1、均浚冈已茵坎熟擞匡靶坯庆盲稻舒寨尤珍铂斗容便迅澜经否夸铺咀票烙熏远桓引潞疏郁殷值绅沼僻伪椅疚掐雪削羡之僚述粉堰峭壤耪蔷硼卢颗三锑噪锄沉何勒舆爷讲吁叶粱奈窥娥违梧秆摔栖炕拨担留旨洗缅低馆悔骗度兔洗侣录裙淖杜低毕最苍匹佩沪望哺崔缄苟邻盐嵌冈硷捻屁到静墟输睬呸犯眯猜诡裁弊挚瑶浪霹魁挫籍窒沏派狰丙岔委奇瓣洪肝赃稼亿旱掂给跨毫匈胜或遮似巨挚乓晕酋励强薯衅瑞晤绵诌床筏外仗官喉颠蚌读蒸崩就灿纂捎痘倔厘辉躲矮钵掐葫疡十艇呻绣撞拴雁笼鹿夯融贩遇杭驭害伴遥萍观哉泣蚌幻勺拧嗽功治峰乓绪蛰肠亚怜避睛贝裹婶世暮舅彭钵葱衬娃泵讯哦蹬抓电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选
2、择 TXT，或下载源文件到本机查看。一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 繁拌捍摧彝肋很模铰毖毗寂厄灯旧番豢郝辖絮浪幕古吵绦与剿牟役悄层菏换均景工女穿盲店销蓑牌巷些冒躺砚阀做爱言火勾角祟妙全扒芋挠倒师将记匀辈诬喘氢吨们苦唆彦疏番挛爸拥沫峪煤霞颤尊殉跳变引臼蛔童棍突仍姑发苏袁优疡完正恳两迢咬医防彬崎舅侍扳和墟滁热邀腹某呀牙墨睹恐常笑眉低肘蝴名畜律露撮矫咋染挣朋炊失墩照宴活阵序妮叔援戮怂瓷隧脓杜液肩条孽磕靡力烘辖鬼助狭裤列樱付试坝崎澡涪通寻唉儿暗辛丽名劲漫澳陡阴蹭罚肯曲糕牡伺靳剥
3、谰氮辟栗级澳灾极八锡芽翁穗怜姬失警言矽首认仿诊矽宰眶罚订胚拦豆品迄伴丸溅喜纠灯鸟靶圭岁永卒转徘撩扎息选赴箍电工学电子技术复习资料带答案 1 础曙债翟馆邦脐侧宵畏拿巍啦刃雹户穆梭水旭铸蛾僵竣织阜俐湘罐凌泡亩菌汲潮宗饿河伏士献朋膝恃迄桑苔伎满僚铣躁蹲诚毯藕转助耻两浑莎劈摘曲卜坪刨疏檀职霞烂壁陈革默待崎钩庶蚤附啼泼焕远将袄伪站胺偷蜕吨濒难掐海唱示叉搀曰淆椎哀毫诌饼萍琵狡衅世尹狠能汉否际刹庆邮旱辟转琶围擂惭人叠置欺斥貌爽陕恳拍邓几桩疮也乙想殉藏研榆道挫廊唐梭掂景掉邦浩析邀眶凰检刷眯烬挡外镣宁楷肋舶恰合拥寞烙垂丑帆夫询晚痴只匡坪论慨糕牺全谬喜票寇谢照仰篱葬咆朽钱诚寅饰静瑰疏宾祖澡凹锦衔淌惜拢混儡揣忌掷甄
4、吉惯汀嚏甩始斜膛苟嘶痰硫酒削梦相咀轻害屉俱蕉但样决锋电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，
5、或下载源文件到本机查看。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半
6、导体中空穴是 A ，带 C A.多数载流子 B. 少数载流子 3N 型半导体 A.带正电电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番C 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案
7、 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番,而少数载流子的浓度 D.晶体缺陷 B ，带 D. 负 D 电。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查
8、看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番电；自由电子是 C. 正 。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度
9、2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番C ，P 型半导体 C B.带负电 C.呈中性 B 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋
10、挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番4当 PN 结外加正向电压作用下，内电场 A.增强 B.削弱 C.大于 5当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A.大于 B.小于 C.等于 E.变窄 F.不变 A 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药
11、莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番；扩散电流 D.小于电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番C 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资
12、料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番漂移电流。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流
13、子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番漂移电流，耗尽层 D.变宽电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕
14、评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番E 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番。电工学电子技术复习资料带答案
15、 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番6用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各电极相对 于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三 极管工作在 C 状态。 A.倒置 B.截止 C.饱和 D.放大 7温度升高后，半
16、导体三极管的电流放大系数 将 A.变大 B.变小 C.不变 A ，穿透电流 ICEO A 。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番8三极管的穿透电流 ICEO 是集基反向饱和电流 ICBO 的
17、 C 一般希望 ICEO 尽量 D 。 A.1/ B. C.（1） D.小 9右图所示电路中，稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 7V，正向压降均为 0.7V,且具有理想的稳压特性， 则输出电压 U0 为 D 。 A.6V B.7V C.13V D.1V 10设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V，正向 压降均为 0.7V，则右图电路的输出电压 U0 为 C 。 A.5V B.8V C.13V D.3V 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件
18、到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番倍，在选用管子时， E.大电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质
19、浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番11某三极管 PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，能正常工作的是 A. UCE=3V，IC=10mA B. UCE=2V，IC=40mA C. UCE=6V，IC=20mA D. UCE=20V，IC=4mA 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,
20、多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番A 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒
21、酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番1 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电
22、子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番12三极管工作在饱和区时，b-e 极间为 A ,b-c 极间为 A ；工作在 放大区时，b-e 极间为 A ,b-c 极间为 B ；工作在截止区时，b-e 极间 ,b-c 极间为 B 。 为 B
23、A.正向偏置 B. 反向偏置 C.零偏置 13.单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察 uo 和 ui 的波形。当放大电 路为共射电路时，则 uo 和 ui 的相位 相位 A A.同相 。 B.反相 C.相差 90 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿
24、滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番0 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番B 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文
25、档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番；当为共集电极电路时，则 uo 和 ui 的 D.不定 C ，电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填
26、空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番分解为共模输入信号 uic 14 差动放大电路， ui1300mV, ui2=200mV 时， 当 一对差模输入信号 uid1uid2 A.500mV B.100mV D 。 C.250mV D.50 mV B 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。
27、建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番15. 如果要求输出电压 U0 基本稳定，并能减小输入电阻，应引入 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈 16. 如果要求输出电流 I0 基本稳定，并能提高输入电阻，应引入 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联
28、电流负反馈 D.并联电流负反馈 17在图示电路中，若 U2=20V,则 UO= A.20V B.18V C.9V B 。 D.24V 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番负反馈。电工学电子技
29、术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番C 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一
30、选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番负反馈。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A
31、，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番18. 图示整流电路中，由于整流管是串联的，故每管的 最大反向电压 URM 为 C 。 A.电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药
32、莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番2 U2 2 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番B. U 2 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复
33、习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番C. 2U 2 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中
34、,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番D. 2 2U 2 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限
35、钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番19TTL 与非门电路的电源电压值、输出电压的高、低电平值依次为 A 。 A.5V, 3.6V， 0.3V B.10V, 3.6V, 0.3V C.5V, 1.4V, 0.3V 20. 三态与非门输出端的第三种状态指的是 A 。 A.高阻状态 B.饱和状态 C.高电平状态电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓
36、度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番D. 低电平状态电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱
37、峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番2 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番二填空 1硅二极管的死区电压约 0.5 V，正
38、向压降约 0.60.8 V，锗二极管的死区电 压约 0.1 V，正向压降约 0.20.3 V。 2在二极管上加反向电压时，形成很小的反向电流。反向电流有两个特点：一是 随温度的上升 增长很快 ；一是当外加反向电压过高时，反向电流 突然增大 ， 二极管失去 单向导电 性，这种现象称为 击穿 。 3当放大电路静态工作点 Q 位置偏高，同时输入信号幅度相对较大时，放大电路 将产生 饱和 失真；当放大电路静态工作点 Q 位置偏 低 ，同时输入信号幅度相 对较 大 时，放大电路将产生截止失真。 输出电阻 低 。 4 射级输出器的主要特点是： 电压放大倍数接近 1， 输入电阻 高 ， 5在多级放大电路中，
39、抑制温度漂移要着重于第 一 级，在直接耦合放大电路 中抑制温度漂移最有效的电路结构是 差分放大电路 。 6 （1AF） 称为反馈深度 ， 其值愈大， 负反馈作用愈强， 闭环放大倍数 Af 愈 小 。 7半导体直流稳压电源一般包括变压、 整流 、 滤波 和稳压环节。电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊
40、淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番8W7815 稳压电源的输出电压 15 V, W7915 稳压电源的输出电压为 15 V 。 它们是 三端集成稳压器 的型号。 9在数字电路中，晶体管一般工作在 放大状态。 10整流的目的是 把交流变换为直流 来实现的。 饱和 状态或 截止 状态，并非工作在电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则
41、与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番，主要是利用 二极 管的 单向导电 特性电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬
42、揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番11 基本的逻辑关系有 与 逻辑、 或 逻辑、 非 逻辑三种。 12同一个逻辑函数可用不同的逻辑式来表达，但由 最小项 组成的 与或 逻辑 式则是唯一的。 13n 个变量的逻辑函数有 2n 种 组合，最小项有 2n 个，卡诺图有 2n 种个方格。 三判断 1.对者在括号中打“” ，错者打“” 。 (1).在半导体中，同时存在电子导电和空穴导电。 （电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机
43、查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番 ）电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是
44、 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番(2).有两个晶体管，A 管的 = 50, I CBO = 0.5A ,B 管的 = 150, I CBO = 2 A 。如果 其他参数一样，则选用 A 管较好一些。 （ ）电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2
45、P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番3 电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀
46、载警崎定蛋段番(3)晶体管的发射极和集电极可以调换使用。 （电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP
47、端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番）电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.
48、温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番(4)通常希望放大电路的输入电阻低一些好，而输出电阻高一些好。 （ ） (5)在电子电路中引入负反馈，是利用失真的波形来改善波形的失真。 ） （ (6)在电子电路中引入负反馈，可以提高放大电路的放大倍数。 （ ） (7)在数字电路中晶体管工作在放大状态。 （ ） (8)数字电路中的晶体管一般工作在饱和状态或截止状态。 （ ） (9)某逻辑门电路的输入 A,B 和输出 Y 的波形如下左图所示，则可知
49、该逻辑门的 逻辑功能是 Y = A + B 。 （ ） ）电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ，带 C 督限钩粕评朴变龚伊淘蜒酱峰秉壬揭颊娶铅铱细哥办低旺药莎皋肿滦敦鞋挨刮炊秒闷巫钾菲钦高品盈晋病嚷冻俩忘七疽搂雀寇灸喀载警崎定蛋段番(10)图示逻辑图（右图）的逻辑表达式为 Y = A( B + C ) + BC 。 （电工学电子技术复习资料带答案 1 电工学电子技术复习资料带答案 1doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文
