1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子 3. Acid：酸 4. Active device：有源器件，如 MOS FET（非线性，可以对信号放大） 5. Align mark(key)：对位标记 6. Alloy：合金 7. Aluminum：铝 8. Ammonia：氨水 9. Ammonium fluoride：NH4F 10. Ammonium hydroxide：NH4OH 11. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） 1
2、2. Analog：模拟的 13. Angstrom： A（1E-10m）埃 14. Anisotropic：各向异性（如 POLY ETCH） 15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以 95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于 METAL 等层的光刻） 17. Argon(Ar)氩 18. Arsenic(As)砷 19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 20. Arsine(AsH3) 21. A
3、sher：去胶机 22. Aspect ration：形貌比（ETCH 中的深度、宽度比） 23. Autodoping：自搀杂（外延时 SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 24. Back end：后段（ CONTACT 以后、PCM 测试前） 25. Baseline：标准流程 26. Benchmark：基准 27. Bipolar：双极 28. Boat：扩散用（石英）舟 29. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如 POLY CD 为多晶条宽。 30. Character window：特征窗口。用文字或
4、数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 31. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 32. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 33. Chip：碎片或芯片。 34. CIM：computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 35. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 36. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁
5、净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 37. Compensation doping：补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。 38. CMOS：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 39. Computer-aided design（CAD ）：计算机辅助设计。 40. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子，在P 型材料中多数载流子是空穴。 41. Contact：孔。在工艺中通常指孔 1，
6、即连接铝和硅的孔。 42. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 43. Correlation：相关性。 44. Cp：工艺能力，详见 process capability。 45. Cpk：工艺能力指数，详见 process capability index。 46. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。 47. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。 48. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 49.
7、 Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。 （耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。 ） 50. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 51. Depletion width：耗尽宽度。53 中提到的耗尽层这个区域的宽度。 52. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。 53. Depth of focus（DOF）：焦深。 54. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验
8、错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 55. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程） 56. developer：）显影设备； ）显影液 57. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 58. dielectric：）介质，一种绝缘材料； ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。 59. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。 60. drive-in：推阱，指运用
9、高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 61. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 62. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 63. EM：electromigration ，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 64. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。 65. equipment downtime：设备状态
10、异常以及不能完成预定功能的时间。 66. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。 67. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 68. fab：常指半导体生产的制造工厂。 69. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 70. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。 71. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。 72. flat：平边 73. flow velocity：流速计 74. flow v
11、olume：流量计 75. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 76. forbidden energy gap：禁带 77. four-point probe：四点探针台 78. functional area：功能区 79. gate oxide：栅氧 80. glass transition temperature：玻璃态转换温度 81. gowning：净化服 82. gray area：灰区 83. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪 84. hard bake：后烘 85. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外
12、延方法 86. high-current implanter：束电流大于 3ma 的注入方式，用于批量生产 87. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉 99.97%的大于 0.3um 的颗粒 88. host：主机 89. hot carriers：热载流子 90. hydrophilic：亲水性 91. hydrophobic：疏水性 92. impurity：杂质 93. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体 94. inert gas：惰性气体 95. initial o
13、xide：一氧 96. insulator：绝缘 97. isolated line：隔离线 98. implant : 注入 99. impurity n : 掺杂 100.junction : 结 101. junction spiking n :铝穿刺 102.kerf :划片槽 103.landing pad n :PAD 104.lithography n 制版 105.maintainability, equipment : 设备产能 106.maintenance n :保养 107.majority carrier n :多数载流子 108.masks, device seri
14、es of n : 一成套光刻版 109.material n :原料 110. matrix n 1 :矩阵 111. mean n : 平均值 112. measured leak rate n :测得漏率 113. median n :中间值 114. memory n : 记忆体 115. metal n :金属 116. nanometer (nm) n ：纳米 117. nanosecond (ns) n ：纳秒 118. nitride etch n ：氮化物刻蚀 119. nitrogen (N2 ) n： 氮气，一种双原子气体 120.n-type adj ：n 型 121.
15、 ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻 122.orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向 123.overlap n ： 交迭区 124.oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 125.phosphorus (P) n ：磷 ，一种有毒的非金属元素 126.photomask n ：光刻版，用于光刻的版 127.photomask, negative n：反刻 128.images：去掉图形区域的版 129.photomask, positive n：正刻 130.pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 13
16、1. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体 132.plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺 133.plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS 淀积，淀积 TEOS 的一种工艺 134.pn junction n：pn 结 135.pocked bead n：麻点，在 20X 下观察到的吸附在低压表面的水珠 136.polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语 137.polycide n
17、：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构 138.polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（5E19）的硅，能导电。 139.polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象 140.prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。 141. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。 142.proximity X-ray n :近 X 射线：一种光刻技术，用 X 射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光
18、刻胶暴光。 143.pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。 144.quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。 145.quartz carrier n :石英舟。 146.random access memory (RAM) n :随机存储器。 147.random logic device n :随机逻辑器件。 148.rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP) 。 149.reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。 150.reactor
19、n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。 151. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。 152.resist n :光刻胶。 153.scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。 154.scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。 155.Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。 156.scribe line n :划片槽。 157.sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。 158.semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝
20、缘体之间的元素。 159.sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。 160.side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。 161. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片 162.small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由 2 到 10 个图案的布局。 174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。 175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离
21、子轰击产生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的 2 次空间错误。 177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。 178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。 179. stepper: 步进光刻机（按 BLOCK 来曝光） 180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。 181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下
22、） 。 182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。 183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子） 。 184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。 185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。 186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。 187. thermal deposition:热沉积，在超过 950 度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。 188. thin film:超薄薄膜，堆积
23、在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 钛。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。 192. tungsten(W): 钨。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在 CVD 中WF6 用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。 194. tinning: 金属性表面
24、覆盖焊点的薄层。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf) 、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit) 。 196. watt(W): 瓦。能量单位。 197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。 20
25、1. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。 202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。 203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。 204. torr : 托。压力的单位。 205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 过渡金属 4. ADI After develop inspection 显影后检视 5. AEI 蚀科后检
26、查 6. Alignment 排成一直线，对平 7. Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 8. ARC： anti-reflect coating 防反射层 9. ASHER: 一种干法刻蚀方式 10. ASI 光阻去除后检查 11. Backside 晶片背面 12. Backside Etch 背面蚀刻 13. Beam-Current 电子束电流 14. BPSG: 含有硼磷的硅玻璃 15. Break 中断，stepper 机台内中途停止键 16. Cassette 装晶片的晶舟 17. CD： critical dimension 关键性尺寸 18. Chambe
27、r 反应室 19. Chart 图表 20. Child lot 子批 21. Chip (die) 晶粒 22. CMP 化学机械研磨 23. Coater 光阻覆盖（机台） 24. Coating 涂布，光阻覆盖 25. Contact Hole 接触窗 26. Control Wafer 控片 27. Critical layer 重要层 28. CVD 化学气相淀积 29. Cycle time 生产周期 30. Defect 缺陷 31. DEP: deposit 淀积 32. Descum 预处理 33. Developer 显影液；显影（机台） 34. Development 显
28、影 35. DG: dual gate 双门 36. DI water 去离子水 37. Diffusion 扩散 38. Doping 掺杂 39. Dose 剂量 40. Downgrade 降级 41. DRC: design rule check 设计规则检查 42. Dry Clean 干洗 43. Due date 交期 44. Dummy wafer 挡片 45. E/R: etch rate 蚀刻速率 46. EE 设备工程师 47. End Point 蚀刻终点 48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离
29、子损伤 49. ET: etch 蚀刻 50. Exhaust 排气（将管路中的空气排除） 51. Exposure 曝光 52. FAB 工厂 53. FIB: focused ion beam 聚焦离子束 54. Field Oxide 场氧化层 55. Flatness 平坦度 56. Focus 焦距 57. Foundry 代工 58. FSG: 含有氟的硅玻璃 59. Furnace 炉管 60. GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性 61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力
30、的化合物，称 H.M.D.S 62. HCI: hot carrier injection 热载流子注入 63. HDP：high density plasma 高密度等离子体 64. High-Voltage 高压 65. Hot bake 烘烤 66. ID 辨认，鉴定 67. Implant 植入 68. Layer 层次 69. LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 70. Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 72. Loop 巡路 73. Lot 批 7
31、4. Mask (reticle) 光罩 75. Merge 合并 76. Metal Via 金属接触窗 77. MFG 制造部 78. Mid-Current 中电流 79. Module 部门 80. NIT: Si3N4 氮化硅 81. Non-critical 非重要 82. NP: n-doped plus(N+) N 型重掺杂 83. NW: n-doped well N 阱 84. OD: oxide definition 定义氧化层 85. OM: optic microscope 光学显微镜 86. OOC 超出控制界线 87. OOS 超出规格界线 88. Over Et
32、ch 过蚀刻 89. Over flow 溢出 90. Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 91. OX: SiO2 二氧化硅 92. P.R. Photo resisit 光阻 93. P1: poly 多晶硅 94. PA; passivation 钝化层 95. Parent lot 母批 96. Particle 含尘量/ 微尘粒子 97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强 98. PH: photo 黄光或微影 99. Pilot 实验的 100. Plasma 电浆 101. Pod
33、装晶舟与晶片的盒子 102. Polymer 聚合物 103. POR Process of record 104. PP: p-doped plus(P+) P 型重掺杂 105. PR: photo resist 光阻 106. PVD 物理气相淀积 107. PW: p-doped well P 阱 108. Queue time 等待时间 109. R/C: runcard 运作卡 110. Recipe 程式 111. Release 放行 112. Resistance 电阻 113. Reticle 光罩 114. RF 射频 115. RM: remove. 消除 116. R
34、otation 旋转 117. RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火 118. RTP: rapid thermal process 迅速热处理 119. SA: salicide 硅化金属 120. SAB: salicide block 硅化金属阻止区 121. SAC: sacrifice layer 牺牲层 122. Scratch 刮伤 123. Selectivity 选择比 124. SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 125. Slot 槽位 126. Source-Head 离子源 127. SPC 制
35、程统计管制 128. Spin 旋转 129. Spin Dry 旋干 130. Sputter 溅射 131. SRO: Si rich oxide 富氧硅 132. Stocker 仓储 133. Stress 内应力 134. STRIP: 一种湿法刻蚀方式 135. TEOS (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作 LPCVD /PECVD 生长 SiO2 的原料。又指用TEOS 生长得到的 SiO2 层。 136. Ti 钛 137. TiN 氮化钛 138. TM: top metal 顶层金属层 139. TOR Tool of record 140
36、. Under Etch 蚀刻不足 141. USG: undoped 硅玻璃 142. W (Tungsten) 钨 143. WEE 周边曝光 144. mainframe 主机 145. cassette 晶片盒 146. amplifier 放大器 147. enclosure 外壳 148. wrench 扳手 149. swagelok 接头锁紧螺母 150. clamp 夹子 151. actuator 激励 152. STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层 153. SAB 硅铝块 154. UBM 球下金属层镀模工艺 155. RDL 金属连
37、线重排工艺 156. RIE reactinv ion etch 反应离子 etch 157. ICP inductive couple plasma 感应等离子体 158. TFT thin film transistor 薄模晶体管 159. ALD atomic layer deposition 原子层淀积 160. BGA ball grid array 高脚封装 161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱 162. AFM atomic force microscopy 原子力显微 163. ASIC 特定用途集成电路 164. A
38、TE 自动检测设备 165. SIP self-ionized plasma 自电离电浆 166. IGBT 绝缘门双极晶体管 167. PMD premetal dielectric 电容 168. TCU temperature control unit 温度控制设备 169. arc chamber 起弧室 vaporizer 蒸发器 filament 灯丝 repeller 反射板 ELS extended life source 高寿命离子源 analyzer magnet 磁分析器 post accel 后加速器 quad rupole lens 磁聚焦透镜 disk/flag f
39、araday 束流测量器 e-shower 中性化电子子发生器 extrantion electrode 高压吸极 disk 靶盘 rotary drive 旋转运动 liner drive 直线往复运动 gyro drive 两方向偏转 flat aligener 平边检测器 loadlock valve 靶盘腔装片阀 reservoir 水槽 string filter 过滤器 DI filter 离子交换器 chiller 制冷机 heat exchange 热交换机Yield 良率 Parameter 参数 PAC 感光化合物 ASIC 特殊应用集成电路 Solvent 溶剂 Carbide 碳 Refractive 折射 Expansion 膨胀 Strip 湿式刻蚀法的一种 TM: top mental 顶层金属层 WEE 周边曝光 PSG 硼硅玻璃 MFG 制造部 Runcard 运作卡 POD 装晶舟和晶片的盒子 Scratch 刮伤 Reticle 光罩 Sputter 溅射 Spin 旋转 Merge 合并
