1、1,第 3 章 集成逻辑门电路,(10课时）,2,3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 TTL集成门电路 3.4 CMOS门电路 3.5 各逻辑门的性能比较,3,作业,3-6 3-8 3-13 3-15 3-20,4,3.1 概述,用来实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。常用的门电路有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。从制造工艺方面来分类，数字集成电路可分为双极型、单极型和混合型三类。,5,3.2 半导体二极管门电路 3.2.1正逻辑与负逻辑,在数字电路中，用高、低电平来表示二值逻辑的1和0两种逻辑状态。 获得高、低电平的基本原理电路如图表示。开
2、关S为半导体二极管或三极管，通过输入信号控制二极管或三极管工作在截止和导通两个状态，以输出高低电平。,6,若用高电平表示逻辑1，低电平表示逻辑0，则称这种表示方法为正逻辑； 反之，若用高电平表示0，低电平表示1，则称这种表示方法为负逻辑。 若无特别说明，本书中将采用正逻辑。,3.2.1正逻辑与负逻辑,7,由于在实际工作时只要能区分出来高、低电平就可以知道它所表示的逻辑状态了，所以高、低电平都有一个允许的范围。 正因如此，在数字电路中无论是对元器件参数精度的要求还是对供电电源稳定度的要求，都比模拟电路要低一些。,正逻辑 负逻辑,补充半导体基础知识,8,3.2.2半导体二极管的开关特性,9,3.2
3、.2半导体二极管的开关特性,1. 二极管的符号,10,2. 二极管的伏安特性,600,400,200,0.1,0.2,0,0.4,0.7,50,100,二极管/硅管的伏安特性,V/V,I/mA,正向特性,死区电压,反向特性,反向击穿特性,11,二极管（PN结）的单向导电性： PN结外加正偏电压（P端接电源正极，N端接电源负极）时，形成较大的正向电流，PN结呈现较小的正向电阻； 外加反偏电压时，反向电流很小，PN结呈现很大的反向电阻。,2. 二极管的伏安特性-二极管的单向导电性,12,3. 二极管等效电路,图3-5 二极管伏安特性的几种等效电路,13,导通电压VON 硅管取0.7V 锗管取0.2
4、V,结论： 只有当外加正向电压（P极电压大于N极电压）大于VON时，二极管才导通。 二极管导通后具有电压箝位作用。,14,4. 二极管的动态特性,在动态情况下，亦即加到二极管两端的电压突然反向时，电流的变化过程如图所示。,15,因为半导体二极管具有单向导电性，即外加正向电压时导通，外加反向电压时截止，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。,5. 半导体二极管的开关特性,16,VCC=5V 当vI为高电平VIH时，VD可能截止，可能导通，vO为高电平VIH + VON。 当vI为低电平VIL时，VD导通， vO= VIH +0.7V，为低电平。,5. 半导体二极管的开关特性,17,3.2.3
5、 二极管与门电路,二极管与门电路及逻辑符号,与门真值表,18,3.2.4二极管或门电路,二极管或门电路及逻辑符号,或门真值表,19,3.3 TTL（Transistor-Transistor-Logic) 集成门电路,TTL集成门电路中采用双极型三极管作为开关器件。首先介绍一下双极型三极管。,20,3.3.1 双极型三极管的开关特性,1.双极型三极管的结构 双极型三极管具有三个电极，分为NPN型和PNP型两种类型。 由于它们在工作时有电子和空穴两种极性不同的载流子参与导电，故称为为双极型三极管。,在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，三个区分别叫发射区、基区和集电区。,引出的三个电极分别为：发射极
6、e 、基极b和集电极c。,基区和集电区形成集电结，发射区和基区形成发射结。,发射结,集电结,22,图3.9 双极型三极管的两种类型,箭头表示PN结的正偏 方向,23,2.双极型三极管的输入特性和输出特性 1) 输入特性曲线,共发射极电路。 表示输入电压vBE和输入电流iB 之间的特性曲线，称为输入特性曲线。,输入回路,输出回路,24,三极管的输入特性曲线与PN结（二极管）的伏安特性曲线很相似，分析时可采用PN结（二极管）的等效模型。,25,在不同iB值下集电极电流iC和集电极电压vCE之间关系的曲线，称为输出特性曲线。,2) 输出特性曲线,iB取不同值时对应不同的曲线,26,三极管输出特性上的
7、三个工作区,截止区：发射结反偏，集电结反偏,放大区：发射结正偏，集电结反偏,饱和区：发射结正偏，集电结正偏。,27,三极管输出特性上的三个工作区,放大区：iC=iB 饱和区：VCES=0.3V 截止区：ICEO1A,28,3.双极型三极管的开关电路,用NPN型三极管取代下图中的开关S，就得到了三极管开关电路。,29,当vI为低电平时，三极管工作在截止状态（截止区），输出高电平vOVCC 。,当vI为高电平时，三极管工作在饱和导通状态（饱和区），输出低电平vO0V（VCES ）。,3.双极型三极管的开关电路,三极管相当一个受vI控制的开关,30,双极型三极管的开关等效电路,截止状态 饱和导通状态
8、,31,4. 双极型三极管的动态开关特性,在动态情况下，亦即三极管在截止与饱和导通两种状态间迅速转换时，三极管内部电荷的建立和消散都需要一定的时间，输出电压的变化滞后于输入电压的变化，这种滞后现象是由于三极管的b-e间、c-e间都存在结电容效应的原因。,32,33,4. 三极管非门电路,由三极管开关电路组成的最简单的门电路就是非门电路（反相器）。,当输入A为低电平时，三极管截止，F输出为高电平；当输入A为高电平时，三极管饱和导通，输出F为低电平。 实现了逻辑非功能。,34,5. 二极管三极管门电路 (1)与非门电路,将二极管与门的输出与三极管非门的输入连接，便构成了二极管三极管与非门电路。,3
9、5,（2）或非门电路,将二极管或门的输出与三极管非门的输入连接，便构成了二极管三极管或非门电路。,36,3.3.2 TTL与非门的电路结构和工作原理,1.电路结构,输入级V1、R1 倒相级V2、R2 、R3 输出级V4、V5 、VD3 、R4 保护二极管:VD1 、VD2,图3-18所示,37,输入端接有用于保护的二极管VD1和VD2。当输入端加正向电压时，相应二极管处于反向偏置，具有很高的阻抗，相当于开路；如果一旦在输入端出现负极性的干扰脉冲，VD1和VD2便会导通，使A、B两端的电位被钳制在-0.7V左右，以保护多发射极晶体管V1不致被损坏。,38,2.工作原理,任意一个输入端加入低电平，
10、例如A=vI=0.3V，则vB1= 0.3+0.7= 1V,vB1=1V,V2 、V5 截 止,V4 、VD3导 通,vo= VCC VR2 Vbe4 VVD3 5 0.7 0.7= 3.6V,F= 1(高电平）,较小,设PN结导通电压为0.7V三极管饱压降为0.3V， 电源电压VCC=5V,39,vB1=2.1V,vo=0.3V,vC2=1V,V2 ,V5导通，三个PN结的箝位作用使vB1=2.1V，V1发射结反偏。,vC2=vCE2+vBE5=0.3+0.7=1V，不足以使V4 、VD3同时导通,V5导通， V4 、VD3截止， vo=0.3V, F=0 低电平,2）两输入端同时输入高电平
11、，A=B=vI=3.6V，,40,3.其它几个系列与非门的主要区别,（1）CT54H/74H高速系列2输入门电路中所有的电阻值都减少了。输出级V5管的有源负载改由V3和V4组成的复合管，通常叫做达林顿图腾柱结构，进一步提高了驱动负载的能力和工作速度，但其功耗增加了一倍以上，目前，这类产品的生产已经很少了。,41,图3-19 CT54H/74H高速系列输入与非门,42,2) 肖特基系列2输入与非门。,43,3.3.3 TTL与非门的静态特征,1.电压传输特性 如果将图3-18所示与非门的输入A（或B）接高电平3.6V，则输出电压随输入端B（A）所加电压的变化而变化的特征曲线，叫做TTL与非门的电
12、压传输特性。,44,(1)AB段 当vI 0.6V时，vb11.3V，V2和V5管都截止，VD3和V4管导通，输出为高电平。故段称为电压传输特性的截止区。,45,(2) BC段 当0.6V vI1.3V时，0.7Vvb11.4V，V2管开始导通，处于放大状态，所以其集电极电压 vC2 和输出电压vO 随输入电压的增高而线性地降低，但V5管仍截止，此段称为线性区。,46,(3)CD段 当1.3VvI1.4V时，V2和V5管均处于饱和导通，vC2=vbe5+VCES2=1V，V4管和VD3管均截止，输出急剧下降为低电平，vO=VCES5=0.3V，故称此段为转折区 D点对应的输入电压 VTH 叫阈
13、值电压，VTH 1.4V。,47,DE段 当vI大于1.4V以后，vb1被钳位在2.1V，V2和V5管均饱和, vO= VCES5=0.3V，故段称为饱和区。,48,从电压传输特性上可以看与非门的三个主要参数：输出高电平VOH=3.6V，输出低电平VOL=0.3V；阈值电压VTH=1.4V。,49,2. TTL与非门的噪声容限,TTL与非门在使用中，其输入端有时会受到杂散电磁场和其它环境干扰源的影响，当上述噪声电压超过一定限度时，就会破坏与非门输出与输入之间正常的逻辑关系，通常将不致影响输出逻辑状态时输入端所允许的最大噪声电压，叫做TTL与非门的噪声容限。,50,图3-24 说明直流噪声容限定
14、义的示意图,51,高电平的噪声容限,低电平的噪声容限,52,显然，如果在两个门电路之间的互连线上出现了大于VNH的负向干扰脉冲时，就会引起被驱动门的输出逻辑状态出现错误。 如果在两个门电路之间的互连线上出现了大于VNL 的正向干扰脉冲时，也会引起被驱动门的输出逻辑状态出现错误。,53,高电平的噪声容限,低电平的噪声容限,CT74通用系列门电路,54,3. 输入特性和输出特性,为了能正确使用TTL与非门，必须了解其电气特性，下面将分别讨论TTL与非门的输入特性和输出特性。,55,（1）输入特性,约定vI和iI的方向如图所示。 把输入电流iI与输入电压vI之间的关系曲线，叫做TTL与非门的输入特性
15、曲线。,+ -,56,IIS,IIL,IIS ：输入短路电流。,IIL: 输入低电平电流,57,VTH,IIH,IIH： 输入高电平电流（输入漏电流）, V1为倒置工作状态,VTH：阈值电压(1.4V)。,58,（2）输出特性,输出电压vO随输出负载电流的变化而变化的关系曲线，叫做输出特性。 输出特性说明了电路带负载的能力。 由于逻辑门电路输出可为高电平，也可为低电平，因此，输出特性也应分为输出高电平时的输出特性和输出低电平时的输出特性两种情况来讨论。,59,1）输出高电平时的输出特性,当与非门的输入端中只要有一个为低电平，若vI0.3V时，则V2和V5管都截止，V4管和VD3管都导通，输出为
16、高电平。,60,负载电流由V4管的发射极经二极管VD3流入负载，故称这类负载为拉电流负载。 这时的V4管是工作在射极输出状态，电路的输出电阻很低，在负载电流较小的情况下，输出高电平随负载电流的增大而变化很小。,61,当负载电流进一步增大到某一数值以后，输出高电平将随着负载电流的增大而迅速线性下降。 在实际使用时，应将这类门电路输出高电平时的负载电流限制在400A以内。,62,2）输出低电平时的输出特性,当TTL与非门的输入端都输入高电平vI3.6V时，V2和V5管都饱和导通，V4管截止，输出低电平。,63,由于输出低电平时负载电流是由负载流入V5管，故称这类负载为灌电流负载。,64,空载时的输
17、出低电平常小于0.3V，带有负载时的输出低电平与V5管的饱和电阻值有关，在环境温度25C时，V5管的饱和电阻值约为8左右，所以，随着负载电流绝对值的增加，输出低电平会稍有升高，iL通常小于12mA。,65,4. 门电路的扇出系数,扇出系数NO的定义是：“一个门电路能驱动与其同类门的个数”。 它标志着一个门电路的带负载能力。 计算扇出系数分为输出高电平时的扇出系数及输出低电平时的扇出系数，并取两者较小的作为电路的扇出系数。 TTL门电路的扇出系数一般都大于8。,66,假定驱动门电路输出高电平的最大负载电流为IOH，输出低电平的最大负载电流为IOL；负载门输入端数为m，输入高电平时的漏电流为IIH
18、，输入低电平的电流为IIL。则各门电路的扇出系数计算方法为： 反相器：,67,与非门或非门,68,补充：或非门电路,69,例题：某2输入与非门能驱动多少个同样的与非门？ 已知与非门： IIL -1.6mA， IIH40A， IOL（max)=16mA，IOH（max)=-0.4mA，输出电阻可忽略。,解：已知与非门有2个输入端，因此m=2。,1) 当驱动门输出高电平时，其扇出系数为：,2) 当驱动门输出低电平时，其扇出系数为：,该与非门能驱动5个同样的与非门。,70,例题：某2输入或非门能驱动多少个同样的或非门？ 已知或非门： IIL -1.6mA， IIH40A， IOL（max)=16mA
19、，IOH（max)=-0.4mA，输出电阻可忽略。,解：已知或非门有2个输入端，因此m=2。,1) 当驱动门输出高电平时，其扇出系数为：,2) 当驱动门输出低电平时，其扇出系数为：,该或非门能驱动5个同样的或非门。,71,5. 输入负载特性,当用TTL与非门来组成一些较复杂的逻辑电路时，有时需要在信号与输入端或输入端与地之间接一电阻。,72,CT74系列与非门的输入负载特性如图所示。,73,开门电阻：为保证与非门输出为额定低电平所允许的RI的最小阻值，定义为开门电阻，用RON表示，该阻值一般可通过实验测得。 一般取RON=2K，当RIRON时认为输入为高电平，当RIRON时认为输入为低电平。
20、TTL与非门的输入端悬空，相当于在其输入端接一个阻值为无穷大的电阻，也就是相当于接高电平。,74,6. 门电路多余输入端的处理,TTL门电路的实际产品在使用时，如果有多余的输入端不用，一般不应悬空，以防干扰信号的串入，引入错误逻辑。 不同逻辑门电路的多余输入端有不同的处理方法。,75,（1）TTL与门及与非门的多余输入端有以下几种处理方法 1）将其经13k 的电阻接至电源正端。 2）接输入高电平VIH。 3）与其它信号输入端并接使用。,76,（2）TTL或门及或非门的多余输入端应接低电平或与其他输入端并接使用。 （3）与或非门一般有多个与门，使用时如果有多余的与门不用，其输入端必须接低电平，否
21、则与或非门的输出将是低电平；如果某个与门有多个输入端不用，其处理方法与与门相同。,77,3.3.4 TTL与非门的动态特性,在门电路的实际应用中，输入端所加的信号总是要不断地从一个状态转换到另一个状态，而输出状态是否能跟得上输入信号状态的变化？输出电压和输出电流的变化如何？这是门电路实际使用中必须关心的问题。通常将门电路的输出电压和输出电流对输入信号的响应曲线，叫做门电路的动态特性。,78,1.传输延迟时间,如果将理想矩形波的电压信号加到TTL与非门的输入端，由于三极管内部存储电荷的积累和消散都需要时间，而且二极管、三极管和电阻等元器件都有寄生电容存在，故输出电压的波形不仅要比输入电压的波形滞
22、后，而且上升沿和下降沿均变得更斜。,79,对于反相器来说，将输入电压波形上升沿的中点与输出电压波形下降沿的中点之间的时间差定义为输出由高电平到低电平的延迟时间，用tPHL表示；,80,将输入电压波形下降沿的中点与输出电压波形上升沿的中点之间的时间差，定义为输出由低电平到高电平的延迟时间，用tPLH表示。,81,在数字电路中有时也用平均传输延迟时间tPD=(tPHL+tPLH)/2来表示门电路的传输延迟时间。TTL门电路的平均传输延迟时间一般都小于30ns。,82,2. 电源的动态尖峰电流,83,3.3.5 集电极开路门和三态门 1.集电极开路门-OC门（Open Collector）,普通门电
23、路是不允许将输出连接使用，否则当一个门的输出是高电平，而另一个门的输出低电平时，将产生一个大的输出电流直接流入输出低电平逻辑门的V5管，不仅会使导通门输出低电平严重抬高，出现逻辑错误，而且输出高电平门的V4管也有被烧坏的危险。,84,为将输出端连接使用，并增加门电路的驱动能力，可以将TTL与非门的有源负载去掉，使驱动管V5 改为集电极开路输出，称其为集电极开路门，简称OC门。,85,实际使用时，OC门的输出端应外接上拉电阻RL至电源VCC。,86,如果将多个集电极开路门的输出端并联，便具有与输出功能，因此称为“线与”。,87,如果采用负逻辑约定，可实现“线或”功能。 OC门可用于数据总线系统中
24、，还可用于高压驱动器、七段译码驱动器等多种逻辑器件的输出以及电平转换电路。,OC门 SN7407 最大负载电流40mA，截止时耐压30V， 有较强的驱动能力。,88,影响因素：并联在一起的驱动门的个数n、所接负载门的输入端数m、负载门的个数M、线与输出的逻辑状态有关。 计算时，在保证线与逻辑电路能正常工作的条件下，分别求出线与输出高电平时负载电阻值和输出低电平负载电阻值，然后选择一个合适电阻。,RL选择,89,（1）当驱动门输出高电平时,求负载电阻的最大值RLmax,当驱动门输出高电平时，应使得VOHVOHmin,驱动门 个数,负载门 输入端数,90,（2）当驱动门输出低电平时 考虑电路工作最
25、不利的情况:假定只有一个OC门输出低电平，此时流入此门V5管的集电极电流为最大,求负载电阻的最大值RLmax,当某驱动门输出低电平时，应使得VOLVOLmax,负载门 个数,91,由以上分析可知，当n个OC门做线与连接时，其上拉电阻RL的取值应为:,92,例3-1 由三个集电极开路门组成线与输出，三个CT74系列与非门作为负载，其电路连接如图所示。设线与输出的高电平VOHmin=3.0V，每个集电极开路门截止时其输出管流入的漏电流IOH=2mA；在满足VOL0.4V的条件下，驱动管V5饱和导通时所允许的最大灌电流IOLmax=16mA。负载门的输入特性如图所示。试计算线与输出时的负载电阻RL。
26、,解：由图3-25所示输入特性可得 IIH=40A, IIL=-1.5mA。,94,解：由图3-25所示输入特性可得 IIH=40A, IIL=-1.5mA。,根据以上计算，0.4KRL8.1K，故可选2K,95,2.三态输出门-TSL门（Three State Logic门）,在数字系统中，为了使各逻辑部件在总线上能相互分时传输信号，就必须有三态输出逻辑门电路，简称三态门。 所谓三态门，即其输出不仅有高电平和低电平两种状态，还有第三种状态高阻输出状态。,96,1) 三态与非门电路及逻辑符号,使能端高电平有效,97,EN=1时,附加电路无作用。电路功能同与非门。 EN=0时, V4、V5均截止
27、，电路输出为高阻状态,98,使能端低电平有效,在数字系统中，当某一逻辑器件被置于高阻状态时，就等于把这个器件从系统中除去，而与系统之间互不产生任何影响。,99,2) 利用三态门构成总线系统,100,图3-41 三态输出四总线缓冲器组成的两数据双向传输电路,101,3.4 CMOS门电路 3.4.1MOS管的开关特性,以金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称CMOS管）作为的开关器件，在数字系统中已得到广泛应用。 与有触点的开关相比，其在速度和可靠性方面都具有优越性。,102,1. 绝缘栅场效应管
28、(MOS)开关特性,双极型三极管为电流控制电流源 MOS型三极管为电压控制电流源 1） MOS管的结构及分类N沟道、P沟道增强型绝缘栅场效应管,2) NMOS管的输出特性,图3-42 MOS管开关电路及其输出特性曲线,104,(1) vI= vGS VTH,恒流区,放大(3) vI 再增加，MOS管的导通电阻Ron下降,当RD Ron，VOL0,(开关闭合),3) MOS三极管的基本开关电路,105,MOS管相当于一个由栅源电压vGS 控制的无触点开关，当输入信号为低电平时，MOS管截止，相当于开关“断开”，输出为高电平； 当输入信号为高电平时，MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输
29、出为低电平。 图中Ron为MOS管导通时的等效电阻，约为1K。,106,图 3-44 MOS管的开关电路,4) MOS管开关电路的动态特性,107,5) 三极管、 MOS管的比较,电流控制电流源,电压控制电流源,108,3.4.2 CMOS反相器的电路结构及工作原理,CMOS反相器是组成CMOS数字集成系统最基本的逻辑单元电路。由NMOS管和PMOS管组合而成。,109,当vI为高电平时，VN导通，VP截止，vO为低电平。 当vI为低电平时，VP导通，VN截止，vO为高电平。,由于CMOS反相器工作时总是只有一个管子导通，而另一个管子截止，故通常称之为互补式工作方式，因而把这种电路叫做互补对称
30、式金属-氧化物-半导体电路，简称CMOS电路。,110,3.4.3 COMS反相器的传输特性,用以描述COMS反相器输出电量与输入电量之间关系的特性曲线，称为传输特性。 输出电压vO随输入电压vI 的变化而变化的关系曲线，叫做电压传输特性。 电源流入反相器的功耗电流 IDD与输入电压vI之间的关系曲线，叫做电流传输特性。,111,1. CMOS反相器的电压传输特性,电压传输特性分为5个工作区域： AB段，vI|VTP|，VP管导通，输出为高电平。,112,BC段，vIVTN，VN管开始导通，但vO下降不多，而|vGSP|VTP|，VP管导通，输出为高电平。,113,CD段 随着vI的继续升高，
31、输出vO将进一步下降， VN和VP管均导通，并工作在饱和区，所以vO随vI改变而急剧变化，这一区段称为传输特性的转折区或放大区。转折区的中点约在vI =1/2VDD, vO =1/2VDD的位置上。,114,DE段 vI继续增加时，vO将进一步下降，VN管进入了低内阻的线性区， VN仍工作在饱和区，输出vO趋于低电平。,115,EF段 当输入电压增加到高电平（如VDD）时，VN导通且工作在线性区， |vGSP|=| vI-VDD|VTP| ，VP管截止，输出为低电平，近似为0。,116,CMOS器件的电源电压从3V到18V都能正常工作，当电源电压VDD取不同数值时，CMOS反相器的电压传输特性
32、如图所示。 由图可以看出，随着电源电压VDD的增加，其噪声容限VNL和VNH也都相应地增大。,117,2.COMS反相器的电流传输特性,漏极电流iD随输入电压vI的变化而变化的关系曲线，叫做电流传输特性。,118,CMOS反相器在静态工作情况下，无论其输出是低电平或是高电平，其功耗都极小，这是CMOS反相器得以广泛运用的主要原因之一。,119,3.4.4 CMOS与非门及或非门,1. CMOS与非门,当输入A、B中只要有一个输入为低电平时，两个串联的NMOS驱动管中相应的一个截止，两个并联的PMOS负载管相应的一个导通， 输出为高电平,120,只有当A、B的输入同时为高电平时，NMOS管均导通
33、，PMOS管都截止，输出为低电平。,121,2. CMOS或非门,当输入A、B中只要有一个输入为高电平时，两个串联的PMOS驱动管中相应的一个截止，两个并联的NMOS负载管相应的一个导通， 输出为低电平。,只有当A、B的输入同时为低电平时，PMOS管均导通，NMOS管都截止，输出为高电平。,122,3.4.5 CMOS传输门和双向模拟开关,当C为低电平时，VN和VP管均截止，输入与输出之间为高阻状态，相当于开关断开。,123,当C为高电平时，对于0至VDD之间的输入信号，两管总有一个导通，所以vI=vO，相当于开关闭合。,VN管导通条件：,VP管导通条件：,124,由于结构的对称性，传输门可作
34、为双向传输器件使用，即输入和输出可以互换。 用CMOS传输门和反相器可构成双向模拟开关。 采用数字信号控制，传输模拟信号。,125,当控制端C加高电压平时，开关导通，输入信号vI 便传输到输出端，vIvO；当控制端C加低电平时，输入与输出之间被阻断，输出呈高阻状态，相当于开关断开。,126,3.4.6 CMOS漏极开路门（OD门）,127,3.4.7 CMOS三态门（TS门）,和TTL门电路一样，CMOS电路三态输出门。,1. 在CMOS反相器的基础上增加一个附加的N沟道增强型MOS驱动管VN和一个附加的P沟道增强型MOS负载管VP。,128,三态门原理分析,当使能端为低电平时，VN和VP管导
35、通，电路实现反相功能。 （低电平有效） 当使能端为高电平时， VN和VP管均截止，电路为高阻状态。,低电平有效,129,2. 在CMOS反相器的输出端串接一个CMOS双向模拟开关实现三态输出。,当使能端为低电平时，TG门导通，电路实现反相功能。 （低电平有效） 当使能端为高电平时， TG门截止，电路为高阻状态。,130,3. 增加附加管和门电路组成的CMOS三态门,（1）在CMOS反相器的基础上附加一个负载管VP及控制用的或非门。,当使能端为低电平时，或非门打开，VP管导通，F=A。 （低电平有效） 当使能端为高电平时， 或非门封锁，电路为高阻状态。,131,(2)在CMOS反相器的基础上附加
36、一驱动管VN 及控制用的与非门，也能组成CMOS三态门。,当使能端为高电平时，与非门打开，VN管导通，F=A。 （高电平有效） 当使能端为低电平时， 与非门封锁，电路为高阻状态。,高电平有效,132,3.4.8 CMOS门电路的构成规律与使用时的注意事项,1. CMOS门电路的构成规律 (1) 驱动管串联，负载管并联；驱动管并联，负载管串联。 (2) 驱动管先串后并，负载管先并后串；驱动管先并后串，负载管先串后并。驱动管相串为“与”，相并为“或”，先串后并为先“与”后“或”，先并后串为先“或”后“与”。驱动管组和负载管组连接点引出输出为“取反”。,133,2.使用CMOS集成电路的注意事项,由
37、于CMOS输入端很容易因感应静电而被击穿。使用时要注意以下几点： （1） 采用金属屏蔽盒储存或金属纸包装，防止外来感应电压击穿器件。 （2） 工作台面不宜用绝缘良好的材料，如塑料、橡皮等，防止积累静电击穿器件。,134,(3) 不用的输入端或者多余的门都不能悬空；输出级所连电容负载不能大于500pF，否则，输出级功率过大会损坏电路。 (4) 焊接时，应采用20W或25W内热式电烙铁，烙铁要接地良好，烙铁功率不能过大。 (5) 调试时，所用仪器仪表、电路箱、板都应良好接地。,135,(6) 严禁带电插、拔器件或拆装电路板，以免瞬态电压损坏CMOS器件。 (7) 在CMOS门电路与TTL逻辑电路混
38、用时，一般要注意逻辑电平的匹配。,136,3.5 各类逻辑门的性能比较,3.5.1 集成逻辑门系列简介1. 集成逻辑门系列简介（1） TTL门电路系列TTL门电路分为54（军用）和74（商 用）两大系列，每个系列又有若干子系列。,137,74 标准系列 74L 低功耗系列 74H 高速系列 74S 肖特基系列 74LS 低功耗肖特基系列 74AS 先进的肖特基系列 74ALS 先进的低功耗肖特基系列,138,相同品种类型代码的逻辑电路，逻辑功能及引脚排列相同。7400、74LS00、74ALS00、74HC00、74AHC00管脚图：,139,表3-5 TTL74系列各子系列参数对比,140,
39、（2）CMOS门电路系列,CMOS门电路可分为4000系列、74CXX系列和硅-氧化铝系列等三大系列。,141,表3-6 各系列CMOS电路的主要技术参数,142,2.各类逻辑门的性能比较,各类集成逻辑门的主要技术指标如表3-7所示。由表可见，在各类逻辑门中，ECL逻辑门的传输延迟最小，工作速度最高，但抗干扰能力最差，功耗也最大；CMOS逻辑门抗干扰能力和带负载能力都最强，功耗也最低，但传输延迟较大，工作速度较低。,143,表3-7 集成逻辑门电路的性能比较,144,3.5.2 TTL逻辑电路与CMOS逻辑电路比较,TTL逻辑电路的特点是：速度快，抗静电能力较强，但是集成度低、功耗大，目前广泛
40、应用于中、小规模集成电路。,145,（1） 制造工艺简单，集成度和成品率较高，便于大规模集成； （2） 工作电源允许变化的范围大，抗干扰能力强； （3） 在电源到地的回路中，总有MOS管截止，功耗较低； （4） 输入阻抗高。,而CMOS具有下列优点：,146,当前，CMOS逻辑电路已成为与双极型逻辑电路并驾齐驱的另一类集成电路，并且在大规模、超大规模集成电路方面已经超过了双极型逻辑电路的发展势头。,147,1. 各种门电路（与、或、非、与非、或非、与或 非、异或、同或）的逻辑功能(输入和输出之 间的逻辑关系)。,2. TTL门的外部电器特性（传输特性、输入特性、 输入负载特性、输出特性）。,本章基本要求,148,5. OC（或OD）门、三态门、传输门的工作特点。,各种逻辑门的内部电路结构不作要求。,4. CMOS门的外部传输特性、输入负载特性。,3. 扇出系数的计算。,
