1、无忧文档无忧文档可免积分在线阅读和下载文档包括资格考试、应用文书等大量word 文档免费下载微电子习题答案(第3单元)搜索文档 无忧文档 高等教育 高中教育 初中教育 小学教育 外语考试 资格考试 工作范文 求职职场 党团工作 表格模板 总结汇报 经管营销 教学研究您的位置： 无忧文档 所有分类高等教育工学微电子习题答案(第3单元)微电子习题答案(第3单元)上海 电 子信息 职业 技 术 学院微 电 子工 艺 复 习题 目第三单元习题1. 比较APCVD 、LPCVD和PECVD三种方法的主要异同？主要优缺点？答：从三种方法的工艺原理上看，APCVD 、LPCVD是热 激活并维持化学反应发生，
2、而PECVD是采用电能将反应气体等离子化从而热激活并维持化学反应发生的。APCVD工艺 温度一般控制在气相质量输运限制区，采用冷壁式反应器，在薄膜淀 积过程中应精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程。主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。LPCVD工艺温度一般控制在表面反应限制区， 对反 应剂浓度的均匀性要求不是非常严格，对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器，衬底垂直放置，装载量大，更适合大批量生产，气体用量少，功耗低，降低了生产成本。颗粒污染现象也好于APCVD。PECVD工艺是典型的表面反应速率控制淀积方法，需要精确控制衬底温度。最大特点是工艺温度较低，所淀积薄膜的台阶覆盖性、附着性也好
3、于APCVD 和PECVD。但薄膜一般含有氢等气体副产物，质地较疏松，密度低。2. 有一特定LPCVD工艺，在 700下受表面反应速率限制，激活能为2eV，在此温度下淀积速率为100nm/min。试问800时的淀积速率是多少 ?如果实测800的淀积速率值远低于所预期的计算值，可以得出什么结论？可以用什么方法证明？已知，薄膜淀积速率由表面反应控制时，有： G 1/k=5040K/eV ksCsksCTY E/kT，ks k0ea, NNG1e Ea/kT1 Ea/kT2 eEa(kT2 kT1)，Ea2eV, 1/kT1=5.18 eV-1, 1/kT2=4.70 eV-1 由此可得：G2e得8
4、00时的淀 积速率是: G2 100 e2(5.18 4.70) 262（nm/min）如果实测值远低于所预期的计算值，表明该工艺在此温度范围不是受表面反应速率限制，而是气相质量输运速率限制，或在700800 范围内出现淀积速率由表面反应速率限制向气相质量输运速率限制的转变。而在气相质量输运速率限制温区，温度升高淀积速率只有小幅增加。可通过实测淀积速率反推温度，在所得温度之上进行LPCVD淀积，再测淀积速率，如果和800时的淀积速率接近，就表明上述分析是正确的。3. 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD 氮化硅薄膜在 KOH水溶液中的
5、腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？答：PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松，抗KOH水溶液中的腐 蚀性能差。可通 过高温退火，使H 逸出，薄膜致密化，从而提高抗腐蚀性，就能作为KOH 各向异性腐蚀的掩蔽膜。退火温度约800，20min ，即 LPCVD氮化硅工艺温度。如效果不理想，可升温延长时间。4. 标准的卧式LPCVD的反应器是热壁式的炉管， 衬底硅片被 竖立装在炉管的石英舟上，反应气体从炉管前端进入后端抽出，从炉管前端到后端各硅片淀积薄膜的生长速率会降低，那么每个硅片边缘到中心淀积薄膜的生长速率将怎样? 如何改善硅片之间和硅片第1页 下一页W
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