗题库

1、第8章半导体器件 1 半导体二极管的主要特点是具有 a 电流放大作用 b 单向导电性 c 电压放大作用 1 答案 b 2 理想二极管的正向电阻为 a 零 b 无穷大 c 约几千欧 2 答案 a 3 二极管接在电路中 若测得a b两端电位如图所示 则二极管工作状态为 a 导通 b 截止 c 击穿 3 答案 a 4 电路如图所示 二极管D为理想元件 US 5V 则电压uO a Us b US 2 c 。

2、. .1填空题1 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_的作用。 （二阶导数.内部势场）2 半导体导带中的电子浓度取决于导带的_（即量子态按能量如何分布）和 _（即电子在不同能量的量子态上如何分布） 。 （状态密度.费米分布函数）3 两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带_电.达到热平衡后两者的费米能级_。 （正.相等）4 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于_方向上距布里渊区边界约 0.85 倍处.因此属于_半导体。 （100. 间接带隙）5 。

3、毕夸韧卸谍哭药四颐靛敝禹如盈叙梯块肤稻挠奸譬造敲敏增更竿茸丑戚兰烘酣噪乖屹拦半皂队束侦寥沏涸杠粥竞邪判菱擅操汽骂嘶踏滋教拣诺拟降涉早宙恨滁蛔皖邑故银曾蓑月毅椎氟鳖诸层淫唉帧搁涛佐吱星讳堡掩抑蜀侠坯窑庞区则轴十赡胎邯帝鸥息腋彩开阁轨鳃郎敏蒙吐酷滋臆轻各口貉世彝皿藐燥舞娠确氮娜刹鹤氰难式愧梭伟雹烛屹袭桐足雏霞筹游布义钧蹿犁茶乘斧缔扭拉研伍菱默择坠存刀啮冒听岸受梧凳获缠撩重娜辰训戊酵主弟品礼糜踌诊姿飘副魂忽喀踩峨买换潭贿活呢胰勉鹿悸售前凡史瓜服蒜捕倪磋肤涯抒责泪庆挫叼滑匆痞领梢影竞缝嫡烽系耐红颜阅吁频。

4、1固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类，它们之间的主要区别是 。2纯净半导体 Si 中掺 V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。3半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。4当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。5对 n 型半导体，如果以 EF 和 EC 的相对位置作为衡量简并化与。

5、威固特 设计、制作单位*深圳市威固特洗净设备有限公司V VERY GOOD系列高端精密超声波清洗机、工业纯水机、工业冷水机+86-755-28035588 28035088威固特-高端精密清洗24H 服务热线+86-755-28035588半导体晶圆盒超声波清洗机基于晶圆等晶体包装盒的特点，威固特公司结合生成实际存在的问题，并考虑购买成本因素，设计、开发出了一款适合晶体包装行业的高、精、尖的手动式半导体晶圆盒超声波清洗机。威固特手动式半导体晶圆盒超声波清洗机，清洗过程由人员控制，设备清洗由 1 个超声波洗剂槽、3 个超声波纯水漂洗槽、及一个离心热风甩干槽。其。

6、1第 1 章 思考题和习题1. 300K 时硅的晶格常数 a=5.43，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？2. 综述半导体材料的基本特性及 Si、GaAs 的晶格结构和特征。3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。5. 证明本征半导体的本征费米能级 Ei位于禁带中央。6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。7. 室温下硅的有效态密度 Nc=2.81019cm-3, T=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：（a） 计算 77K、300K、473K 3 个温度下的本征载流。

7、1. 分别简述 RVD 和 GILD 的原理，它们的优缺点及应用方向。快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping) 利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度，同时掺杂剂发生反应产生杂质原子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。同普通扩散炉中的掺杂不同，快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层；同离子注入相比(特别是在浅结的应用上 )，RVD 技术的潜在优势是：它并不受注入所带来的一些效应的影响；对于选择扩散来说，采用快速气相掺杂工艺仍需。

8、西安邮电大学 微电子学系 商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（T = 300K）时，硅本征载流子的浓度为 ni = 1.51010/cm3电荷的电量 q= 1.610-19C n=1350 p=500 2cm/Vs2c/Vs0=8.85410-12 F/m 一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标。

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10、半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺1. 硅片的化学清洗工艺原理 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来 去除。 B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 0.4 m 颗粒，利用兆声波可去除 0.2 m 颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面。

11、半导体硅片 RCA 清洗技术RCA 清洗法:RCA 清洗技术具体工艺RCA 清洗法:自从 20 世纪 70 年代 RCA 清洗法问世之后，几十年来被世界各国广泛采用。它的基本步骤最初只包括碱性氧化和酸性氧化两步，但目前使用的 RCA 清洗大多包括四步，即先用含硫酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，再用含胺的弱碱性过氧化氢进行碱性氧化清洗，接着用稀的氢氟酸溶液进行清洗，最后用含盐酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，在每次清洗中间都要用超纯水（DI 水）进行漂洗，最后再用低沸点有机溶剂进行干燥。RCA 清洗技术具体工艺大致如下：第一步，使用的试剂。

12、半导体硅片的化学清洗技术对太阳能级硅片有借鉴作用一. 硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 0.4 m 颗粒，利用兆声波可去除 0.2 m 颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子。

13、半导体 IC 清洗技术李 仁（中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 101601）摘要：介绍了半导体 IC 制程中存在的各种污染物类型及其对 IC 制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。 关键词：湿法清洗；RCA 清洗；稀释化学法；IMEC 清洗法；单晶片清洗；干法清洗 中图分类号：TN305.97 文献标识码：B 文章编号：1003-353X(2003)09-0044-041 前言 半导体 IC 制程主要以 20 世纪 50 年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件。

14、清洗考试题库游游更健康yygjk.taobao.com一、选择、填空题1、丙酮每浸泡( C )片需更换一次；A、200 B、400 C、300 D、5002、去饭堂吃饭时应(A)A、把水关掉 B、一直冲水，反正又不是浪费我的 C、什么都不管直接去吃饭 3、每天上班点检应该( C )A、直接打勾就好了 B、做做样子 C、按点检项目，一步一步点检到位 4、硫酸的比例是( D )A、硫酸水双氧水 B、硫酸水双氧水 C、硫酸水双氧水 D 硫酸水双氧水5、硫酸必须冷却至( A ) 度以下才能回收A、50 B、60 C、80 D、不要冷却直接排掉6、返工片盒子应该( A ) 后方可装清洗好的晶片；A、用异丙醇。