1、一、选择题 1、EPROM 是指_D_。A. 读写存储器 B. 只读存储器 C. 可编程的只读存储器 D. 光擦除可编程的只读存储器2、计算机系统中的存贮器系统是指_D_ 。A RAM 存贮器B ROM 存贮器C 主存贮器D cache、主存贮器和外存贮器3、 存储单元是指_B_。A 存放一个二进制信息位的存贮元B 存放一个机器字的所有存贮元集合C 存放一个字节的所有存贮元集合D 存放两个字节的所有存贮元集合；4、 相联存贮器是按_C_进行寻址的存贮器。A 地址方式 B 堆栈方式 C 内容指定方式 D 地址方式与堆栈方式5、 存储器是计算机系统的记忆设备，主要用于_D_。A.存放程序 B.存放
2、软件 C.存放微程序 D.存放程序和数据6、外存储器与内存储器相比，外存储器_B_ 。A.速度快，容量大，成本高 B.速度慢，容量大，成本低C.速度快，容量小，成本高 D.速度慢，容量大，成本高7、一个 256K8 的存储器，其地址线和数据线总和为 _C_。A.16 B.18 C.26 D.208、 某 SRAM 芯片，存储容量为 64K16 位，该芯片的地址线和数据线数目为_D_。A 64，16 B 16，64 C 64，8 D 16，16 。9、 交叉存贮器实质上是一种_A_ 存贮器，它能_执行_独立的读写操作。A 模块式，并行，多个 B 模块式串行，多个C 整体式，并行，一个 D 整体式
3、，串行，多个10、存储器是计算机系统中的记忆设备,它主要用来_C_。A. 存放数据 B. 存放程序C. 存放数据和程序 D. 存放微程序11、某计算机的字长 16 位,它的存储容量是 64KB,若按字编址,那么它的寻址范围是_B_。A. 64K B.32KC. 64KB D. 32KB12、存储单元是指_A_。A存放一个机器字的所有存储元 B存放一个二进制信息位的存储元C存放一个字节的所有存储元的集合 D存放两个字节的所有存储元的集合13、机器字长 32 位，其存储容量为 4MB，若按字编址，它的寻址范围是_A_。A 1M B 1MB C 4M D 4MB14、多总线结构的计算机系统，采用_A
4、_方法，对提高系统的吞吐率最有效。A.多端口存储器 B.提高主存速度 C.交叉编址多模块存储器 D.cache15、双端口存储器在_B_情况下会发生读 /写冲突。A. 左端口与右端口的地址码不同B. 左端口与右端口的地址码相同C. 左端口与右端口的数据码不同D. 左端口与右端口的数据码相同16、一张 3.5 寸软盘的存储容量为_A_MB，每个扇区存储的固定数据是_。A. 1.44MB ，512B B. 1MB，1024B C .2MB， 256B D .1.44MB，512KB17、双端口存储器所以能高速进行读 / 写，是因为采用_B_。A 高速芯片 B 两套相互独立的读写电路 C 流水技术
5、D 新型器件18、闪速存储器称为_B_。A. 光盘 B. 固态盘 C. 硬盘 D. 软盘19、常用的虚拟存储系统由_A _两级存储器组成。A主存辅存 B快存主存 C快存辅存 D通用寄存器主存20、假设某计算机的存储系统由 cache 和主存组成，某程序执行过程中访存 1000 次，其中访问 cache 缺失（未命中）50 次，则 cache 的命中率是_D_。A、5% B、95% C、50% D、95%21、微型计算机系统中 ，操作系统保存在硬盘上，其主存储器应该采用_C_。A RAM B ROM C RAM 和 ROM D CCP22、某 SRAM 芯片，其容量为 5128 位，包括电源端和
6、接地端，该芯片引出线的最小数目应为_D_。A 23 B 25 C 50 D 1923、以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是_C_。A DRAM B SRAM C 闪速存储器 D EPROM24、采用虚拟存储器的主要目的是_B_。A. 提高主存储器的存取速度 B. 扩大存储器空间，并能进行自动管理C. 提高外存储器的存取速度 D. 扩大外存储器的存储空间25、某 DRAM 芯片，其存储容量为 512K8 位，该芯片的地址线和数据线数目为_D_ 。A 8， 512 B 512， 8 C 18， 8 D 19， 826、存储单元是指_B_。A. 存放一个
7、二进制信息位的存储元 B. 存放一个机器字的所有存储元集合C. 存放一个字节的所有存储元集合 D. 存放两个字节的所有存储元集合27、某存储器芯片的存储容量为 8K8 位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为_C_A. 12 B. 13 C. 21 D. 2228、用于笔记本电脑的大容量存储器是_C_。A. 软磁盘 B. 硬磁盘 C. 固态盘 D. 寄存器29、没有外存贮器的计算机监控程序可以存放在_B_ 。A RAM B ROM C RAM 和 ROM D CPU30、用于笔记本电脑的外存储器一般是_C_。 A 软磁盘 B 硬磁盘 C 固态盘 D 光盘 31、存储周期是指_C_。A 存储器的读
8、出时间B 存储器的写入时间C 存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔D 存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔32、在虚拟存储器中，当程序正在执行时，由_D_ 完成地址映射。A. 程序员 B. 编译器 C. 装入程序 D. 操作系统33、主存贮器和 CPU 之间增加 cache 的目的是_A_。A.解决 CPU 和主存之间的速度匹配问题 B.扩大主存贮器的容量C.扩大 CPU 中通用寄存器的数量 D.扩大外存的容量34、常用的虚拟存储系统由_B_两级存储器组成，其中_是大容量的磁表面存储器。A. 快存辅存，辅存 B. 主存辅存，辅存C. 快存主存，辅存 D. 通用寄存器主存，主存35、
9、某一 SRAM 芯片，其容量为 10248 位，包括电源端和接地端，该芯片引出线的最小数目应为_D_。A. 13 B. 15 C. 18 D. 2036、一个 512KB 的存储器,地址线和数据线的总和是 C 。 A17 B19 C27 D3637、以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是_C_。A.DRAM B.SRAM C.闪速存储器 D.EPROM38、计算机内存储器可以采用 A。 A.RAM 和 ROM B.只有 ROM C. 只有 RAM D.RAM 和 SAM 39、磁盘存储器的等待时间通常是指_A_。A. 磁盘旋转半周所需的时间 B. 磁
10、盘转 2/3 周所需时间C. 磁盘转 1/3 周所需时间 D. 磁盘转一周所需时间40、下列有关存储器的描述中，不正确的是_A_。A. 多体交叉存储器主要解决扩充容量问题B. 访问存储器的请求是由 CPU 发出的C. cache 与主存统一编址，即主存空间的某一部分属于 cacheD. cache 的功能全由硬件实现41、交叉存贮器实质上是一种_A_存贮器，它能_执行_独立的读写操作。A.模块式 并行 多个 B.模块式 串行 多个C.整体式 并行 一个 D.整体式 串行 多个42、磁盘存储器的等待时间通常是指_A_。A. 磁盘旋转半周所需的时间 B. 磁盘转 2/3 周所需时间C. 磁盘转 1
11、/3 周所需时间 D. 磁盘转一周所需时间43、下列有关存储器的描述中，不正确的是_A_。E. 多体交叉存储器主要解决扩充容量问题F. 访问存储器的请求是由 CPU 发出的G. cache 与主存统一编址，即主存空间的某一部分属于 cacheH. cache 的功能全由硬件实现44、交叉存贮器实质上是一种_A_存贮器，它能_执行_独立的读写操作。A.模块式 并行 多个 B.模块式 串行 多个C.整体式 并行 一个 D.整体式 串行 多个45、模 4 交叉存储器有 4 个存储模块，它们有各自的_C_。A. 地址寄存器B. 地址寄存器和指令寄存器C. 地址寄存器和数据缓冲寄存器D. 地址寄存器、数
12、据缓冲寄存器和指令寄存器46、软磁盘、硬磁盘、磁带机、光盘属于_B_设备。A. 远程通信 B. 外存储器 C. 内存储器 D. 人机界面的 I/O47、磁盘存储器的记录方式采用_C_。A. 归零制 B. 不归零制 C. 改进调频制 D. 调相制48、和外存储器相比，内存储器的特点是_C_。A容量大、速度快、成本低 B容量大、速度慢、成本高C容量小、速度快、成本高 D容量小、速度快、成本低49、CD-ROM 是_C_型光盘。A一次 B重写 C只读 50、在多级存储体系中， “cache主存”结构的作用是解决_D_的问题。A.主存容量不足 B.主存与辅存速度不匹配 C.辅存与 CPU 速度不匹配
13、D.主存与 CPU 速度不匹配二、填空题1、 闪速存储器特别适合于 A._便携式_微型计算机系统，被誉为 B._固态盘_而成为代替磁盘的一种理想工具。2、 主存储器的性能指标主要是 A._存储容量_、B._存取时间_、存储周期和存储器带宽。3、 闪速存储器能提供高性能、低功耗、高可靠性及 A._瞬间启动_能力，为现有的 B._存储器_体系结构带来巨大变化，因此作为 C._固态盘_用于便携式电脑中。4、 主存储器的性能指标主要是存储容量、A._存取时间_、B._存储容量_和 C._存储器带宽_。5、 由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在 A._字向_和 B._位向_两方面进行扩充才能满足实际
14、需求。6、 存储器和 CPU 连接时，要完成 A._数据线_的连接；B._地址线_的连接和 C._控制线_的连接，方能正常工作。7、相联存储器不按地址而是按 A. 内容访问的存储器，在 cache 中用来存放 B. _行地址表_，在虚拟存储器中用来存放 C. _页表和段表_。8、 主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间、A._存储容量_和 B._存储器带宽_。9、 软磁盘和硬磁盘的 A._存储原理 _记录方式基本相同,但在 B._结构_和 C._性能_上存在较大差别。10、 双端口存储器和多模块交叉存储器属于 A._并行_存储器结构。前者采用 B._空间并行_技术，后者采用 C._时间并行
15、_技术。10、对存储器的要求是 A. _容量大_，B. _速度快_，C. _成本低_。为了解决这三方面的矛盾计算机采用多级存储体系结构。11、当今的 CPU 芯片除了包括定点运算器和控制器外，还包括 A. _cache_，B. _浮点_运算器和 C. _存储_管理等部件。12、闪速存储器能提供高性能、低功耗、高可靠性以及 A._瞬间启动_能力，因此作为 B固态盘_用于便携式电脑中。13、奔腾 CPU 中 L2 级 cache 的内容是 A._主存_的子集，而 B._L1 级 cache_内容又是 L2级 cache 的子集。14、Cache 是一种 A. _高速缓冲_存储器，是为了解决 CPU
16、 和主存之间 B. _速度_不匹配而采用的一项重要硬件技术。现发展为多级 cache 体系，C. _指令 cache 和数据cache_分设体系。15、软磁盘和硬磁盘的 A. _存储_原理与 B. _记录_方式基本相同，但在 C. _结构_和性能上存在较大差别。16、虚拟存储器指的是 A._主存 外存_层次，它给用户提供了一个比实际 B._主存_空间大的多 C._虚拟地址_空间。17、广泛使用的 A._SRAM_和 B._DRAM_都是半导体随机读写存储器，它们共同的缺点是C._断电后不能保存信息_。18、主存储器容量通常以 MB 表示，其中 M = A._ 220， B =B._8 位（一个
17、字节）_；硬盘容量通常以 GB 表示，其中 G =C. _230_ 。19，磁盘存储器主要技术指标有存储密度，A._ 存储容量_，B._平均存取时间_，C._数据传输速率_。20、虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器 A._逻辑_模型，不是任何实际的 B._物理_存储器。21、为了在一台特定的机器上执行程序，必须把 A._逻辑地址_映射到这台机器主存储器的B._物理地址_空间上，这个过程称为 C._地址映射_。22、使用虚拟存储器是为了解决 A._ 扩大主存容量和地址分配_问题，存储管理主要由 B._ 软件_实现，CPUC._ 不能直接_访问第二级存储器。23、主存与 cache 的地址映射有
18、 A._ 全相联_，B. _直接_，C._组相联_三种方式。24、广泛使用的 A._SRAM_和 B._DRAM_都是半导体随机读写存储器。前者速度比后者C._快_，集成度不如后者高。25、计算机系统中的存储器分为 A_内存_和 B_外存_。在 CPU 执行程序时，必须将指令存放在 C_内存_中。26、闪速存储器的特点：（1）固有的非易失性（2）廉价的高密度（3）可直接执行（4）固态性能27、虚拟存贮器通常由主存和 A_存储_两级存贮系统组成。为了在一台特定的机器上执行程序，必须把 B_记录_映射到这台机器主存贮器的 C_结构_空间上，这个过程称为地址映射。28、并行处理技术已经成为计算机发展
19、的主流。它可贯穿于信息加工的各个步骤和阶段概括起来，主要有三种形式：A _时间_并行；B_空间_并行；C_时间+空间_并行。29、重写型光盘分 A_磁光盘 _和 B_相变盘_两种，用户可对这类光盘进行 C_随机写入、擦除或重写_信息。30、计算机系统中，下列部件都能够存储信息：主存CPU 内的通用寄存器cache磁带磁盘。按照 CPU 存取速度排列，由快到慢依次为 A_，其中，内存包括 B_；属于外存的是 C_。31、相联存储器是按 A._内容 _访问的存储器，在 cache 中用来存放 B._行地址表_，在虚拟存储器中用来存放 C._段表、页表和快表 _。在这两种应用中，都需要 D._快速_
20、查找。32、半导体 SRAM 靠 A._触发器_存储信息，半导体 DRAM 靠 B._电容_存储信息。33、DRAM 存储元是通过 栅极电容存储电荷 来暂存信息。34、光盘是多媒体计算机不可缺少的外存设备。按读写性质分，光盘有 A._只读_,B. _一次，C._重写_型三类光盘。35、虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器 A._逻辑_模型，不是任何实际的 B._物理_存储器。 36、温彻斯特磁盘是一种采用先进技术研制的 A._可移动_磁头，B._固定_盘片的磁盘机，它将磁头，盘片，电机等驱动部件读写电路等组装成一个 C._不可拆卸_机电一体化整体，成为最有代表性的 D._硬磁盘 _存储器。37
21、、为了在一台特定的机器上执行程序，必须把 A._逻辑地址_映射到这台机器主存储器的 B._物理地址_空间上，这个过程称为 C._地址映射_。38、广泛使用的 A._SRAM_和 B._DRAM_都是半导体 C._随机读写_存储器。前者的速度比后者快，D._集成度_不如后者高，它们的共同缺点是断电后 E._不能_保存信息。39、使用虚拟存储器是为了解决 A._ 扩大主存容量和地址分配_问题，存储管理主要由B._软件_实现，CPUC._不能直接_访问第二级存储器。40、主存与 cache 的地址映射有 A._全相连_，B. _直接_，C._组相联_三种方式。41、在磁盘的一个记录块中，所有数据字都
22、存放在 A._前后相继_存储元中，从而在读写整个记录块所需的时间中，只包括一次 B._找道_和一次 C._等待_时间。41、微程序控制器主要由控制存储器，A._ 微指令寄存器_，B._ 地址转移逻辑_三大部分组成，其中控制存储器是只读型存储器,用来存放 C._微程序_。42、存储器的读出时间通常称为 A._存取时间_，它定义为 B._从存储器接受读出请求到所要的信息出现在它的输出端的时间_.为便于读写控制，存储器设计时写入时间和读出时间相等，但事实上写入时间 C._小于_读出时间。43、DRAM 存储器的刷新一般有 A._集中式_,B._分散式_,C._异步式_三种方式。44、与存储有关的物理
23、过程本身有时是不稳定的，因此所存放的信息在一段时间后可能丢失。有三种破坏信息的重要存储特性，它们是 A.破坏性读出，B.动态存储 ，C.断电后信息丢失。45、模 4 交叉存储器是一种 A._高速_存储器，它有 4 个存储模块，每个模块有自己的 B地址寄存器_和 C._数据缓冲寄存器 _寄存器。46、全相连方式的主要缺点是比较器电路难于实现和设计，因此适用于小容量的 cache 使用。47、多模块交叉存储器最大的特点是在不改变存取周期的情况下提高了带宽。48、FPM-DRAM 称为快速页模式动态存储器。49、在存储器中，只有存储单元有地址，存储器没有地址。50、动态 MOS 随机读写存储器 DR
24、AM 的存储容量大，通常作为计算机的主存储器。三、应用题1、用 16k8 位的 SRAM 芯片构成 64K16 位的存储器，要求画出该存储器的组成逻辑框图。答：存储器容量为 64K16 位，其地址线为 16 位（A 15A0） ，数据线也是 16 位（D 15D0）SRAM 芯片容量为 16K8 位，其地址线为 14 位，数据线为 8 位，因此组成存储器时须字位同时扩展。字扩展采用 2 ：4 译码器，以 16K 为一个模块，共 4 个模块。位扩展采用两片串接。2、设有一个具有 20 位地址和 32 位字长的存储器，问：(1)该存储器能存储多少个字节的信息？(2)如果存储器由 512k8 位的
25、SRAM 芯片组成，需多少片？(3)需多少位地址作芯片选择？解：（1）应为 32 位字长为 4B，2 20 = 1M = 1024K,存储器容量为 2204B = 4MB，可存储 4M 字节的信息（2）SRAM 芯片容量为 512K8 位 = 512KB = 0.5MB所需芯片数目为：4MB 0.5MB = 8 片（3）因为 219 = 512K，即芯片片内地址线 19 位，存储器容量为 1M,地址线为 20 位，故需 1 位地址线作芯片片选选择（CS） ，用 A19选第 1 个模块，用 A19选第 2 个模块。3、设存储器容量为 32 字，字长 64 位，模块数 m=4，分别用顺序方式和交叉
26、方式进行组织。存储周期 T=200ns,数据总线带宽为 64 位，总线传送周期 =50ns。问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少？解：顺序存储器和交叉存储器连续读出 m=4 个字的信息总量都是：q=64 位4=256 位顺序存储器和交叉存储器连续读出 4 个字所需的时间分别是：t2=mT=4200ns=800ns=810-7(s)t1=T+(m-1)=200+350=350ns=3.510 -7(s)顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是:W1=q/t2=256/(810-7)=32107(位/s)W2=q/t1=256/(3.510-7)=73107(位/s)3、 以知 cache 命中率 H
27、=0.98，主存比 cache 慢 4 倍，以知主存存取周期为 200ns，求cache/主存的效率和平均访问时间。解： R=Tm/Tc=4；Tc=Tm/4=50nsE=1/R+（1-R）H=1/4+（1-4）0.98=0.94Ta=Tc/E=Tc4-30.98= 501.06=53ns。4、已知 cache / 主存系统效率为 85% ，平均访问时间为 60ns，cache 比主存快 4 倍，求主存储器周期是多少？cache 命中率是多少？解：因为：t a = tc / e 所以 ：t c = tae = 600.85 = 510ns (cache 存取周期)tm = tcr =510 4
28、= 204ns (主存存取周期)因为：e = 1 / r + (1 r )H 所以： H = 2.4 / 2.55 = 0.945、要求用 128K16 位的 SRAM 芯片设计 512K16 位的存储器，SRAM 芯片有两个控制端：当 CS 有效时该片选中。当 W/R=1 时执行读操作，当 W/R=0 时执行写操作。用 64K16 位的 EPROM 芯片组成 128K16 位的只读存储器。试问：。数据寄存器多少位？地址寄存器多少位？共需多少片 EPROM?画出此存储器组成框图。解：（1）存储器的总容量为：512K 16 位（SRAM ）+128K16 位（EPROM）=640K 16 位。数据寄存器 16 位。（2）因为 220=1024K640K，所以地址寄存器 20 位。（3）所需 EPROM 芯片数为（128K2B ）/（64K2B ）=2（片）（4）设存储器地址空间分配如下：128K EPROM 512K SRAM存储器组成框图如下：
