1、 mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流-持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压-源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电-静电击穿。CMOS电路都怕静电；Mos开关原理（简要）。Mos是电压驱动型器件，只
2、要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基 mos 能承受的 大导通电流（当 和 因 有关， 有关的是 阻）。内阻 小承受电流 大（因为发 小）。Mos 这 简 ， 在 的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内 都有 电 。 给栅极电压的过程就是给电 电的过程（电 电压不能 ）， mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电 的 电过程制 。而，这 个 电 是 成关， currency1“，不是的，fifl的就很简 。中一个关 电 就是栅极和漏级间的电 Cgd，这个电 为 电 。这个电 不是 的，栅极和漏级间电
3、压 而” 。这个 电 是栅极和源级电 电的，因为栅极给栅-源电 Cgs 电 到一个 ，栅极的 电电流给 电 Cgd 电，这栅极和源级间电压不高， 到一个 ，这个是 （ 就是给Cgd 电的过程）， 大 到的 就是 。（即，栅极 给Cgs 电，到 一 给Cgd 电）因为这个源级和漏级间电压” ，内 电 currency1应” 电，这些电流会导 mos 生电生很大 ，这 就有电 ，电 ，电阻成 电路（能形成2个 路）， 电流 高 大。 关 的 就是这个 fi 过渡。过的 电会导 的 ， 过 的 电 小 ， 会开关而 开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间 电阻currency1当于 大电阻到阻 很小的
4、导通内阻（导通内阻一 压mos只有几）的一个 过程。 fi一个mos 大电流100a，电 电压96v，在开通过程中，有 一瞬间（ ）mos发 是P=V*I( 电流 大， 载尚未跑起来， 有的 都降落在MOS管上)，P=96*100=9600w！这 发 大， 发 ”降直到完全导通 成100*100*0.003=30w（这 假设这个mos导通内阻3 ）。开关过程中这个发 是惊人的。fifl开通间 ，意味着发 9600w到30w过渡的 ，mos结温会高的厉害。 开关 ，结温高， 易烧mos。为 不烧mos，只能降mos限流或者降电 电压， fi给 限制50a或电压降一半成48v，这样开关发 损耗也降
5、 一半。不烧管子 。这也是高压控 易烧管子原因，高压控制器和压的只有开关损耗不一样（开关损耗和电 端电压基 成正 ，假设限流一样），导通损耗完全受mos内阻 ，和电 电压 任 关。实整个mos开通过程非常复杂。 量太多。总之就是开关 不 易 ， 开关损耗大，管子发 大，开关” 理论上开关损耗（只要能有 抑制 ）， 是往往 很厉害（fifl 很严重，可能在 就烧管子 ），反而开关损耗也大， 上臂mos 更有可能引起下臂mos误导通，形成上下臂短路。 这个很考验设计师的驱动电路布线和主 路布线技能。 终就是找个衡点（一 开通过程不超过1us）。开通损耗这个 简 ，只和导通电阻成正 ，大电流损耗找内
6、阻的。-下 介绍下对普通用户实用点的。Mos挑选的重要参数简要说明。 datasheet举例说明。栅极电荷。Qgs, QgdQgs:指的是栅极0v 电到对应电流 总 电荷（实际电流不同，这个 高 不同，电流大， 高，这个 大）。这个阶段是给Cgs 电（也currency1当于Ciss，输电 ）。Qgd:指的是整个 的总 电电荷（在这为 电荷）。这个过程给Cgd（Crss，这个电 着gd电压不同” ） 电。下 是型号stp75nf75.我普通75管Qgs是27nc，Qgd是47nc。结 的 电曲线。 前给Cgs 电，总电荷Qgs 27nc， 电荷Qgd 47nc。而在开关过中，mos主要发 区间
7、是粗红色标注的阶段。Vgs开始超过阈 电压，到 结束是主要发 区间。 中 结束mos基 完全打开这损耗是基 导通损耗（mos内阻 损耗 ）。阈 电压前，mos 有打开，几乎 损耗（只有漏电流引起的一点损耗）。 中又 红色拐弯地方损耗 大（Qgs 电将近结束，到 和 这个过程发 大（更粗线表示）。一 电电流下，红色标注区间总电荷小的管子会很 过，这样发 区间间就短，总发 量就。 理论上选择Qgs和Qgd小的mos管能” 过开关区。导通内阻。Rds（on）。这个耐压一 情况下是 好。不过不同厂标的内阻是有不同测试条件的。测试条件不同，内阻测量 会不一样。同一管子，温 高内阻 大（这是硅半导体材料在mos制造工艺的特性，改 不 ，能稍改善）。 大电流测试内阻会大（大电流下结温会显著高），小电流或电流测试，内阻降（因为结温 有大 高， 积累）。有的管子标典型内阻和你 用小电流测试几乎一样，而有的管子 小电流测试 标典型内阻很多（因为 的测试标 是大电流）。当 这 也有厂标注不严格 ，不要完全currency1 。选择标 是-找Qgs和Qgd小的mos管，同 内阻的mos管。
