1、中国半导体产业发展历史大事记之一1947 年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。 1956 年，我国提出 “向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学
2、的高鼎三。1957 年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长） 、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长） 。 1957 年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管） 。 1958 年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从 SSI（小规模集成电路）起步，经过 MSI（中规模集成电路） ，发展到 LSI（大规模集成电路） ，然后发展到现在的 VLSI（超大规
3、模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路） ，甚至发展到将来的 GSI（甚大规模集成电路） ，届时单片集成电路集成度将超过 10 亿个元件。 1959 年，天津拉制出硅（ Si）单晶。 1960 年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所第十三所（河北半导体研究所） 。 1962 年，天津拉制出砷化镓单晶（ GaAs） ，为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962 年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963 年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964 年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965 年 12
4、 月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了 DTL 型（二极管晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966 年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了 TTL 电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968 年，组建国营东光电工厂（ 878 厂） 、上海无线电十九厂，至 1970 年建成投产，形成中国 IC 产业中的“ 两霸”。 1968 年，上海无线电十四厂首家制成 PMOS（P 型金属氧化物半导体）电路（ MOSIC） 。拉开了我国发展 MOS 电路的序幕，并
5、在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第 24 所） 、上无十四厂和北京 878 厂相继研制成功 NMOS 电路。之后，又研制成 CMOS电路。 七十年代初，IC 价高利厚，需求巨大，引起了全国建设 IC 生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749 厂（永红器材厂） 、871 （天光集成电路厂） 、878（东光电工厂） 、4433 厂（风光电工厂）和 4435 厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安 691 厂等等。 1972
6、 年，中国第一块 PMOS 型 LSI 电路在四川永川半导体研究所研制成功。 1973 年，我国 7 个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条 3 英寸工艺线，最后只有北京 878 厂，航天部陕西骊山 771 所和贵州都匀 4433 厂。 1976 年 11 月，中国科学院计算所研制成功 1000 万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院 109 厂（现中科院微电子中心）研制的 ECL 型（发射极耦合逻辑）电路。 1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742 厂）IC 生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有 3 英寸全
7、新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“ 硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件” 。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期 742 厂共投资 2.7 亿元（6600 万美元） ，建设目标是月投 10000 片 3 英寸硅片的生产能力，年产 2648 万块 IC 成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984 年达产，产量达到 3000 万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982 年 10 月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的 “电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制
8、定了中国 IC 发展规划，提出“六五” 期间要对半导体工业进行技术改造。 1983 年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“ 建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。 1986 年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术 “531”发展战略，即普及推广 5 微米技术，开发3 微米技术，进行 1 微米技术科技攻关。 1988 年，871 厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988 年 9 月，上无十四厂在技术引进项目
9、，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司上海贝岭微电子制造有限公司。 1988 年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进） 。 1989 年 2 月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989 年 8 月 8 日，742 厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。 1990 年 10 月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施
10、九 O 八工程。1991 年，首都钢铁公司和日本 NEC 公司成立中外合资公司首钢 NEC 电子有限公司。 1995 年，电子部提出 “九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以 CAD 为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995 年 10 月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。 11 月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日，由上海华虹集团与日本 NEC 公司合资组建的上海华虹 NEC 电子有限公司组建，
11、总投资为 12 亿美元，注册资金 7 亿美元，华虹 NEC 主要承担“九 0 九” 工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998 年 1 月，华晶与上华合作生产 MOS 圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998 年 1 月 18 日， “九 0 八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的 0.9 微米的生产线已经具备了月投6000 片 6 英寸圆片的生产能力。 1998 年 1 月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫 2000 系统，这是我国自主开发的一套 EDA 系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模
12、达百万门级，支持高层次设计。 1998 年 2 月，韶光与群立在长沙签订 LSI 合资项目，投资额达 2.4 亿元，合资建设大规模集成电路（ LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路 5200 万块的生产能力。 1998 年 2 月 28 日，我国第一条 8 英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998 年 3 月 16 日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本 NEC 株式会社在北京长城 -饭店举行北京华虹 NEC 集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约 200 个集成电路品种，并为华虹 NEC
13、生产线每年提供 8 英寸硅片两万片的加工订单。 1998 年 4 月，集成电路“九 0 八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业 771 研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998 年 6 月，上海华虹 NEC 九 0 九二期工程启动。 1998 年 6 月 12 日，深港超大规模集成电路项目一期工程后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成
14、电路封装测试的年生产能力由原设计的 3.18 亿块提高到目前的 7.3 亿块，并将扩展的 10 亿块的水平。 1998 年 10 月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，- 该生产线以双极工艺为主、兼顾 Bi-CMOS 工艺、2 微米技术水平、年投 5 英寸硅片 15 万片、年产各类集成电路芯片 1 亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998 年 3 月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS 微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999 年 2 月 23 日，上海华虹 NEC 电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主导产品64M 同步动态存储器（S DRAM） 。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
