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模拟电子技术(模电)模拟试题.doc

上传人:tkhy51908 文档编号:4589247 上传时间:2019-01-03 格式:DOC 页数:73 大小:1.25MB
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1、模拟电路复习预习方法:1、 掌握基本理论:二极管、三极管的特点和用途,反馈的定义、分类、判断,功率放大的原理与分类,滤波器的基本原理,波形发生器的原理与能否起震的判断,直流电源的基本原理及构成。2、 掌握的计算:三极管放大电路的静态、动态分析,集成远放的相关计算,振荡电路频率计算,直流电源的简单计算。3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。习题一、半导体二极管及其应用1本征半导体中的自由电子浓度_空穴浓度 a 大于 b 小于 c 等于 答案:C2.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于_a 温度 b 材料 c 掺杂工艺 d 掺杂浓度 答案:B3.在掺杂半导体中,少子的浓度受_的影

2、响很大 a 温度 b 掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案:C4.在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度越_a 高 b 低 c 不变 答案:B5.N 型半导体_a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案:C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将_a 增大 b 减小 c 不变 答案:C7. 当 PN 结正向偏置时,耗尽层将_a 不变 b 变宽小于 c 变窄 答案:C8.当环境温度升高时,二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变 答案:b9.当环境温度升高时,二极管的死区电压将_a 升高 b 降低 c 不变 答案:b10.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将_a 增大 b 减小 c 不变 答案

3、:a11.二极管的正向电压降一般具有_温度系数 a 正 b 负 c 零 答案:b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是_和_a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案:c13.理想二极管的主要性能指标为 _a UD=0,IR=0, b UD =0.3V ,IR=0 c UD =0.5V ,IR =IS答案:a13.稳压管通常工作于_,来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区 答案:c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 _a 升高 b 降低 c 不变 答案:c13.二极管的反偏电压升高,其结电容 _a 增大 b 减小 c 不

4、变 答案:b17.二极管正向偏置时,其结电容主要是 _a 势垒电容 b 扩散电容 c 无法判断 答案:b18.锗二极管的死区电压约为 _答案:aa 0.1V b 0.2V c 0.3V 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 _a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案:c20.由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 _a 大 b 小 c 不变 答案:b22.已知二极管的静态工作点 UD 和 ID ,则二极管的静态电阻为 _a UD/ID b UT /ID c UD/IS答案:a24. 一个硅二极管在正向电压 UD=0.6V 时,正向电流 ID=10mA。若 UD 增大

5、到 0.66V ,则电流 ID 约 为 _a 11mA b 20mA c 100mA 答案:c26. 在上题图示电路中,若 E=8V ,当温度为 10 时测得二极管的管压降为 UD =0.7V, 当温度上升到 40 时,则 UD 大小为 _a =0.7V b 0.7V答案: 27.在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体,加入 元素可形成 P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 答案:A ,C 28.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 答案:A29.在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。( )答案: 3

6、0.因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) 答案: 31.PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) 答案: 32.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 答案:A33.设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. 答案:C 34.稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C 图 P1.1135.电路如图 P1.11(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压 UZ3V, R 的取值合适, uI 的波形如图(c)所示。试分别画出 uO1 和 uO2 的波形。 解:波形

7、如解图 P1.11 所示 解图 P1.1136.在以下四种整流或滤波电路中,负载时输出电压最低的是( ),二极管承受冲击电流最高的是( ),承受反向电压最高的是( );输出电压脉动最小的是( )。 A. 单相半波整流电路; B. 单相桥式整流电路; C. 单相半波整流、电容滤波电路; D. 单相桥式整流、电容滤波电路 答案:acad37.纯净的半导体叫 半导体。掺入 3 价杂质元素形成的半导体叫 型 半导体,它主要靠 导电。 答案:本征,P(空穴),空穴 38.PN 结正向偏置是指 P 区接电源的 极、N 区接电源的 极。这时多子的 运动较强,PN 结厚度变 ,结电阻较 。 答案:正,负,扩散

8、,薄,小 39.设二极管 D1、D2 为理想二极管,判断它们在图 1 中是导通还是截止? 输出电压 Uo = .图 1答案:D1 导通,D2 截止,UO = 0 V40.在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体,加入 元素可形成 P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 答案:A ,C41.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 答案:A 42.稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C43.分析图所示电路的工作情况,图中 I 为电流源,I=2mA。设 20时二极管的正向电压降UD=660mV,求在 5

9、0时二极管的正向电压降。该电路有何用途?电路中为什么要使用电流源? 【解题过程】该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。其温度系数2mV/。20时二极管的正向电压降UD=660mV50时二极管的正向电压降UD=660 (230)=600 mV因为二极管的正向电压降 UD 是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的 正向电压降 UD 仅仅是温度一个变量的函数。 44.电路如图(a)所示,已知 ,二极管导通电压 。试画出 uI 与uO 的波形,并标出幅值。 图(a)【解题过程】由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示,即开启电压 Uon 和导通电压均为0.7V。 由于二

10、极管 D1 的阴极电位为3V,而输入动态电压 uI 作用于 D1 的阳极,故只有当 uI 高于3.7V 时 D1 才导通,且一旦 D1 导通,其阳极电位为 3.7V,输出电压 uO=3.7V。由于 D2的阳极电位为3V, 而 uI 作用于二极管 D2 的阴极,故只有当 uI 低于3.7V 时 D2 才导通,且一旦 D2导通,其阴极电位即为 3.7V,输出电压 uO=3.7V。当 uI 在3.7V 到3.7V 之间时,两只管子均截止,故 uO=uI。 uI 和 uO 的波形如图(b)所示。 图(b) 45.某二极管的反向饱和电流 ,如果将一只 1.5V 的干电池接在二极管两端,试计算流过二极管的

11、电流有多大? 【解题过程】 如果将干电池的正、负极分别与二极管的阴极、阳极相接,二极管反向偏置,此时流过二极管的电 流等于 。反之,流过二极管的电流等于: 此时二极管的等效直流电阻为: 实际上电池的内阻、接线电阻和二极管的体电阻之和远远大于 RD,流过二极管的电流远远小于计算 值。电路中的电流值不仅仅是由二极管的伏安特性所决定,还与电路中的接线电阻、电池的内阻和 二极管的体电阻有关。通常这些电阻都非常小,足以使二极管和干电池损坏。因此,实际应用时电路中必须串接适当的限流电阻,以防损坏电路元器件。 46.电路如图(a)所示,二极管的伏安特性如图(b)所示,常温下 UT26mV,电容 C 对交流信

12、号可视为短路;ui 为正弦波,有效值为 10 mV。试问: (1)二极管在 ui 为零时的电流和电压各为多少 (2)二极管中流过的交流电流有效值为多少? 【解题过程】 (1)利用图解法可以方便地求出二极管的 Q 点。在动态信号为零时,二极管导通,电阻 R中电流与二 极管电流相等。因此,二极管的端电压可写成为 uD=V iDR 在二极管的伏安特性坐标系中作直线(uD=V iDR),与伏安特性曲线的交点就是 Q 点,如(b)所示 。读出 Q 点的坐标值,即为二极管的直流电流和电压,约为 UD0.7 V,ID26 mA (2)Q 点下小信号情况下的动态电阻为 rdUT/ ID = (26/2.6)=

13、10 根据已知条件,二极管上的交流电压有效值为 10 mV,故流过的交流电流有效值为ID = Ui/ rd =(10/10) mA=1 mA 图(c) 47.电路如图(a)所示。设输入信号 , ,二极管导通压降可以忽略不计,试分别画出输出电压 的波形。图 (a)【解题过程】在图(a)所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压等于 。所以当 时,二极管截止,当 时,二极管导通,由此画出输出电压 的波形如图(b)所示。 图 (b)48.在图示电路中,设二极管正向导通时的压降为 0.7V,试估算 a 点的电位。【解题过程】 首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还

14、是反向电压。 若是反向电压,则说明二极管处于截止状态;若是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压, 则说明二极管仍然处于截止状态;只有当正向电压大于死区电压时,二极管才能导通。 在图示电路中,当二极管开路时,二极管两端的正向电压 ,二极管反向偏置,处于 截止状态,故 。 49. 电路如图(a)所示。设电路中的二极管为硅管,输入信号 ,电容器 C 对交流信号的容抗可以忽略不计,试计算输出电压 的交流分量。图 (a) 【解题过程】 因为二极管电路中同时存在较大的直流电源和微变的交流信号,应首先假设交流信号为零 ( ),对电路进行直流分析。 在图(a)电路中,当令 、电容器 C 开路时,采用二极管

15、的恒压模型计算出流过二极管的 直流电流 由此可估算出二极管的动态电阻 。 然后利用二极管的微变等效模型分析计算其交流分量。在进行交流分析时,令直流电源 和 电容器 C 短路,二极管 D 用交流等效电阻 rd 代替。此时,图(a)电路的交流等效电路如图(b)所示。 图 (b) 由图(b)可得输出电压交流分量为 。 50. 设本题图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止,并求出 A、B 两点之间的电压AB 值。 【解题过程】在图电路中,当二极管开路时,由图可知二极管 D1、D2 两端的正向电压分别为 10V 和25V。二极管 D2 两 端的正向电压高于 D1 两端的

16、正向电压,二极管 D2 优先导通。当二极管 D2 导通后,UAB=15V,二极管 D1 两端又为反向电压。故 D1 截止、D2 导通。UAB=15V。 51. 硅稳压管稳压电路如图所示。其中硅稳压管 DZ 的稳定电压 UZ=8V、动态电阻 rZ 可以忽略,UI=20V。试求: (1) UO、IO、I 及 IZ 的值; (2) 当 UI 降低为 15V 时的 UO、IO、I 及 IZ 值。 【解题过程】 (1) 由于 UZ稳压管工作于反向电击穿状态,电路具有稳压功能。故 UO=UZ=8VIZ= IIO=64=2 mA(2) 由于这时的 UZ稳压管没有被击穿,稳压管处于截止状态。故 IZ=052.

17、电路如图(a)所示。其中未经稳定的直流输入电压 UI 值可变,稳压管 DZ 采用 2CW58 型硅稳压二极管,在管子的稳压范围内,当 IZ 为 5mA 时,其端电压 UZ 为 10V、 为 20,且该管的 IZM 为 26mA。 (1) 试求当该稳压管用图(b)所示模型等效时的 UZ0 值; (2) 当 UO =10V 时,UI 应为多大? (3) 若 UI 在上面求得的数值基础上变化10%,即从 0.9UI 变到 1.1UI,问 UO 将从多少变化到多少?相对于原来的 10V,输出电压变化了百分之几?在这种条件下,IZ 变化范围为多大? 1. 若 UI 值上升到使 IZ=IZM,而 rZ 值

18、始终为 20,这时的 UI 和 UO 分别为多少? (5) 若 UI 值在 69V 间可调,UO 将怎样变化? 图 (a) 图 (b)【解题过程】 (1) 由稳压管等效电路知, (2) (3) 设 不变。当 时 当 时 (4) (5) 由于 U IUZ0,稳压管 DZ 没有被击穿,处于截止状态 故 UO 将随 U I 在 69 V 之间变化 53.电路如图(a)、(b)所示。其中限流电阻 R=2 ,硅稳压管 DZ1、DZ2 的稳定电压UZ1、UZ2 分别为 6V 和 8V,正向压降为 0.7V,动态电阻可以忽略。试求电路输出端 A、B两端之间电压 UAB 的值。图(a) 图(b)【解题过程】

19、判断稳压管的工作状态: (1)首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端所加的是正向电压还是反向电压。若是反向电压,则当反向电压大于管子的稳定电压时,稳压管处于反向电击穿状态。否则, 稳压管处于截止状态;若是正向电压,但当正向电压大于其的死区电压时,二极管处于正向导通状态。 (2)在用上述方法判断的过程中,若出现两个以上稳压管承受大小不等的电压时,则应判定承受正 向电压较大者优先导通,或者在同样的反向电压作用下,稳定电压较小者优先导通,然后再用上述 方法判断其它二极管的工作状态。 根据上述稳压管工作状态的判断方法: 在图(a)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为 2

20、0V。由于稳压管 DZ1 的稳定电压低, 所以 DZ1 优先导通。当稳压管 DZ1 导通后,UAB= UZ1 =6 V,低于稳压管 DZ2 的击穿电压。故 DZ1 导通、 DZ2 截止。UAB=6V。 在图(b)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为 20V。由于稳压管 DZ1 与DZ2 的稳定电 压之和为 6+8=14V。故 DZ1 和 DZ2 同时导通。UAB=14V。 习题二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是_a 发射结正偏,集电结正偏 b 发射结反偏,集电结反偏 c 发射结正偏,集电结反偏 答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_ a 发射结正偏,集

21、电结正偏 b 发射结反偏,集电结反偏 c 发射结正偏,集电结反偏 答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_ a 0.1V b 0.5V c 0.7V 答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_ a 0.1V b 0.3V c 0.5V 答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的 为_ a 40 b 50 c 60 答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_ a 越好 b 越差 c 无变化 答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_ a 高 b 低 c 一样 答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 _ a

22、增大 b 减小 c 不变 答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_ a 升高 b 降低 c 不变 答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_ 极的电位最低。 a 发射极 b 基极 c 集电极 答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_ a 右移 b 左移 c 不变 答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_ a 上移 b 下移 c 不变 答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_ a 不变 b 减小 c 增大 答案:c12.晶体管共射极电流放大系数 与集电极电流 Ic 的关系是_ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 答案:a15. 当晶体管的集电极电流

23、 IcmIc 时,下列说法正确的是_ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的 PC=PCM c 晶体管的 一定减小 答案:c16.对于电压放大器来说, 越小,电路的带负载能力越强_ a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数 答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管 答案:b19 在单级共射放大电路中 , 若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_a 同相 b 反相 c 相差 90 度 答案:b20 在单级共射放大电路中 , 若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现

24、象,这种失真是_ 失真 a 饱和 b 截止 c 饱和和截止 答案:a21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是_ a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高 答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_a 输出功率 b 静态工作点 c 交流参数 答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案:a26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _ a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化 答案:c27. 在放大电路中,直流负反馈可以 _ a 提高晶体管电流放大倍数

25、的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数 c 稳定电路的静态工作点 答案:c28. 可以放大电压,但不能放大电流的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案:c29. 射极输出器无放大 _ 的能力。 a 电压 b 电流 c 功率 答案:a30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案:b31. 与空载相比, 接上负载后,放大电路的动态范围一定_ a 不变 b 变大 c 变小 答案:c32.某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3k 的负载后输出电压降为 3V,则此电路的输出电阻为_a 0.5k

26、W b 1kW c 2kW 答案:b35. 在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是 _ 多级放大电路。 a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 答案:c40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移,因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 _ 失真。 a 饱和 b 截止 c 频率 41.放大电路的两种失真分别为 _ 失真。 a 线性和非线性 b 饱和和截止 c 幅度和相位 44. 在考虑放大电路的频率失真时,若输入信号 Ui 为正弦波,则输出信号_ a 会产生线性失真 b 会产生非线性失真 c 为正弦波 54.工作在放大区的某三极管,如

27、果当 IB 从 12A 增大到 22A 时, IC 从 1mA 变为 2mA,那么它的 约为 。 A. 83 B. 91 C. 100答案:C55.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) 答案: 56.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( ) 答案: 57.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( ) 答案: 58.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) 答案: 59.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的 输出都毫无变化;( ) 答案: 60.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 答案: 61.电

28、路如图 PT3.4 所示,所有晶体管均为硅管, 均为 60, =100,静态时 UBEQ0.7V。试求: (1)静态时 T1 管和 T2 管的发射极电流。 (2)若静态时 uO0,则应如何调节 Rc2 的值才能使 uO0V?若静态 uO0V,则 Rc2?电压放大倍数为多少? 图 T3.4解:(1)T3 管的集电极电流 IC3( UZ UBEQ3)/ Re30.3mA 静态时 T1 管和 T2 管的发射极电流 IE1 IE20.15mA(2)若静态时 uO0,则应减小 Rc2。 当 uI0 时 uO0,T4 管的集电极电流 ICQ4 VEE / Rc40.6mA。 Rc2 的电流及其阻值分别为

29、电压放大倍数求解过程如下: 64.电路如图 P2.19 所示,晶体管的 b60, =100。 (1)求解 Q 点、 、 Ri 和 Ro; 图 P2.19(2)设 10mV(有效值),问 ? ?若 C3 开路,则 ? ? 解:(1) Q 点: 、 Ri 和 Ro 的分析: (2)设 10mV(有效值),则 若 C3 开路,则 65.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) 答案: 66.按要求填写下表。 连接方式(e、c、b) 性能比较(大、中、小) 电路名称 公共极 输入极 输出极 R i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路 解:答案如表所示。 连接方式 性能比较

30、(大、中、小) 电路名称 公共端 输入端 输出端 R i R o 其它 共射电路 e b c 大 大 小 大 共集电路 c b e 小 大 大 小 共基电路 b e c 大 小 小 大 频带宽 67.电路如图 P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 UBEQ0.7V。利用图解法分别求出 RL和 RL3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 Uom(有效值)。 图 P2.4解:空载时: IBQ20A, ICQ2mA, UCEQ6V;最大不失真输出电压峰值约为 5.3V,有效值约为 3.75V。 带载时: IBQ20A, ICQ2mA, UCEQ3V;最大不失真输出电压峰值约为 2

31、.3V,有效值约为 1.63V。 如解图 P2.4 所示。 解图 P2.468.图 P3.6 所示电路参数理想对称, 1 2 , rbe1 rbe2 rbe。 (1)写出 RW 的滑动端在中点时 Ad 的表达式; 图 P3.6(2)写出 RW 的滑动端在最右端时 Ad 的表达式,比较两个结果有什么不同。 解:(1) RW 的滑动端在中点时 Ad 的表达式为 (2) RW 的滑动端在最右端时 所以 Ad 的表达式为 比较结果可知,两种情况下的 Ad 完全相等;但第二种情况下的 。 71.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏

32、C. 前者正偏、后者也正偏 答案:B 72.分别改正图 P2.2 所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。 图 P2.2解:(a)将 VCC 改为 VCC 。 (b)在 VCC 与基极之间加 Rb。 (c)将 VBB 反接,且在输入端串联一个电阻。 (d)在 VBB 支路加 Rb,在 VCC 与集电极之间加 Rc。 73.电路如图 P2.6 所示,已知晶体管 b50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设 VCC12V,晶体管饱和管压降 UCES0.5V。 (1)正常情况 (2) Rb1 短路 (3) Rb1 开路 (4)

33、 Rb2 开路 (5) RC 短路 图 P2.6解:设 UBE0.7V。则 基极静态电流 (2)由于 UBE0V,T 截止, UC12V。 (3)临界饱和基极电流 实际基极电流 由于 IB IBS,故 T 饱和, UC UCES0.5V。 (4)T 截止, UC12V。 (5)由于集电极直接接直流电源, UC VCC12V74.电路如图 P3.9 所示,晶体管的 =50, =100。 (1)计算静态时 T1 管和 T2 管的集电极电流和集电极电位; 图 P3.9(2)用直流表测得 uO=2V, uI=?若 uI=10mv,则 uO=? 解:(1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为 静

34、态时 T1 管和 T2 管的集电极电流和集电极电位分别为 (2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下: uO uO UCQ11.23V若 uI=10mv,则 75.电路如图 P4.10 所示,T1 与 T2 管的特性相同,所有晶体管的 均相同, Rc1 远大于二极管的正向电阻。当 uI1 uI20V 时, uO0V。 图 P4.10(1)求解电压放大倍数的表达式; (2)当有共模输入电压时, uO=?简述理由。 解:(1)在忽略二极管动态电阻的情况下 (2)当有共模输入电压时, uO 近似为零。由于 Rc1 rd, uC1 uC2,因此uBE30,故 uO0。 76

35、.减小电路非线性失真的措施有( ) 采用输入特性为线性的晶体管; B. 采用交流负反馈放大电路; C . 采用小信号功率放大电路; D. 稳定在互补对称功放电路的乙类状态下工作 77.三极管有 和 两种载流子参与导电,故称作 极型晶体管;而场效应管称作 极型晶体管。答案:电子,空穴,双,单 78.不论何种组态的放大电路,作放大之用的三极管都工作于输出特性曲线的 区。因此接入电路时,总要使它的发射结保持 偏置,使它的集电结保持 偏置。 三极管的电流放大作用,实质上是指它的基极电流对集电极电流的 作用。 答案:放大,正向,反向,控制 图 2 习题三、运算电路 1.三个两级放大电路如下图所示,已知图

36、中所有晶体管的 均为 100,rbe 均为 1 k,所有电容均为 10 F,VCC 均相同。填空:(1)填入共射放大电路、共基放大电路等电路名称。 图(a)的第一级为_,第二级为_; 图(b)的第一级为_,第二级为_; 图(c)的第一级为_,第二级为_。 (2)三个电路中输入电阻最大的电路是_,最小的电路是_;输出电阻最大的电路是_,最小的电路是_;电压放大倍数数值最大的电路是_;低频特性最好的电路是_;若能调节 Q 点,则最大不失真输出电压最大的电路是_;输出电压与输入电压同相的电路是_。 【解题过程】(1)在电路(a)中,T1 为第一级的放大管,信号作用于其发射极,又从集电极输出,作用于负

37、载(即第二级电路),故第一级是共基放大电路;T2 和 T3 组成的复合管为第二级的放大管,第一级的输出信号作用于 T2 的基极,又从复合管的发射极输出,故第二级是共集放大电路。在电路(b)中,T1 和 T2 为第一级的放大管,构成差分放大电路,信号作用于 T1 和 T2 的基极,又从 T2 的集电极输出,作用于负载(即第二级电路),是双端输入单端输出形式,故第一级是(共射)差分放大电路;T3 为第二级的放大管,第一级的输出信号作用于 T3 的基极,又从其发射极输出,故第二级是共集放大电路。在电路(c)中,第一级是典型的 Q 点稳定电路,信号作用于 T1 的基极,又从集电极输出,作用于负载(即第

38、二级电路),故为共射放大电路;T2 为第二级的放大管,第一级的输出信号作用于 T2 的基极,又从其集电极输出,故第二级是共射放大电路。应当特别指出,电路(c)中 T3 和三个电阻(8.2 k、1.8 k、1 k)组成的电路构成电流源,等效成 T2 的集电极负载,理想情况下等效电阻趋于无穷大。电流源的特征是其输入回路没有动态信号的作用。要特别注意电路(c)的第二级电路与互补输出级的区别。(2)比较三个电路的输入回路,电路(a)的输入级为共基电路,它的 e b 间等效电阻为 rbe/(1+),Ri 小于 rbe/(1+);电路(b)的输入级为差分电路,Ri 大于 2rbe;电路(c)输入级为共射电

39、路,Ri 是 rbe 与 10 k、3.3 k 电阻并联,Ri不可能小于 rbe/(1+);因此,输入电阻最小的电路为(a),最大的电路为(b)。电路(c)的输出端接 T2 和 T3 的集电极,对于具有理想输出特性的晶体管,它们对“地”看进去的等效电阻均为无穷大,故电路(c)的输出电阻最大。比较电路(a)和电路(b),虽然它们的输出级均为射极输出器,但前者的信号源内阻为3.3 k,后者的信号源内阻为 10 k;且由于前者采用复合管作放大管,从射极回路看进去的等效电阻表达式中有1/(1+)2 ,而后者从射极回路看进去的等效电阻表达式中仅为有 1/(1+),故电路(a)的输出电阻最小。 由于电路(

40、c)采用两级共射放大电路,且第二级的电压放大倍数数值趋于无穷大,而电路(a)和(b)均只有第一级有电压放大作用,故电压放大倍数数值最大的电路是(c)。 由于只有电路(b)采用直接耦合方式,故其低频特性最好。由于只有电路(b)采用VCC 两路电源供电,若 Q 点可调节,则其最大不失真输出电压的峰值可接近 VCC,故最大不失真输出电压最大的电路是(b)。由于共射电路的输出电压与输入电压反相,共集和共基电路的输出电压与输入电压同相,可以逐级判断相位关系,从而得出各电路输出电压与输入电压的相位关系。电路(a)和(b)中两级电路的输出电压与输入电压均同相,故两个电路的输出电压与输入电压均同相。电路(c)

41、中两级电路的输出电压与输入电压均反相,故整个电路的输出电压与输入电压也同相。综上所述,答案为(1)共基放大电路,共集放大电路;差分放大电路,共集放大电路;共射放大电路,共射放大电路;(2)(b),(a);(c),(a);(c);(b);(b);(a),(b),(c)。 2. 电路如图所示,当 时, 。设 管的 ,稳压管 的稳定电压 、 ,试计算:(1)输入电阻 ;(2)输出电阻 ;(3)电压放大倍数 。 【解题过程】(1)本电路由差动放大器和射极跟随器两级串联组成。为了计算动态指标,应先求出静态工作点和晶体管的 rbe。静态时,T3 管基极电位 T1 管和 T2 管集电极电流(以下计算忽略了

42、T3 基极电流对 T2 集电极电位的影响) T1 和 T2 管的集电极电流也可通过求解公共射极电阻 RE 中电流来计算,两种方法得到的电流值略有区别,请读者自己验证。 T3 管射极电流 输入电阻为第一级电路的输入电阻 (2)输出电阻为第二级电路的输出电阻 (3) 电压放大倍数为两级电路放大倍数之积 第一级电路差模电压放大倍数 其中 则 3.电路如图所示。已知 , , , , , 。时, 。(1)试说明 和 、 和 、 以及 分别组成什么电路?(2)若要求 上电压的极性为上正下负,则输入电压 的极性如何?(3)写出差模电压放大倍数 的表达式,并求其值。 【解题过程】(1) 、 管组成恒流源电路,

43、作 和 管的漏极有源电阻, 、 管组成差分放大电路,并且恒流源 作源极有源电阻。 管组成共射极放大电路,并起到电平转化作用,使整个放大电路能达到零输入时零输出。 管组成射极输出器,降低电路的输出电阻,提高带载能力,这里恒流源 作为 管的射极有源电阻。(2)为了获得题目所要求的输出电压的极性,则必须使 基极电压极性为正, 基极电压极性为负,也就是 管的栅极电压极性应为正,而 管的栅极电压极性应为负。(3)整个放大电路可分输入级(差分放大电路)、中间级(共射放大电路)和输出级(射极输出器)。 对于输入级(差分放大电路),由于恒流源作漏极负载电阻,使单端输出具有与双端输出相同的放大倍数。所以 式中,

44、漏极负载电阻 ,而 为 管的等效电阻。 为 管组成的共射放大电路的输入电阻。由于恒流源的 。所以: 管组成的共射放大电路的电压放大倍数 由于 管组成的射极输出器的输入电阻 ,所以: 管组成的射极输出器的电压放大倍数 则总的差模电压放大倍数的表达式为 其值为 4.某两级差动放大电路如图所示。已知场效应管的 , , , , , , 。晶体管的 , , 。试计算:(1)第一级电路的静态工作电流 和第二级电路的静态工作电流 ;(2)电路的差模电压放大倍数 。 【解题过程】(1)由图可知,晶体管 、 组成镜像电流源。所以 由 、 对称可得 而 所以 由 、 对称可得 (2)由于电路由两级差分放大电路组成

45、,所以,电路的差模电压放大倍数为 第一级电路差模电压放大倍数为 式中, 为第二级电路的差模输入电阻。 第一级电路差模电压放大倍数为 第二级电路差模电压放大倍数为 故有 5. 差动放大电路及其参数如图所示。设 T1、T2 的特性一致,=50,UBE=0.7V,总的差模输入信号 uid =50mV 共模干扰信号 uic=1V,试求:(1)T1 和 T2 的静态工作点 IC、UC 之值;(2)输出信号电压 uo 及共模抑制比 KCMR 之值;(3)若将负载电阻接在集电极 C1 对地之间,重新计算 UC,再求 uo 及 KCMR 之值;(4)差模输入电阻 Rid、共模输入电阻 Ric 和输出电阻 Ro

46、 之值。 【解题过程】 图中 RW 是调零电位器,如果电路完全对称,调零电位器 RW 可以不要。实际上,电路两边参数不可能完全对称,只能说比较接近而已。因而,实际电路中需要利用调零电位器调整工作点使 ui=0 时 uo=0。为了计算简单,在估算电路各项技术指标时,一般设 RW 的滑动端在电位器的中间。(1)因电路两边完全对称,从直流等效电路可得 因 则有 (2)根据题意,应先算出电压放大倍数,然后按线性关系计算输出电压。 (3)由于电路采用直接耦合方式,当负载电阻接在集电极 C1 对地之间时,电路的静态工作点 UC 将与前面的估算值不同,必须重新估算。根据电路可得以下关系 经整理可得: (4)差模输入电阻,共模输入电阻,输出电阻分别计算如下

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