半导体材料特性自学为主

1、 國立彰化師範大學物理研究所碩士論文指導教授：郭艷光教授光通訊用磷化鋁鎵銦材料之物理特性分析與面射型半導體雷射模擬研究Investigation of the AlGaInP Properties and Numerical Study on Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasersfor Optical Fiber Communication研究生：張志康撰中華民國九十三年六月i國立彰化師範大學物理研究所碩士論文研究生：張志康光通訊用磷化鋁鎵銦材料之物理特性分析與面射型半導體雷射模擬研究Investigation of the AlGaInP Properties and Numerical Study on Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasersf。

2、小分子掺杂的高分子半导体薄膜材料中的异质结结构荧光发射特性研究,报告人：刘 宁 导 师：张新平教授,1,2010年12月9日,报 告 内 容,1. 研究背景,2. 研究内容及方法,3. 研究结果及分析,4. 总 结,研究背景,第一类和第二类异质结结构的区别,第一类异质结,第二类异质结,研究背景,F8BT,EPPTC,Poly(9,9-dioctylfluorene-cobenzothiadiazole,N，N，-bis(1-ethylpropy)-3,4,9,10-perylenebis(dicarboximide),研究内容及方法,（1）以三氯甲烷为溶剂分别将两种半导体薄膜材料（ F8BT和EPPTC）配置成浓度为15mg/ml的溶液 （2）将两种混合溶液以1：1的。

3、兰州交通大学毕业设计论文1.绪论20世纪90年代以来，由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术的突破，从而开辟了GaN通向实际应用的光辉大道，引发了全世界GaN研究的热潮，并已取得了辉煌的成绩。GaN超高亮度蓝绿光LED已实现商品。

4、 两种掺杂半导体材料制备及光催化特性概述第一章 绪论1.1 引言随着全球工业化进程的不断发展，能源问题和环境问题越来越成为当今社会人们关注的热点，它严重制约着人类的继续生存和社会的持续发展，是 21 世纪人类面临和亟待解决的重大问题。传统的能源主要包括石油、煤炭、天然气等，这些能源利用起来存在一些问题。一方面，这些能源是不可再生的，在可预见的不久将被消耗殆尽，无法满足人类可持续发展的要求；另一方面，这些能源利用起来，会产生一些负面影响，例如，空气污染，温室效应，环境污染等。这就使得寻找一种可再生的、储量丰。

5、 2001 by Prentice HallSemiconductor Manufacturing Technologyby Michael Quirk and Julian SerdaSemiconductor Manufacturing TechnologyMichael Quirk contains protons and neutrons)Orbital shellProton (positive charge)Valence shell (outer shell of atom)C 6+N N+N N+N+N-Figure 2.1 2001 by Prentice HallSemiconductor Manufacturing Technologyby Michael Quirk and Julian SerdaElectron Shells in AtomsFigure 2.2K = 2L = 8M = 18N = 32O = 32P = 10Q = 2 2001 by Prentice HallSemiconductor 。

6、微电子材料与制程,周 仕 波 Email：zhoushibo615sina.com TEL：13996354104 QQ：403676509,半导体材料的基本特性,半导体的概念从导电特性和电阻率来分：超导体: 大于106(cm)-1导体: 106104(cm)-1，容易导电的物体。如：铁、铜等绝缘体: 小于10-10cm)-1，几乎不导电的物体。如：橡胶等半导体: 10410-10(cm)-1 ，导电性能介于导体和绝缘体之 间的物体，在一定条件下可导电。,原子结构 由三种不同的粒子构成：中性中子和带正电的质子组成原子核，以及围绕原子核旋转的带负电核的电子，质子数与电子数相等呈现中性。,电子能级 原子级的能量单。

7、hm44sina.com 三、半导体的光电性质 光的基本性质 光与原子的相互作用 半导体的光电性质hm44sina.com 光的基本性质 光色 波长(nm) 频率(Hz) 中心波长 (nm) 红 760622 660 橙 622597 610 黄 597577 570 绿 577492 540 青 492470 480 兰 470455 460 紫 455400 430 14 14 10 8 . 4 10 9 . 3 14 14 10 0 . 5 10 8 . 4 14 14 10 4 . 5 10 0 . 5 14 14 10 1 . 6 10 4 . 5 14 14 10 4 . 6 10 1 . 6 14 14 10 6 . 6 10 4 . 6 14 14 10 5 . 7 10 6 . 6 hm44sina.comhm44sina.com 无线电波 波长比可见光长得多，不能引起人的视觉，可以引起电子的振。

8、第一章 半导体材料基础,1.1 半导体材料的基本特性 1.2 半导体材料的制备技术 1.3 元素半导体材料 1.4 化合物半导体材料,一、什么是半导体？,从导电性（电阻）：固体材料可分成：超导体、导体、半导体、绝缘体。电阻率介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数半导体。,电阻率： 导体： 10-4cm 如：Cu=10-6cm半导体：10-3cm108cm 如：Ge=0.2cm绝缘体：108cm,1.1 半导体的基本特性,电阻温度系数图,二、半导体材料的分类,1. 无机半导体晶体材料(组分),无机半导体晶体材料包含元素、化合物及固溶体半导体。,(1) 元素半导体晶体,Ge,Se,S。

9、半导体材料的基本特性,半导体的概念从导电特性和电阻率来分：超导体: 大于106(cm)-1导体: 106104(cm)-1，容易导电的物体。如：铁、铜等绝缘体: 小于10-10cm)-1，几乎不导电的物体。如：橡胶等半导体: 10410-10(cm)-1 ，导电性能介于导体和绝缘体之 间的物体，在一定条件下可导电。,原子结构 由三种不同的粒子构成：中性中子和带正电的质子组成原子核，以及围绕原子核旋转的带负电核的电子，质子数与电子数相等呈现中性。,电子能级 原子级的能量单位是电子伏特，它代表一个电子从低电势处移动到高出1V的的电势处所获得的动能。价电子层 原。

10、1.1 半导体材料及其特性,1.1.1 本征半导体,1.1.2 杂质半导体,1.1.3 漂移和扩散电流,*1.1.4 过剩载流子,由导电能力的不同，物质可分为导体(Conductors)、绝缘体(Insulators)和半导体(Semiconductors) 。,1.1.1 本征半导体,Intrinsic Semiconductor,砷化镓GaAs,硅Si和锗Ge,半导体 导电特性,温敏,掺杂,光敏,1.1.1 本征半导体,Intrinsic Semiconductor,本征半导体是一种完全纯净、结构完整的半导体。,根据导电能力(电阻率)的不同，物质可分为导体(Conductors)、绝缘体(Insulators)和半导体(Semi-conductors) 。,1.1.1 本征半导体,Intrinsic Se。