1、第九章 可编程逻辑器件178第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件8-1ROM 由主要由哪几部分组成？8-2试比较 ROM、PROM 和 EPROM 及 E2PROM 有哪些异同？8-3PROM、EPROM 和 E2PROM 在使用上有哪些优缺点？8-4RAM 由主要由哪几部分组成？各有什么作用？8-5静态 RAM 和动态 RAM 有哪些区别？8-6RAM 和 ROM 有什么区别，它们各适用于什么场合？8-7试用 ROM 实现下列组合逻辑函数。8-8 比较 GAL 和 PAL 器件在电路结构形式上有什么不同？8-9 试分析由 PAL 编程的组合逻辑电路如图题 8-9 所示，写出 Y1、Y 2、Y
2、 3与A、B、C、D 的逻辑关系表达式。图题 8-98-10 试分析由 PAL 编程的时序逻辑电路电路如图题 8-10 所示，写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11 可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？第九章 可编程逻辑器件1798-12 在下列应用场合，选用哪类 PLD 最为适合。（1）小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。（2）产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。（3）要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。图题 8-108-13 选择题1一个容量为 1K8 的存储器有 个存储单元。A.8 B.8K C.8000 D.81922 要 构 成
3、 容 量 为 4K8 的 RAM，需要 片容量为 2564 的 RAM。A.2 B.4 C.8 D.323 寻 址 容 量 为 16K8 的 RAM 需要 根地址线。A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K4 若 RAM 的 地 址 码 有 8 位 ， 行 、 列 地 址 译 码 器 的 输 入 端 都 为 4 个 ，则 它 们 的 输 出 线 （ 即 字 线 加 位 线 ） 共 有 条 。A.8 B.16 C.32 D.2565 某 存 储 器 具 有 8 根 地 址 线 和 8 根 双 向 数 据 线 ， 则 该 存 储 器 的 容 量 为 。第九章 可编程逻辑器件180A.83 B
4、.8K8 C.2568 D. 2562566.采 用 对 称 双 地 址 结 构 寻 址 的 10241 的存储矩阵有 。A.10 行 10 列 B.5 行 5 列 C.32 行 32 列 D.1024 行 1024 列7 随 机 存 取 存 储 器 具 有 功 能 。A.读 /写 B.无 读 /写 C.只 读 D.只 写8 欲 将 容 量 为 1281 的 RAM 扩 展 为 10248， 则 需 要 控 制 各 片 选 端 的辅 助 译 码 器 的 输 出 端 数 为 。A.1 B.2 C.3 D.89 欲 将 容 量 为 2561 的 RAM 扩 展 为 10248， 则 需 要 控 制
5、 各 片 选 端 的辅 助 译 码 器 的 输 入 端 数 为 。A.4 B.2 C.3 D.810 只 读 存 储 器 ROM 在 运 行 时 具 有 功 能 。A.读 /无 写 B.无 读 /写 C.读 /写 D.无 读 /无 写11 只 读 存 储 器 ROM 中 的 内 容 ， 当 电 源 断 掉 后 又 接 通 ， 存 储 器 中 的 内 容 。A.全 部 改 变 B.全 部 为 0 C.不 可 预 料 D.保 持 不 变12 随 机 存 取 存 储 器 RAM 中 的 内 容 ， 当 电 源 断 掉 后 又 接 通 ， 存 储 器 中 的 内容 。A.全 部 改 变 B.全 部 为
6、 1 C.不 确 定 D.保 持 不 变13 一 个 容 量 为 5121 的静态 RAM 具有 。A.地 址 线 9 根 ， 数 据 线 1 根 B.地 址 线 1 根 ， 数 据 线 9 根C.地 址 线 512 根 ， 数 据 线 9 根 D.地 址 线 9 根 ， 数 据 线 512根14 用 若 干 RAM 实 现 位 扩 展 时 ， 其 方 法 是 将 相 应 地 并 联 在 一 起 。A.地 址 线 B.数 据 线 C.片 选 信 号 线 D.读 /写 线15 PROM 的 与 陈 列 （ 地 址 译 码 器 ） 是 。A.全 译 码 可 编 程 阵 列 B. 全 译 码 不 可 编 程 阵 列 C.非 全 译 码 可 编 程 阵 列 D.非 全 译 码 不 可 编 程 阵 列
