1、电子元器件封装知识： IC 封装大全宝典1、BGA(ballgridarray)球形触点陈列 ，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配 LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚 LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为 1.5mm 的360引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304引脚 QFP 为40mm 见方。而且 BGA 不用担心 QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国 Motorola 公司开发
2、的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚( 凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些 LSI 厂家正在开发500引脚的 BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本
3、体的四个角设置突起(缓冲垫 )以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm ，引脚数从84到196左右( 见QFP)。3、 碰焊 PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型 PGA 的别称(见表面贴装型 PGA)。4、 C(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在实际中经常使用的记号。5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于 ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的 Cerdip 用于紫外线擦除型 EPROM 以及内部带有
4、EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为 DIPG(G 即玻璃密封的意思) 。6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封装 DSP 等的逻辑 LSI电路。带有窗口的 Cerquad 用于封装 EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.52W 的功率。但封装成本比塑料 QFP 高35倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从 32到368。7、CLCC (ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装
5、型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJG(见 QFJ)。8、COB(chiponboard 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如 TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是 SOP 的别称(见 SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。1
6、0、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷 DIP(含玻璃密封 )的别称(见 DIP).11、DIL(dualin-line)DIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。12、DIP(dualin-linepackage） 。双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑 IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为 15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为 skinnyDIP 和 slimDIP(窄
7、体型 DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为 DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip(见 cerdip)。13、DSO (dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称( 见 SOP)。部分半导体厂家采用此名称。14、DICP(dualtapecarrierpackage) 双侧引脚带载封装。TCP( 带载封装) 之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是 TAB(自动带载焊接) 技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm 厚的存储器 LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照
8、EIAJ(日本电子机械工业 )会标准规定，将 DICP 命名为 DTP。15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP 的命名(见 DTCP)。16、FP(flatpackage)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或 SOP(见 QFP 和 SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。17、flip-chip 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与 LSI 芯片不
9、同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。18、FQFP(finepitchquadflatpackage) 小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见 QFP)。部分导导体厂家采用此名称。19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美国 Motorola 公司对 BGA 的别称( 见 BGA)。20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装 。塑料 QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把 LSI 组
10、装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装在美国 Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。21、H- (withheatsink)表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的 SOP。22、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型 PGA。通常 PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型 PGA 在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm 。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型 PGA小一半，所以封
11、装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250528) ，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称(见 CLCC 和 QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频 IC 用封装，也称为陶瓷 QFN 或 QFNC(见 QFN)。25、LGA(landgridarray
12、)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm 中心距)和447触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑 LSI 电路。 LGA 与 QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。26、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。 LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面
13、附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型 QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的 QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP 外形规格所用的名称。28、LQUAD 陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高 78倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm 中心距)和160引脚(0.65mm 中心距)的 LSI 逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。29、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为 MCML，MCM C 和 MCMD 三大类。MCML 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCMC 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合 IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于 MCML。MCMD 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝 )或 Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
